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公开(公告)号：TWI645472B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106128890
申请日：2012-04-26
发明人： 肥塚純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 山出直人 , YAMADE,NAOTO , 佐藤裕平 , SATO,YUHEI , 岡崎豐(豊) , OKAZAKI,YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
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公开(公告)号：TWI691083B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107124076
申请日：2013-05-27
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 肥塚純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 島行徳 , SHIMA,YUKINORI , 徳永肇 , TOKUNAGA,HAJIME
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公开(公告)号：TWI677030B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107135155
申请日：2012-04-26
发明人： 肥塚純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 山出直人 , YAMADE,NAOTO , 佐藤裕平 , SATO,YUHEI , 岡崎豐(豊) , OKAZAKI,YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
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公开(公告)号：TW201907483A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107135155
申请日：2012-04-26
发明人： 肥塚純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 山出直人 , YAMADE,NAOTO , 佐藤裕平 , SATO,YUHEI , 岡崎豐(豊) , OKAZAKI,YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
摘要： 本發明的課題之一是給使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，而使該半導體裝置高可靠性化。在包括氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，形成包括具有大致垂直於其表面的c軸的結晶的氧化物半導體膜(也稱為第一晶體氧化物半導體膜)，對該氧化物半導體膜引入氧而使其至少一部分非晶化來形成包含過剩的氧的非晶氧化物半導體膜。在該非晶氧化物半導體膜上形成氧化鋁膜之後，進行加熱處理而使該非晶氧化物半導體膜的至少一部分結晶化，來形成包括具有大致垂直於其表面的結晶的氧化物半導體膜(也稱為第二晶體氧化物半導體膜)。
简体摘要： 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，而使该半导体设备高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。
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公开(公告)号：TW201812916A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128890
申请日：2012-04-26
发明人： 肥塚純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 山出直人 , YAMADE,NAOTO , 佐藤裕平 , SATO,YUHEI , 岡崎豐(豊) , OKAZAKI,YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1274 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L21/383 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本發明的課題之一是給使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，而使該半導體裝置高可靠性化。在包括氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，形成包括具有大致垂直於其表面的c軸的結晶的氧化物半導體膜(也稱為第一晶體氧化物半導體膜)，對該氧化物半導體膜引入氧而使其至少一部分非晶化來形成包含過剩的氧的非晶氧化物半導體膜。在該非晶氧化物半導體膜上形成氧化鋁膜之後，進行加熱處理而使該非晶氧化物半導體膜的至少一部分結晶化，來形成包括具有大致垂直於其表面的結晶的氧化物半導體膜(也稱為第二晶體氧化物半導體膜)。
简体摘要： 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，而使该半导体设备高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。
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公开(公告)号：TWI695511B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107122525
申请日：2013-07-18
发明人： 肥純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI,TOSHINARI , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI,KATSUAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
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公开(公告)号：TW201921699A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108103886
申请日：2013-05-27
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 肥塚純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 徳永肇 , TOKUNAGA, HAJIME
摘要： 本發明的一個方式的目的之一是提供一種在使用氧化物半導體的半導體裝置中抑制電特性的變動的可靠性高的半導體裝置。本發明的一個方式的目的之一是提供一種半導體裝置，包括：接觸於源極電極層及汲極電極層的第一氧化物半導體層；以及成為電晶體的電流路徑(通道)的第二氧化物半導體層。第一氧化物半導體層用作用來抑制源極電極層及汲極電極層的構成元素擴散到通道的緩衝層。藉由設置第一氧化物半導體層，可以抑制該構成元素擴散到第一氧化物半導體層與第二氧化物半導體層的介面及第二氧化物半導體層中。
简体摘要： 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体设备中抑制电特性的变动的可靠性高的半导体设备。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体设备，包括：接触于源极电极层及汲极电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的电流路径(信道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来抑制源极电极层及汲极电极层的构成元素扩散到信道的缓冲层。借由设置第一氧化物半导体层，可以抑制该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。
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公开(公告)号：TW201907569A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107122525
申请日：2013-07-18
发明人： 肥純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI,TOSHINARI , 林克明 , TOCHIBAYASHI,KATSUAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
摘要： 本發明的一個方式抑制在將氧化物半導體用於半導體膜的電晶體上包括層間絕緣膜的半導體裝置的電特性的變動。本發明的一個方式包括：在半導體膜上的由源極電極及汲極電極形成的步階區域具有空隙部，且作為成分包含氧化矽的第一絕緣膜；以及以堵住第一絕緣膜的空隙部的方式與第一絕緣膜接觸地設置且作為成分包含氮化矽的第二絕緣膜。藉由採用該結構，可以防止產生在第一絕緣膜中的空隙部進一步擴大到外側。
简体摘要： 本发明的一个方式抑制在将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管上包括层间绝缘膜的半导体设备的电特性的变动。本发明的一个方式包括：在半导体膜上的由源极电极及汲极电极形成的步阶区域具有空隙部，且作为成分包含氧化硅的第一绝缘膜；以及以堵住第一绝缘膜的空隙部的方式与第一绝缘膜接触地设置且作为成分包含氮化硅的第二绝缘膜。借由采用该结构，可以防止产生在第一绝缘膜中的空隙部进一步扩大到外侧。
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