公开(公告)号：TW201812916A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106128890

申请日：2012-04-26

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 肥塚純一 ,  KOEZUKA,JUNICHI ,  山出直人 ,  YAMADE,NAOTO ,  佐藤裕平 ,  SATO,YUHEI ,  岡崎豐(豊) ,  OKAZAKI,YUTAKA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI,SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/383 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的課題之一是給使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，而使該半導體裝置高可靠性化。在包括氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，形成包括具有大致垂直於其表面的c軸的結晶的氧化物半導體膜(也稱為第一晶體氧化物半導體膜)，對該氧化物半導體膜引入氧而使其至少一部分非晶化來形成包含過剩的氧的非晶氧化物半導體膜。在該非晶氧化物半導體膜上形成氧化鋁膜之後，進行加熱處理而使該非晶氧化物半導體膜的至少一部分結晶化，來形成包括具有大致垂直於其表面的結晶的氧化物半導體膜(也稱為第二晶體氧化物半導體膜)。

简体摘要： 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，而使该半导体设备高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。

公开(公告)号：TW201801189A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106104930

申请日：2017-02-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L21/385 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/44 ,  H01L21/443 ,  H01L21/4757 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明的目的之一是提高具有氧化物半導體膜的電晶體的場效移動率及其可靠性。本發明的一個實施方式是一種包括氧化物半導體膜的半導體裝置，該半導體裝置包括：第一絕緣膜；第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的第二絕緣膜及第三絕緣膜；以及第二絕緣膜上的閘極電極。第二絕緣膜包括氧氮化矽膜，當藉由氧電漿處理使第二絕緣膜包含過量氧時，可以對氧化物半導體膜高效地供應氧。

简体摘要： 本发明的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效移动率及其可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体设备，该半导体设备包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的闸极电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜，当借由氧等离子处理使第二绝缘膜包含过量氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。

公开(公告)号：TWI566362B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：TW101145932

申请日：2012-12-06

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 金子貴昭 ,  KANEKO, KISHOU ,  井上尚也 ,  INOUE, NAOYA ,  林喜宏 ,  HAYASHI, YOSHIHIRO

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI562286B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW100136377

申请日：2011-10-06

申请人： 三星顯示器有限公司 ,  SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

发明人： 王盛民 ,  WANG, SEONG-MIN ,  安其完 ,  AHN, KI-WAN ,  尹柱善 ,  YOON, JOO-SUN ,  金其弘 ,  KIM, KI-HONG

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/44 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

公开(公告)号：TW201436243A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102149173

申请日：2013-12-27

申请人： 神戶製鋼所股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)

发明人： 森田晋也 ,  MORITA, SHINYA ,  越智元隆 ,  OCHI, MOTOTAKA ,  後藤裕史 ,  GOTO, HIROSHI ,  釘宮敏洋 ,  KUGIMIYA, TOSHIHIRO ,  廣瀬硏太 ,  HIROSE, KENTA

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明提供一種TFT，其係不具有蝕刻阻止層之背通道蝕刻型TFT，TFT之氧化物半導體層對於源極-汲極電極形成時所使用之酸蝕刻溶液之耐性優異，且應力(stress)耐性優異。該TFT之特徵為氧化物半導體層係具有第1氧化物半導體層及第2氧化物半導體層之層合體，該第1氧化物半導體層係由Sn及In、以及Ga與Zn之至少1種、與O所構成，且該第2氧化物半導體層係由選自由In、Zn、Sn及Ga所組成之群之1種以上的元素與O所構成，其中依序形成前述閘極絕緣膜、前述第2氧化物半導體層、前述第1氧化物半導體層，且薄膜電晶體之層合方向剖面中，以[100×(源極-汲極電極端正下方之第1氧化物半導體層之膜厚-第1氧化物半導體層中央部之膜厚)/源極-汲極電極端正下方之第1氧化物半導體層之膜厚]求出之值為5%以下。

简体摘要： 本发明提供一种TFT，其系不具有蚀刻阻止层之背信道蚀刻型TFT，TFT之氧化物半导体层对于源极-汲极电极形成时所使用之酸蚀刻溶液之耐性优异，且应力(stress)耐性优异。该TFT之特征为氧化物半导体层系具有第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层之层合体，该第1氧化物半导体层系由Sn及In、以及Ga与Zn之至少1种、与O所构成，且该第2氧化物半导体层系由选自由In、Zn、Sn及Ga所组成之群之1种以上的元素与O所构成，其中依序形成前述闸极绝缘膜、前述第2氧化物半导体层、前述第1氧化物半导体层，且薄膜晶体管之层合方向剖面中，以[100×(源极-汲极电极端正下方之第1氧化物半导体层之膜厚-第1氧化物半导体层中央部之膜厚)/源极-汲极电极端正下方之第1氧化物半导体层之膜厚]求出之值为5%以下。

公开(公告)号：TWI445163B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW100138381

申请日：2011-10-21

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 柏威爾 海特T ,  BREWER, RHETT T. ,  拉瑪斯瓦米 杜來V ,  RAMASWAMY, DURAI V.

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/42324 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L21/244 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/44 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TW200520108A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：TW092133840

申请日：2003-12-02

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： H 柏恩啥德 波吉 POGGE, H. BERNHARD ,  余羅伊 YU, ROY

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種用於製造一三維整合裝置之方法，該裝置包含複數個垂直堆疊及互連的晶圓。晶圓(1、2、3)係使用諸如聚醯亞胺之類熱塑材料的焊接層(26、36)焊接在一起，藉由該等晶圓中的通道(12、22)連接至凸塊(27、37)實現電連接。該等凸塊連接至開口(13、23)，該等開口之橫向尺度大於該等晶圓前表面的通道的橫向尺度。此外，各晶圓中的通道無需從該等晶圓的該前表面垂直延伸至該後表面。配置於該晶圓內該裝置區域之下並且橫向延伸的一傳導體(102)可藉由該後表面中的金屬化開口(103)連接該通道。因此，穿過該晶圓的該傳導路徑可導入其該等裝置之下。在開口(113)與凸塊(127)之間進行額外連接，以便在該等晶圓之間形成垂直熱傳導路徑。

简体摘要： 本发明揭示一种用于制造一三维集成设备之方法，该设备包含复数个垂直堆栈及互连的晶圆。晶圆(1、2、3)系使用诸如聚酰亚胺之类热塑材料的焊接层(26、36)焊接在一起，借由该等晶圆中的信道(12、22)连接至凸块(27、37)实现电连接。该等凸块连接至开口(13、23)，该等开口之横向尺度大于该等晶圆前表面的信道的横向尺度。此外，各晶圆中的信道无需从该等晶圆的该前表面垂直延伸至该后表面。配置于该晶圆内该设备区域之下并且横向延伸的一传导体(102)可借由该后表面中的金属化开口(103)连接该信道。因此，穿过该晶圆的该传导路径可导入其该等设备之下。在开口(113)与凸块(127)之间进行额外连接，以便在该等晶圆之间形成垂直热传导路径。

公开(公告)号：TWI619175B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105110769

申请日：2010-11-01

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  真城瞬 ,  MASHIRO, SHUN ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI588910B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105124614

申请日：2012-11-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI524493B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW100149533

申请日：2011-12-29

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 童香紅 ,  TONG, XIANGHONG ,  陳震平 ,  CHEN, ZHANPING ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID M. ,  馬志勇 ,  MA, ZHIYONG ,  庫卡尼 沙維雪H ,  KULKARNI, SARVESH H. ,  張 凱文X ,  ZHANG, KEVIN X. ,  皮德森 馬修B ,  PEDERSEN, MATTHEW B. ,  強森 凱文D ,  JOHNSON, KEVIN D.

IPC分类号： H01L23/525 ,  G11C17/16

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L21/44 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00