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    電解處理治具及電解處理方法
    1.
    发明专利
    電解處理治具及電解處理方法 审中-公开
    电解处理治具及电解处理方法

    公开(公告)号：TW201820493A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW106132347

    申请日：2017-09-21

    申请人： 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 星野智久 ,  HOSHINO, TOMOHISA ,  濵田正人 ,  HAMADA, MASATO

    IPC分类号： H01L21/60 ,  C25D7/12 ,  C25D21/10

    摘要： 本發明之課題在於可以有效率且適切地進行對被處理基板之電解處理。 　　本發明之解決手段之半導體裝置之製造裝置(1)係具有對晶圓(W)進行電解處理之電解處理治具(20)。電解處理治具(20)，係具有平板狀的基體(21)，設在基體(21)之直接電極(23)，在基體(21)設置3支以上、且具有彈性、供接觸到晶圓(W)外周部並施加電壓用之端子(22)，電性地檢知端子(22)對晶圓(W)的接觸之檢知部(31)，與測定對端子(22)施予的荷重之荷重測定部。

    简体摘要： 本发明之课题在于可以有效率且适切地进行对被处理基板之电解处理。 　　本发明之解决手段之半导体设备之制造设备(1)系具有对晶圆(W)进行电解处理之电解处理治具(20)。电解处理治具(20)，系具有平板状的基体(21)，设在基体(21)之直接电极(23)，在基体(21)设置3支以上、且具有弹性、供接触到晶圆(W)外周部并施加电压用之端子(22)，电性地检知端子(22)对晶圆(W)的接触之检知部(31)，与测定对端子(22)施予的荷重之荷重测定部。

    電解處理治具及電解處理方法
    4.
    发明专利
    電解處理治具及電解處理方法 审中-公开
    电解处理治具及电解处理方法

    公开(公告)号：TW201816196A

    公开(公告)日：2018-05-01

    申请号：TW106132384

    申请日：2017-09-21

    申请人： 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 星野智久 ,  HOSHINO, TOMOHISA ,  濵田正人 ,  HAMADA, MASATO ,  金子聡 ,  KANEKO, SATOSHI ,  山口恭満 ,  YAMAGUCHI, KIYOMITSU

    IPC分类号： C25D5/08 ,  C25D7/12 ,  C25D21/10 ,  C25D17/10 ,  H01L21/60

    摘要： 本發明之課題係可以有效率且適切地進行對被處理基板之電解處理。 　　本發明之解決手段之使用被供給到晶圓(W)的電鍍液，對該晶圓(W)進行電解處理之電解處理治具(20)，係具有平板狀的基體(21)，與設在基體(21)的表面(21a)，供接觸到電鍍液並在與晶圓(W)之間施加電壓用之複數直接電極(23)。在相鄰接的直接電極(23、23)設置間隙，電解處理治具(20)的表面具有凹凸形狀。凹凸形狀，係在電解處理治具(20)的表面全面被形成。

    简体摘要： 本发明之课题系可以有效率且适切地进行对被处理基板之电解处理。 　　本发明之解决手段之使用被供给到晶圆(W)的电镀液，对该晶圆(W)进行电解处理之电解处理治具(20)，系具有平板状的基体(21)，与设在基体(21)的表面(21a)，供接触到电镀液并在与晶圆(W)之间施加电压用之复数直接电极(23)。在相邻接的直接电极(23、23)设置间隙，电解处理治具(20)的表面具有凹凸形状。凹凸形状，系在电解处理治具(20)的表面全面被形成。

    基板處理裝置及基板處理方法
    5.
    发明专利
    基板處理裝置及基板處理方法 审中-公开
    基板处理设备及基板处理方法

    公开(公告)号：TW201736639A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW105140250

    申请日：2016-12-06

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 星野智久 ,  HOSHINO, TOMOHISA ,  藤田啓一 ,  FUJITA, KEIICHI ,  濵田正人 ,  HAMADA, MASATO

    IPC分类号： C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

    CPC分类号： C23C18/40 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/34 ,  H05K3/00

    摘要： 係以提供即使不對基板進行藉由矽烷耦合劑之矽烷耦合處理，亦可以使鈀原子與基板之表面鍵結的基板處理裝置為目的。在基板處理裝置(1)中，鍍敷處理部(4)具備觸媒液供給部(43a)及鍍敷液供給部(45)，對基板(W1)，藉由觸媒液供給部(43a)，供給包含具有一個或兩個氮原子以作為雜原子之單環的5或6員環之芳香族或脂肪族之雜環式化合物和鈀離子之錯合物的觸媒液(L1)，而在基板(W1)之表面形成觸媒層(91)，且於觸媒液(L1)之供給後，對基板(W2)，藉由鍍敷液供給部(43)，供給鍍敷液(M1)，而在被形成於基板(W2)上之觸媒層(91)上形成無電解鍍敷層(92)。

    简体摘要： 系以提供即使不对基板进行借由硅烷耦合剂之硅烷耦合处理，亦可以使钯原子与基板之表面键结的基板处理设备为目的。在基板处理设备(1)中，镀敷处理部(4)具备触媒液供给部(43a)及镀敷液供给部(45)，对基板(W1)，借由触媒液供给部(43a)，供给包含具有一个或两个氮原子以作为杂原子之单环的5或6员环之芳香族或脂肪族之杂环式化合物和钯离子之错合物的触媒液(L1)，而在基板(W1)之表面形成触媒层(91)，且于触媒液(L1)之供给后，对基板(W2)，借由镀敷液供给部(43)，供给镀敷液(M1)，而在被形成于基板(W2)上之触媒层(91)上形成无电解镀敷层(92)。

    基板處理裝置及基板處理方法
    6.
    发明专利
    基板處理裝置及基板處理方法 审中-公开
    基板处理设备及基板处理方法

    公开(公告)号：TW201734259A

    公开(公告)日：2017-10-01

    申请号：TW105140449

    申请日：2016-12-07

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 星野智久 ,  HOSHINO, TOMOHISA ,  藤田啓一 ,  FUJITA, KEIICHI ,  濵田正人 ,  HAMADA, MASATO

    IPC分类号： C23C18/31 ,  C23C18/30 ,  H05K3/18

    CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/40 ,  C25D7/123 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898

    摘要： 其目的係提供即使對在表面具有以高濃度含有雜質之雜質摻雜多晶矽膜的基板，不進行藉由矽烷耦合劑的矽烷耦合處理，亦可以不使鈀原子凝聚於基板之雜質摻雜多晶矽膜上而予以鍵合形成觸媒層的基板處理裝置為目的。在基板處理裝置(1)中，鍍敷處理部(4)具備觸媒液供給部(43a)及鍍敷液供給部(45)，對在表面具有以高濃度含有雜質之雜質摻雜多晶矽膜(90)的基板(W1)，藉由觸媒液供給部(43a)，供給包含具有一個或兩個氮原子以作為雜原子之單環的5或6員環之芳香族或脂肪族之雜環式化合物和鈀離子之錯合物的鹼性之觸媒液(L1)，而在基板(W1)之雜質摻雜多晶矽膜(90)之表面形成觸媒層(91)，且於觸媒液(L1)之供給後，對基板(W2)，藉由鍍敷液供給部(43)，供給鍍敷液(M1)，而在被形成於基板(W2)上之觸媒層(91)上形成無電解鍍敷層(92)。

    简体摘要： 其目的系提供即使对在表面具有以高浓度含有杂质之杂质掺杂多晶硅膜的基板，不进行借由硅烷耦合剂的硅烷耦合处理，亦可以不使钯原子凝聚于基板之杂质掺杂多晶硅膜上而予以键合形成触媒层的基板处理设备为目的。在基板处理设备(1)中，镀敷处理部(4)具备触媒液供给部(43a)及镀敷液供给部(45)，对在表面具有以高浓度含有杂质之杂质掺杂多晶硅膜(90)的基板(W1)，借由触媒液供给部(43a)，供给包含具有一个或两个氮原子以作为杂原子之单环的5或6员环之芳香族或脂肪族之杂环式化合物和钯离子之错合物的碱性之触媒液(L1)，而在基板(W1)之杂质掺杂多晶硅膜(90)之表面形成触媒层(91)，且于触媒液(L1)之供给后，对基板(W2)，借由镀敷液供给部(43)，供给镀敷液(M1)，而在被形成于基板(W2)上之触媒层(91)上形成无电解镀敷层(92)。