公开(公告)号：TWI619845B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW104106039

申请日：2015-02-25

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 岩井和俊 ,  IWAI, KAZUTOSHI ,  水谷信崇 ,  MIZUTANI, NOBUTAKA ,  岩下光秋 ,  IWASHITA, MITSUAKI

IPC分类号： C23C18/18

CPC分类号： C23C18/1865 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1817 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893

公开(公告)号：TWI591710B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW105118164

申请日：2003-11-14

申请人： 荏原製作所股份有限公司 ,  EBARA CORPORATION

发明人： 勝岡誠司 ,  KATSUOKA, SEIJI ,  關本雅彥 ,  SEKIMOTO, MASAHIKO ,  橫山俊夫 ,  YOKOYAMA, TOSHIO ,  渡邊輝行 ,  WATANABE, TERUYUKI ,  小川貴弘 ,  OGAWA, TAKAHIRO ,  小林賢一 ,  KOBAYASHI, KENICHI ,  宮崎充 ,  MIYAZAKI, MITSURU ,  本島靖之 ,  MOTOSHIIMA, YASUYUKI ,  尾渡晃 ,  OWATARI, AKIRA ,  大直樹 ,  DAI, NAOKI

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  Y10S134/902 ,  Y10T279/11

公开(公告)号：TW201537746A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103137558

申请日：2014-10-30

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

发明人： 西澤弘一郎 ,  NISHIZAWA, KOICHIRO

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L21/76864 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/32 ,  C23C18/50 ,  C23C18/54 ,  C23C28/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C25D7/123 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

摘要： 根據所請發明的半導體裝置，其特徵在於包括半導體基板，以GaAs(砷化鎵)形成；密合層，在上述半導體基板上以Pd(鈀)或包含Pd的合金形成；阻障層，在上述密合層上以Co(鈷)或包含Co的合金形成；以及金屬層，在上述阻障層上以Cu(銅)、Ag(銀)或Au(金)形成。

简体摘要： 根据所请发明的半导体设备，其特征在于包括半导体基板，以GaAs(砷化镓)形成；密合层，在上述半导体基板上以Pd(钯)或包含Pd的合金形成；阻障层，在上述密合层上以Co(钴)或包含Co的合金形成；以及金属层，在上述阻障层上以Cu(铜)、Ag(银)或Au(金)形成。

公开(公告)号：TW201525192A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103130538

申请日：2014-09-04

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC

发明人： 米拉摩 克瑞斯坦M ,  MILUM, KRISTEN M. ,  齊尼克 瑪莉亞 安娜 ,  RZEZNIK, MARIA ANNA ,  克利瑞 丹奈德E ,  CLEARY, DONALD E. ,  柯宇克 朱莉亞 ,  KOZHUKH, JULIA ,  尼莫貝 利拉I ,  NIAZIMBETOVA, ZUHRA I.

IPC分类号： C23C18/31 ,  C07D239/24

CPC分类号： C23C18/30 ,  B01J31/0244 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  H05K3/422

摘要： 本發明關於環上含有一個或多個供電子基之嘧啶衍生物，其係用於作為水性鹼性環境中之催化型金屬錯合劑，以催化包覆金屬及未包覆金屬之基板上之無電金屬鍍覆。該等催化劑為單體且不含錫及抗氧化劑。

简体摘要： 本发明关于环上含有一个或多个供电子基之嘧啶衍生物，其系用于作为水性碱性环境中之催化型金属错合剂，以催化包覆金属及未包覆金属之基板上之无电金属镀覆。该等催化剂为单体且不含锡及抗氧化剂。

公开(公告)号：TW201516181A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW103133644

申请日：2014-09-26

申请人： 德國艾托特克公司 ,  ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

发明人： 劉 志明 ,  LIU, ZHIMING ,  付海羅 ,  FU, HAILUO ,  漢格那 沙拉 ,  HUNEGNAW, SARA ,  布雷登 拉茲 ,  BRANDT, LUTZ ,  馬格亞 塔發瓦 ,  MAGAYA, TAFADZWA

IPC分类号： C23C18/31 ,  C23C28/00

CPC分类号： C23C18/1893 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3607 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3697 ,  C03C2217/70 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/112 ,  C03C2218/115 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5072 ,  C04B41/5075 ,  C04B41/51 ,  C04B41/5111 ,  C04B41/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1258 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1694 ,  C23C18/1875 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/1886 ,  C23C18/31 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C23C26/00 ,  C23C28/3225 ,  C23C28/345 ,  C25D3/12 ,  C25D3/18 ,  C25D3/38 ,  C25D5/50 ,  C25D5/54 ,  H01L21/2885

摘要： 本發明提供一種用於非導電基材金屬化之方法，其提供沈積金屬對於基材材料之高黏著性且由此形成持久黏結。該方法施用促進黏著之金屬氧化物化合物與促進金屬層形成之過渡金屬鍍敷催化劑化合物之新穎組合。

简体摘要： 本发明提供一种用于非导电基材金属化之方法，其提供沉积金属对于基材材料之高黏着性且由此形成持久黏结。该方法施用促进黏着之金属氧化物化合物与促进金属层形成之过渡金属镀敷催化剂化合物之新颖组合。

公开(公告)号：TW201510036A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103118632

申请日：2014-05-28

申请人： 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： 荒井直子 ,  ARAI, NAOKO ,  中村師健 ,  NAKAMURA, MITSUTAKE ,  小野寺真吾 ,  ONODERA, SHINGO ,  深津文起 ,  FUKATSU, FUMIOKI

IPC分类号： C08L23/26 ,  C08L101/12 ,  C08K5/41 ,  C23C18/18

CPC分类号： C09D129/14 ,  C08G73/0266 ,  C08L2205/03 ,  C09D179/02 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2066 ,  C23C18/30 ,  C23C18/38 ,  C09D175/04 ,  C09D129/04 ,  C08L75/04 ,  C08L79/02 ,  C08L29/14

摘要： 含導電性聚合物及聚乙烯縮醛樹脂之無電解鍍敷底層膜形成用組成物。

简体摘要： 含导电性聚合物及聚乙烯缩醛树脂之无电解镀敷底层膜形成用组成物。

公开(公告)号：TW201235507A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW100146134

申请日：2011-12-14

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司

发明人： 劉風 ,  齊尼克 瑪莉亞 安娜

IPC分类号： C23C ,  C07D

CPC分类号： C23C18/40 ,  B01J13/0034 ,  B01J13/0043 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/206 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C23C18/405

摘要： 提供安定的零價金屬組成物與該等組成物的製造及使用方法。該等組成物係有用於作為隨後非導電基板之金屬化之催化劑，且係特別有用於電子裝置之製造。

简体摘要： 提供安定的零价金属组成物与该等组成物的制造及使用方法。该等组成物系有用于作为随后非导电基板之金属化之催化剂，且系特别有用于电子设备之制造。

公开(公告)号：TW200526818A

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：TW093140190

申请日：2004-12-23

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C.

发明人： 普瑞特 堤馬斯J PERET, TIMOTHY J.

IPC分类号： C25D

CPC分类号： G02B6/02395 ,  C03C25/1063 ,  C03C25/48 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/32 ,  C23C18/54 ,  C25D3/12 ,  G02B6/4248

摘要： 本發明揭示金屬化非導電性基材之方法。該等方法包括：(a)提供具有已裸露的非導電性表面之非導電性基材；(b)藉無電電鍍法(electroless plating)於該已裸露之非導電性表面上形成第一鎳層；以及(c)藉使用具有pH由2至2.5溶液之電解電鍍法(electrolytic plating)於該第一鎳層上形成第二鎳層。該非導電性基材例如可為光纖。本發明亦揭示以本發明方法製備的經金屬化之非導電性基材及經金屬化之光纖，同時包括此等經金屬化光纖之光電封裝件。於光纖金屬化及於密封光電裝置封裝件的形成之光電工業上，可發現本發明之特別應用性。

简体摘要： 本发明揭示金属化非导电性基材之方法。该等方法包括：(a)提供具有已裸露的非导电性表面之非导电性基材；(b)藉无电电镀法(electroless plating)于该已裸露之非导电性表面上形成第一镍层；以及(c)藉使用具有pH由2至2.5溶液之电解电镀法(electrolytic plating)于该第一镍层上形成第二镍层。该非导电性基材例如可为光纤。本发明亦揭示以本发明方法制备的经金属化之非导电性基材及经金属化之光纤，同时包括此等经金属化光纤之光电封装件。于光纤金属化及于密封光电设备封装件的形成之光电工业上，可发现本发明之特别应用性。

公开(公告)号：TW200510576A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093119377

申请日：2004-06-30

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C.

发明人： 麥凱 約翰E MCCASKIE, JOHN E. ,  葛瑞L 亨利 GARAY, L. HENRY

IPC分类号： C25D

CPC分类号： C23C18/1893 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/52 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/32 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  C23C18/54

摘要： 一種經金屬化的陶瓷之製造方法，該經金屬化的陶瓷中有一或更多金屬層具有中等磷含量。由該方法製造之經金屬化的陶瓷可用於電子裝置中。

简体摘要： 一种经金属化的陶瓷之制造方法，该经金属化的陶瓷中有一或更多金属层具有中等磷含量。由该方法制造之经金属化的陶瓷可用于电子设备中。

公开(公告)号：TW200416861A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：TW092131951

申请日：2003-11-14

申请人： 荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION

发明人： 勝岡誠司 KATSUOKA, SEIJI ,  關本雅彥 SEKIMOTO, MASAHIKO ,  橫山俊夫 YOKOYAMA, TOSHIO ,  渡邊輝行 WATANABE, TERUYUKI ,  小川貴弘 OGAWA, TAKAHIRO ,  小林賢一 KOBAYASHI, KENICHI ,  宮崎充 MIYAZAKI, MITSURU ,  本島靖之 MOTOSHIIMA, YASUYUKI ,  尾渡晃 OWATARI, AKIRA ,  大直樹 DAI, NAOKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  Y10S134/902 ,  Y10T279/11

摘要： 本發明係關於一種適用於對基板進行電鍍處理、將基板浸漬於處理液以進行處理之基板處理裝置。本發明之處理裝置係具有：用於進行基板之取出放入之裝載–卸載區；用以清洗基板之清洗區；用以進行基板之電鍍處理之電鍍處理區；而在前述裝載–卸載區則設置有：具有複數個乾式機械手之載運基板機器人；用以搭載基板匣之裝載口；將基板由面朝上切換為面朝下之乾式反轉機。

简体摘要： 本发明系关于一种适用于对基板进行电镀处理、将基板浸渍于处理液以进行处理之基板处理设备。本发明之处理设备系具有：用于进行基板之取出放入之装载–卸载区；用以清洗基板之清洗区；用以进行基板之电镀处理之电镀处理区；而在前述装载–卸载区则设置有：具有复数个干式机械手之载运基板机器人；用以搭载基板匣之装载口；将基板由面朝上切换为面朝下之干式反转机。