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公开(公告)号：TWI649831B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105118576
申请日：2016-06-14
发明人： 金子聡 , KANEKO, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/208
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公开(公告)号：TW201816196A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106132384
申请日：2017-09-21
发明人： 星野智久 , HOSHINO, TOMOHISA , 濵田正人 , HAMADA, MASATO , 金子聡 , KANEKO, SATOSHI , 山口恭満 , YAMAGUCHI, KIYOMITSU
摘要： 本發明之課題係可以有效率且適切地進行對被處理基板之電解處理。 本發明之解決手段之使用被供給到晶圓(W)的電鍍液，對該晶圓(W)進行電解處理之電解處理治具(20)，係具有平板狀的基體(21)，與設在基體(21)的表面(21a)，供接觸到電鍍液並在與晶圓(W)之間施加電壓用之複數直接電極(23)。在相鄰接的直接電極(23、23)設置間隙，電解處理治具(20)的表面具有凹凸形狀。凹凸形狀，係在電解處理治具(20)的表面全面被形成。
简体摘要： 本发明之课题系可以有效率且适切地进行对被处理基板之电解处理。 本发明之解决手段之使用被供给到晶圆(W)的电镀液，对该晶圆(W)进行电解处理之电解处理治具(20)，系具有平板状的基体(21)，与设在基体(21)的表面(21a)，供接触到电镀液并在与晶圆(W)之间施加电压用之复数直接电极(23)。在相邻接的直接电极(23、23)设置间隙，电解处理治具(20)的表面具有凹凸形状。凹凸形状，系在电解处理治具(20)的表面全面被形成。
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公开(公告)号：TW201812095A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106120389
申请日：2017-06-19
发明人： 元松一騎 , MOTOMATSU, KAZUKI , 金子聡 , KANEKO, SATOSHI , 坂本和紀 , SAKAMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： C23C18/31 , H01L21/304
CPC分类号： C23C18/163 , C23C18/1632 , C23C18/1669 , C23C18/1676 , C23C18/1682 , C23C18/18 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/42
摘要： 提供可以迅速上升基板上之處理液之溫度以防止處理液之劣化，而且可以使基板之液處理均勻化的基板液處理裝置。 基板液處理裝置(1)具有：保持基板(W)的基板保持部(52)；對保持於基板保持部(52)的基板(W)的上面供給處理液(L1)的處理液供給部(53)；及覆蓋基板(W)的蓋體(6)。蓋體(6)具有：配置於基板(W)之上方的天井部(61)；由天井部(61)向下方延伸的側壁部(62)；及設於天井部(61)，對基板(W)上之處理液(L1)進行加熱的加熱部(63)。在對基板(W)上之處理液(L1)進行加熱時蓋體(6)之側壁部(62)被配置於基板(W)之外周側。
简体摘要： 提供可以迅速上升基板上之处理液之温度以防止处理液之劣化，而且可以使基板之液处理均匀化的基板液处理设备。 基板液处理设备(1)具有：保持基板(W)的基板保持部(52)；对保持于基板保持部(52)的基板(W)的上面供给处理液(L1)的处理液供给部(53)；及覆盖基板(W)的盖体(6)。盖体(6)具有：配置于基板(W)之上方的天井部(61)；由天井部(61)向下方延伸的侧壁部(62)；及设于天井部(61)，对基板(W)上之处理液(L1)进行加热的加热部(63)。在对基板(W)上之处理液(L1)进行加热时盖体(6)之侧壁部(62)被配置于基板(W)之外周侧。
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公开(公告)号：TW201812872A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106120775
申请日：2017-06-21
发明人： 村田晃 , MURATA, AKIRA , 金子聡 , KANEKO, SATOSHI , 元松一騎 , MOTOMATSU, KAZUKI , 坂本和紀 , SAKAMOTO, KAZUNORI
CPC分类号： C23C18/1675 , C23C18/1619 , C23C18/1882 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67748 , H01L21/68742
摘要： 提供一種可防止在基板產生微粒，並且可降低處理液的使用量之基板處理裝置。 基板處理裝置(1)，係具備有：處理腔室(30)，具有處理基板(W)的處理空間(31)；氣化槽(60)，儲存處理液，並且具有可使所儲存之處理液氣化的氣化空間(61)；減壓驅動部(70)，對氣化空間(61)進行減壓；及控制部(18)。控制部(18)，係不經由處理空間(31)對氣化空間(61)進行減壓，使處理液氣化成處理氣體，其後，經由處理空間(31)對氣化空間(61)進行減壓，使處理液氣化成處理氣體，並且將惰性氣體供給至氣化空間(61)。
简体摘要： 提供一种可防止在基板产生微粒，并且可降低处理液的使用量之基板处理设备。 基板处理设备(1)，系具备有：处理腔室(30)，具有处理基板(W)的处理空间(31)；气化槽(60)，存储处理液，并且具有可使所存储之处理液气化的气化空间(61)；减压驱动部(70)，对气化空间(61)进行减压；及控制部(18)。控制部(18)，系不经由处理空间(31)对气化空间(61)进行减压，使处理液气化成处理气体，其后，经由处理空间(31)对气化空间(61)进行减压，使处理液气化成处理气体，并且将惰性气体供给至气化空间(61)。
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公开(公告)号：TW201541500A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103140794
申请日：2014-11-25
发明人： 金子聡 , KANEKO, SATOSHI , 元松一騎 , MOTOMATSU, KAZUKI , 坂本和紀 , SAKAMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , C25D21/12 , C25D7/12
CPC分类号： C23C18/1675 , C23C18/1619 , C23C18/1664 , C25D21/12 , H01L21/306 , H01L21/68
摘要： 在以與基板之表面溫度不同溫度的處理流體來處理基板時，使基板之溫度的均勻性提升從而良好地進行處理。 在本發明中，係一邊使第1噴嘴(24)從基板(3)之中央部的預定位置(全域處理開始位置P2)朝向基板(3)之外周部的預定位置(全域處理結束位置P5)，往基板(3)之外周側移動，一邊從第1噴嘴(24)朝向基板(3)吐出與基板(3)之表面溫度不同溫度的處理流體，而進行處理基板(3)的基板全域處理，然後，在使第1噴嘴(24)朝向比全域處理開始位置(P2)更往外周側之預定位置(外周域處理開始位置P6)，往基板(3)之內周側移動之後，一邊使第1噴嘴(24)從外周域處理開始位置(P6)朝向基板(3)之外周部的預定位置(外周域處理停止位置P7)，往基板(3)的外周側移動，一邊從第1噴嘴(24)朝向基板(3)吐出處理流體而進行處理基板(3)的基板外周域處理。
简体摘要： 在以与基板之表面温度不同温度的处理流体来处理基板时，使基板之温度的均匀性提升从而良好地进行处理。 在本发明中，系一边使第1喷嘴(24)从基板(3)之中央部的预定位置(全域处理开始位置P2)朝向基板(3)之外周部的预定位置(全域处理结束位置P5)，往基板(3)之外周侧移动，一边从第1喷嘴(24)朝向基板(3)吐出与基板(3)之表面温度不同温度的处理流体，而进行处理基板(3)的基板全域处理，然后，在使第1喷嘴(24)朝向比全域处理开始位置(P2)更往外周侧之预定位置(外周域处理开始位置P6)，往基板(3)之内周侧移动之后，一边使第1喷嘴(24)从外周域处理开始位置(P6)朝向基板(3)之外周部的预定位置(外周域处理停止位置P7)，往基板(3)的外周侧移动，一边从第1喷嘴(24)朝向基板(3)吐出处理流体而进行处理基板(3)的基板外周域处理。
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公开(公告)号：TWI408742B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098106686
申请日：2009-03-02
发明人： 東島治郎 , HIGASHIJIMA, JIRO , 金子聰 , KANEKO, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C08J7/12 , C08J2327/12
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公开(公告)号：TW201724335A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105118576
申请日：2016-06-14
发明人： 金子聡 , KANEKO, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/208
CPC分类号： B05D1/005 , H01L21/6715
摘要： 藉由保持機構所保持的基板不會受損傷或附著有雜質。基板處理裝置(1)，係具備有：旋轉自如之基板處理機構(22)，具有保持面(23)與吸附部(24)；及噴嘴(50)，供給塗佈液(50a)。從噴嘴(50)對保持面(23)周緣部供給塗佈液(50a)，塗佈液乾燥而在保持面(23)上形成有載置晶圓W的環狀塗佈膜(25)。
简体摘要： 借由保持机构所保持的基板不会受损伤或附着有杂质。基板处理设备(1)，系具备有：旋转自如之基板处理机构(22)，具有保持面(23)与吸附部(24)；及喷嘴(50)，供给涂布液(50a)。从喷嘴(50)对保持面(23)周缘部供给涂布液(50a)，涂布液干燥而在保持面(23)上形成有载置晶圆W的环状涂布膜(25)。
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公开(公告)号：TWI517225B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW100142559
申请日：2011-11-21
发明人： 東島治郎 , HIGASHIJIMA, JIRO , 緒方信博 , OGATA, NOBUHIRO , 金子聰 , KANEKO, SATOSHI , 長峰秀一 , NAGAMINE, SHUICHI , 甲斐義廣 , KAI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67051 , H01L21/68728
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公开(公告)号：TW201538789A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103143062
申请日：2014-12-10
发明人： 川口義広 , KAWAGUCHI, YOSHIHIRO , 金子聡 , KANEKO, SATOSHI
IPC分类号： C23C18/31 , H01L21/304
CPC分类号： B05C11/1002 , B05C3/005 , B05C3/02 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1669 , C23C18/1675 , C23C18/168 , Y10T137/0318 , Y10T137/0329
摘要： 達成可將處理基板的處理流體加熱至預定溫 度，而僅以預定流量穩定地進行供給。 在本發明中，係具有：1或複數個基板處 理部(11~18)，以處理流體來處理基板(3)；處理流體供給部(19、20)，將已加熱的處理流體供給至基板處理部(11~18)；及控制部(21)，控制處理流體供給部(19、20)，處理流體供給部(19、20)，係具備有：儲存槽(35)，儲存處理流體；加熱用熱交換器(51)，用於加熱處理流體；及供給流路(52)，用於將處理流體供給至1或複數個基板處理部(11~18)，供給流路(52)，係在比基板處理部(11~18)更往上游側設置繞過加熱用熱交換器(51)的旁通流路(71)，將加熱用熱交換器(51)所加熱的處理流體與從旁通流路(72)供給的處理流體混合，而將處理流體供給至基板處理部(11~18)。
简体摘要： 达成可将处理基板的处理流体加热至预定温 度，而仅以预定流量稳定地进行供给。 在本发明中，系具有：1或复数个基板处 理部(11~18)，以处理流体来处理基板(3)；处理流体供给部(19、20)，将已加热的处理流体供给至基板处理部(11~18)；及控制部(21)，控制处理流体供给部(19、20)，处理流体供给部(19、20)，系具备有：存储槽(35)，存储处理流体；加热用热交换器(51)，用于加热处理流体；及供给流路(52)，用于将处理流体供给至1或复数个基板处理部(11~18)，供给流路(52)，系在比基板处理部(11~18)更往上游侧设置绕过加热用热交换器(51)的旁通流路(71)，将加热用热交换器(51)所加热的处理流体与从旁通流路(72)供给的处理流体混合，而将处理流体供给至基板处理部(11~18)。
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公开(公告)号：TWI394210B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW098118272
申请日：2009-06-02
发明人： 天野嘉文 , AMANO, YOSHIFUMI , 金子聰 , KANEKO, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051
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