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公开(公告)号:TWI681460B
公开(公告)日:2020-01-01
申请号:TW104135319
申请日:2015-10-28
申请人: 日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 浜口仁 , HAMAGUCHI, HITOSHI , 田中健朗 , TANAKA, KENROU , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 栗山敬祐 , KURIYAMA, KEISUKE
IPC分类号: H01L21/33 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/78 , H01L29/786
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公开(公告)号:TWI651593B
公开(公告)日:2019-02-21
申请号:TW104107110
申请日:2015-03-06
申请人: 日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 浜口仁 , HAMAGUCHI, HITOSHI , 田中健朗 , TANAKA, KENROU , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 栗山敬祐 , KURIYAMA, KEISUKE
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公开(公告)号:TW201738989A
公开(公告)日:2017-11-01
申请号:TW106110735
申请日:2017-03-30
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 松本太一 , MATSUMOTO, TAICHI , 渡部和人 , WATANABE, KAZUTO , 森隆 , MORI, TAKASHI , 水野光 , MIZUNO, HIKARU
摘要: 提供在經由臨時固定材料將基材臨時固定在支撐體上的狀態下進行基材的加工、移動處理的方法中,可良好地進行基材在支撐體上的位置對準的方法。一種基材的處理方法,其包含如下步驟:步驟(1),將包含基材及接著層的結構體(I)、與包含支撐體、所述支撐體上的光吸收層及所述光吸收層上的金屬含有層的結構體(II),以接著層與金屬含有層對向的方式加以貼合,形成在積層方向上以如下順序包含基材、接著層、金屬含有層、光吸收層及支撐體的積層體,此處,基於照射測量光而獲得的結構體(II)的位置資訊而進行結構體(I)及結構體(II)的位置對準後,進行所述貼合;步驟(2),對基材進行加工,及/或使積層體移動;步驟(3),對光吸收層照射光;以及步驟(4),自支撐體分離基材。
简体摘要: 提供在经由临时固定材料将基材临时固定在支撑体上的状态下进行基材的加工、移动处理的方法中,可良好地进行基材在支撑体上的位置对准的方法。一种基材的处理方法,其包含如下步骤:步骤(1),将包含基材及接着层的结构体(I)、与包含支撑体、所述支撑体上的光吸收层及所述光吸收层上的金属含有层的结构体(II),以接着层与金属含有层对向的方式加以贴合,形成在积层方向上以如下顺序包含基材、接着层、金属含有层、光吸收层及支撑体的积层体,此处,基于照射测量光而获得的结构体(II)的位置信息而进行结构体(I)及结构体(II)的位置对准后,进行所述贴合;步骤(2),对基材进行加工,及/或使积层体移动;步骤(3),对光吸收层照射光;以及步骤(4),自支撑体分离基材。
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公开(公告)号:TWI512394B
公开(公告)日:2015-12-11
申请号:TW097137931
申请日:2008-10-02
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 神井英行 , KAMII, HIDEYUKI , 槙平勇 , MAKIHIRA, ISAMU , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 長塚富雄 , NAGATSUKA, TOMIO
IPC分类号: G03F7/004 , G02B5/20 , G02F1/1335
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公开(公告)号:TWI459134B
公开(公告)日:2014-11-01
申请号:TW098128944
申请日:2009-08-28
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 荒井雅史 , ARAI, MASASHI , 高見朋宏 , TAKAMI, TOMOHIRO , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 吉澤英徹 , YOSHIZAWA, HIDEYUKI
IPC分类号: G03F7/004 , C09D17/00 , C09B67/46 , G02B5/20 , G02F1/1335
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公开(公告)号:TW201608689A
公开(公告)日:2016-03-01
申请号:TW104127598
申请日:2015-08-25
申请人: JSR 股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 有留功 , ARITOME, ISAO , 栗山敬祐 , KURIYAMA, KEISUKE , 松本太一 , MATSUMOTO, TAICHI , 渡部和人 , WATANABE, KAZUTO , 小林敦 , KOBAYASHI, ATSUSHI , 下田杉郎 , SHIMODA, SUGIROU
IPC分类号: H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号: H01L21/76895 , H01L21/288 , H01L21/486 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本發明提供一種具有三次元配線的電路裝置,其具有導電性良好的三次元配線,容易於比較高的生產性下、且於比較低的製造成本下製造所述三次元配線。於製作上側配線12a與下側配線12b藉由接觸插塞14a而相互電性連接的具有三次元配線的電路裝置1時,構成接觸插塞14a的籽晶層S藉由對含有選自元素週期表的第10族及第11族的金屬的鹽及粒子的至少一者的金屬膜形成用組成物的塗膜進行加熱來形成。
简体摘要: 本发明提供一种具有三次元配线的电路设备,其具有导电性良好的三次元配线,容易于比较高的生产性下、且于比较低的制造成本下制造所述三次元配线。于制作上侧配线12a与下侧配线12b借由接触插塞14a而相互电性连接的具有三次元配线的电路设备1时,构成接触插塞14a的籽晶层S借由对含有选自元素周期表的第10族及第11族的金属的盐及粒子的至少一者的金属膜形成用组成物的涂膜进行加热来形成。
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公开(公告)号:TWI464216B
公开(公告)日:2014-12-11
申请号:TW099119785
申请日:2010-06-18
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 服部清太郎 , HATTORI, SEITAROU , 蓑輪貴樹 , MINOWA, TAKAKI , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 高橋裕 , TAKAHASHI, YUTAKA , 谷本加奈子 , TANIMOTO, KANAKO , 米澤文子 , YONEZAWA, FUMIKO
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公开(公告)号:TW201443169A
公开(公告)日:2014-11-16
申请号:TW103112415
申请日:2014-04-03
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 浜口仁 , HAMAGUCHI, HITOSHI , 田中健朗 , TANAKA, KENROU , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 栗山敬祐 , KURIYAMA, KEISUKE
IPC分类号: C09D11/02
CPC分类号: G03F7/38 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/36 , H05K1/0296 , H05K3/107 , H05K3/1208 , H05K3/287 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/0166
摘要: 本發明提供一種用於抑制膜形成油墨的濡濕擴散、洇滲而形成高精細圖案的具有凹圖案的基材的製造方法,且提供一種用於製造該基材的組成物,並提供一種導電膜的形成方法、電子電路及電子元件。具有凹圖案的基材的製造方法包括以下步驟:於基板1上(i)塗佈含有具有酸解離性基的聚合物及酸產生劑的組成物而形成塗膜2的步驟;以及(ii)對塗膜2的既定部分進行放射線照射的步驟。導電膜的形成方法中,於塗膜2的經曝光的部分中所形成的凹圖案中塗佈導電膜形成油墨,進行加熱,形成圖案6。使用導電膜的形成方法來提供電子電路及電子元件。
简体摘要: 本发明提供一种用于抑制膜形成油墨的濡湿扩散、洇渗而形成高精细图案的具有凹图案的基材的制造方法,且提供一种用于制造该基材的组成物,并提供一种导电膜的形成方法、电子电路及电子组件。具有凹图案的基材的制造方法包括以下步骤:于基板1上(i)涂布含有具有酸解离性基的聚合物及酸产生剂的组成物而形成涂膜2的步骤;以及(ii)对涂膜2的既定部分进行放射线照射的步骤。导电膜的形成方法中,于涂膜2的经曝光的部分中所形成的凹图案中涂布导电膜形成油墨,进行加热,形成图案6。使用导电膜的形成方法来提供电子电路及电子组件。
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公开(公告)号:TWI600793B
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW103106162
申请日:2014-02-25
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 下田杉郎 , SHIMODA, SUGIROU , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 有留功 , ARITOME, ISAO , 渡部和人 , WATANABE, KAZUTO , 田中健朗 , TANAKA, KENROU
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公开(公告)号:TWI542948B
公开(公告)日:2016-07-21
申请号:TW101110957
申请日:2012-03-29
申请人: JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人: 竹村彰浩 , TAKEMURA, AKIHIRO , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU
IPC分类号: G03F7/004 , G03F7/20 , G02B5/20 , G02F1/1335
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