基材的處理方法及半導體裝置的製造方法
    3.
    发明专利
    基材的處理方法及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    基材的处理方法及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW201738989A

    公开(公告)日:2017-11-01

    申请号:TW106110735

    申请日:2017-03-30

    IPC分类号: H01L21/67 H01L23/28

    摘要: 提供在經由臨時固定材料將基材臨時固定在支撐體上的狀態下進行基材的加工、移動處理的方法中,可良好地進行基材在支撐體上的位置對準的方法。一種基材的處理方法,其包含如下步驟:步驟(1),將包含基材及接著層的結構體(I)、與包含支撐體、所述支撐體上的光吸收層及所述光吸收層上的金屬含有層的結構體(II),以接著層與金屬含有層對向的方式加以貼合,形成在積層方向上以如下順序包含基材、接著層、金屬含有層、光吸收層及支撐體的積層體,此處,基於照射測量光而獲得的結構體(II)的位置資訊而進行結構體(I)及結構體(II)的位置對準後,進行所述貼合;步驟(2),對基材進行加工,及/或使積層體移動;步驟(3),對光吸收層照射光;以及步驟(4),自支撐體分離基材。

    简体摘要: 提供在经由临时固定材料将基材临时固定在支撑体上的状态下进行基材的加工、移动处理的方法中,可良好地进行基材在支撑体上的位置对准的方法。一种基材的处理方法,其包含如下步骤:步骤(1),将包含基材及接着层的结构体(I)、与包含支撑体、所述支撑体上的光吸收层及所述光吸收层上的金属含有层的结构体(II),以接着层与金属含有层对向的方式加以贴合,形成在积层方向上以如下顺序包含基材、接着层、金属含有层、光吸收层及支撑体的积层体,此处,基于照射测量光而获得的结构体(II)的位置信息而进行结构体(I)及结构体(II)的位置对准后,进行所述贴合;步骤(2),对基材进行加工,及/或使积层体移动;步骤(3),对光吸收层照射光;以及步骤(4),自支撑体分离基材。

    具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件
    8.
    发明专利
    具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件 审中-公开
    具有凹图案的基材的制造方法、组成物、导电膜的形成方法、电子电路及电子组件

    公开(公告)号:TW201443169A

    公开(公告)日:2014-11-16

    申请号:TW103112415

    申请日:2014-04-03

    IPC分类号: C09D11/02

    摘要: 本發明提供一種用於抑制膜形成油墨的濡濕擴散、洇滲而形成高精細圖案的具有凹圖案的基材的製造方法,且提供一種用於製造該基材的組成物,並提供一種導電膜的形成方法、電子電路及電子元件。具有凹圖案的基材的製造方法包括以下步驟:於基板1上(i)塗佈含有具有酸解離性基的聚合物及酸產生劑的組成物而形成塗膜2的步驟;以及(ii)對塗膜2的既定部分進行放射線照射的步驟。導電膜的形成方法中,於塗膜2的經曝光的部分中所形成的凹圖案中塗佈導電膜形成油墨,進行加熱,形成圖案6。使用導電膜的形成方法來提供電子電路及電子元件。

    简体摘要: 本发明提供一种用于抑制膜形成油墨的濡湿扩散、洇渗而形成高精细图案的具有凹图案的基材的制造方法,且提供一种用于制造该基材的组成物,并提供一种导电膜的形成方法、电子电路及电子组件。具有凹图案的基材的制造方法包括以下步骤:于基板1上(i)涂布含有具有酸解离性基的聚合物及酸产生剂的组成物而形成涂膜2的步骤;以及(ii)对涂膜2的既定部分进行放射线照射的步骤。导电膜的形成方法中,于涂膜2的经曝光的部分中所形成的凹图案中涂布导电膜形成油墨,进行加热,形成图案6。使用导电膜的形成方法来提供电子电路及电子组件。