公开(公告)号：TW578225B

公开(公告)日：2004-03-01

申请号：TW091116567

申请日：2002-07-25

申请人： 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.

发明人： 田丸剛 TSUYOSHI TAMARU ,  大森一稔 KAZUTOSHI OHMORI ,  三浦典子 ,  青木英雄 ,  大島隆文

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係一種半導體積體電路裝置及其製造方法，在包含SiOF膜的層間絕緣膜以金屬鑲嵌(Damascene)法形成埋入配線之半導體積體電路裝置中，防止形成埋入配線用的配線溝時所用的蝕刻擋止(etching stopper)層和SiOF膜之界面剝離。
其解決方法係，在將包含SiOF膜26、29的層間絕緣膜乾式蝕刻形成的配線溝32內部，以金屬鑲嵌法埋入Cu配線33時，使氮氧化矽膜27介置在構成上述乾式蝕刻之蝕刻擋止層的氮化矽膜28和SiOF膜26之間，上用氮氧化矽膜27捕集 SiOF膜26中產生的游離F。

简体摘要： 本发明系一种半导体集成电路设备及其制造方法，在包含SiOF膜的层间绝缘膜以金属镶嵌(Damascene)法形成埋入配线之半导体集成电路设备中，防止形成埋入配线用的配线沟时所用的蚀刻挡止(etching stopper)层和SiOF膜之界面剥离。 其解决方法系，在将包含SiOF膜26、29的层间绝缘膜干式蚀刻形成的配线沟32内部，以金属镶嵌法埋入Cu配线33时，使氮氧化硅膜27介置在构成上述干式蚀刻之蚀刻挡止层的氮化硅膜28和SiOF膜26之间，上用氮氧化硅膜27捕集 SiOF膜26中产生的游离F。

公开(公告)号：TW201517263A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW103121352

申请日：2014-06-20

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 三好智之 ,  MIYOSHI, TOMOYUKI ,  大島隆文 ,  OOSHIMA, TAKAYUKI ,  柳田洋平 ,  YANAGIDA, YOUHEI

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816

摘要： 本發明的課題是在於提供一種在可與微細CMOSFET，LDMOSFET混載的橫型雙極電晶體中，不易受製造偏差的影響，具有高增益的電晶體構造，製造方法。 被揭示的橫型雙極電晶體是以具有對於閘極電極藉由自我整合地雜質植入，擴散來形成基極及射極層的製造工程及構造的點作為特徴。而且，將閘極電極附加於基極，射極，集極，作為獨立的第4個的端子利用之下，藉由賦予的閘極電位，可控制提升hfe作為特徴。由以上可提供一種不易受製造偏差的影響，或，可藉由閘極端子修正之具有高增益的雙極電晶體。

简体摘要： 本发明的课题是在于提供一种在可与微细CMOSFET，LDMOSFET混载的横型双极晶体管中，不易受制造偏差的影响，具有高增益的晶体管构造，制造方法。 被揭示的横型双极晶体管是以具有对于闸极电极借由自我集成地杂质植入，扩散来形成基极及射极层的制造工程及构造的点作为特徴。而且，将闸极电极附加于基极，射极，集极，作为独立的第4个的端子利用之下，借由赋予的闸极电位，可控制提升hfe作为特徴。由以上可提供一种不易受制造偏差的影响，或，可借由闸极端子修正之具有高增益的双极晶体管。

公开(公告)号：TW201519408A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103126567

申请日：2014-08-04

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 木村浩樹 ,  KIMURA, HIROKI ,  柳田洋平 ,  YANAGIDA, YOUHEI ,  宮越賢治 ,  MIYAKOSHI, KENJI ,  三好智之 ,  MIYOSHI, TOMOYUKI ,  大島隆文 ,  OOSHIMA, TAKAYUKI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本發明的課題是在於提升靜電保護元件的ESD耐量。 其解決手段，基本思想的本質是作為靜電保護元件ESD，以能夠與二極體並聯的方式，不是閘流體或npn雙極電晶體，而是以能夠含pnp雙極電晶體的方式構成的點。換言之，基本思想的本質是亦可謂由pnp雙極電晶體所寄生性設置的二極體來構成靜電保護元件ESD的點。

简体摘要： 本发明的课题是在于提升静电保护组件的ESD耐量。 其解决手段，基本思想的本质是作为静电保护组件ESD，以能够与二极管并联的方式，不是晶闸管或npn双极晶体管，而是以能够含pnp双极晶体管的方式构成的点。换言之，基本思想的本质是亦可谓由pnp双极晶体管所寄生性设置的二极管来构成静电保护组件ESD的点。

公开(公告)号：TWI387049B

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：TW095142475

申请日：2006-11-16

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 林寬之 ,  HAYASHI, HIROYUKI ,  大島隆文 ,  OSHIMA, TAKAYUKI ,  青木英雄 ,  AOKI, HIDEO

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW541657B

公开(公告)日：2003-07-11

申请号：TW090128124

申请日：2001-11-13

申请人： 日立製作所股份有限公司

发明人： 大島隆文 ,  宮崎博史 ,  青木英雄 ,  大森一稔

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種可提高雙道金屬鑲嵌配線之耐熱性及耐電性遷移性的技術。本發明係與構成包圍配線溝27之絕緣膜25之絕緣材料具有之楊氏模量比較，以具有相對性較小之楊氏模量的絕緣材料構成包圍用於連接第二配線層之配線21與第三配線層之配線28之連接孔26的層間絕緣膜23。

简体摘要： 本发明提供一种可提高双道金属镶嵌配线之耐热性及耐电性迁移性的技术。本发明系与构成包围配线沟27之绝缘膜25之绝缘材料具有之杨氏模量比较，以具有相对性较小之杨氏模量的绝缘材料构成包围用于连接第二配线层之配线21与第三配线层之配线28之连接孔26的层间绝缘膜23。