公开(公告)号：TW201807802A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106127980

申请日：2017-08-17

申请人： 萬國半導體(開曼)股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR (CAYMAN) LTD.

发明人： 瑪力卡勒強斯瓦密 雪克 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR

IPC分类号： H01L23/60 ,  H02H9/00

CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/60 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/735 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012

摘要： 在一個公共晶片上的金屬氧化物半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下簡稱MOSFET)和靜電放電（Electrostatic Discharge,以下簡稱ESD）保護裝置，包括一個帶有源極、閘極和汲極的MOSFET，以及一個ESD保護裝置，用於實現二極管功能，偏置後防止電流通過公共晶片從源極流至汲極。

简体摘要： 在一个公共芯片上的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下简称MOSFET)和静电放电（Electrostatic Discharge,以下简称ESD）保护设备，包括一个带有源极、闸极和汲极的MOSFET，以及一个ESD保护设备，用于实现二极管功能，偏置后防止电流通过公共芯片从源极流至汲极。

公开(公告)号：TW201621332A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104114029

申请日：2015-05-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 聖納波堤 畢斯華納斯 ,  SENAPATI, BISWANATH ,  辛格 杰高爾 ,  SINGH, JAGAR

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/735 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

摘要： 提供一種對稱側向雙載子接面電晶體(SLBJT)。該SLBJT包含p型半導體基板、n型阱、位於該n型阱中的SLBJT之射極、位於該n型阱中且在該基極之一側與該射極以一距離隔開的SLBJT之基極、位於該n型阱中且在該基極之另一側與該基極以該距離隔開的SLBJT集極，以及通到在該n型阱外之該基板的電氣連線。該SLBJT係藉由使該SLBJT電氣耦合至該測試電晶體的閘極、施加電壓至該閘極、以及特徵化該測試電晶體在該施加電壓下的一或數個態樣，從而用來特徵化電路中的電晶體。該SLBJT保護該閘極以免該閘極介電質受損。

简体摘要： 提供一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含p型半导体基板、n型阱、位于该n型阱中的SLBJT之射极、位于该n型阱中且在该基极之一侧与该射极以一距离隔开的SLBJT之基极、位于该n型阱中且在该基极之另一侧与该基极以该距离隔开的SLBJT集极，以及通到在该n型阱外之该基板的电气连接。该SLBJT系借由使该SLBJT电气耦合至该测试晶体管的闸极、施加电压至该闸极、以及特征化该测试晶体管在该施加电压下的一或数个态样，从而用来特征化电路中的晶体管。该SLBJT保护该闸极以免该闸极介电质受损。

公开(公告)号：TWI505442B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW102110426

申请日：2008-12-19

申请人： 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

发明人： 馬可 可利奇克 ,  MARKO, KORICIC ,  湯米斯拉夫 蘇黎高吉 ,  TOMISLAV, SULIGOJ ,  望月秀則 ,  MOCHIZUKI, HIDENORI ,  森田宗一 ,  MORITA, SOICHI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

公开(公告)号：TW201739034A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105113040

申请日：2016-04-27

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 曾元亨 ,  TSENG, YUAN-HENG

IPC分类号： H01L27/082

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/423

摘要： 一種雙載子接面電晶體佈局結構，包含有一第一射極，該第一射極包含有一對第一側邊與一對第二側邊，且該等第一側邊垂直於該等第二側邊。該BJT佈局結構尚包含有一對設置於該第一射極之該等第一側邊之集極，且該第一電極設置於該對集極之間，以及一對設置於該第一射極之該等第二側邊之基極，且該第一電極設置於該對基極之間。

简体摘要： 一种双载子接面晶体管布局结构，包含有一第一射极，该第一射极包含有一对第一侧边与一对第二侧边，且该等第一侧边垂直于该等第二侧边。该BJT布局结构尚包含有一对设置于该第一射极之该等第一侧边之集极，且该第一电极设置于该对集极之间，以及一对设置于该第一射极之该等第二侧边之基极，且该第一电极设置于该对基极之间。

公开(公告)号：TW201631739A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105105573

申请日：2016-02-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 秀明土子 ,  HIDEAKI, TSUCHIKO ,  雷 燮光 ,  LUI, SIK

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/808

摘要： 本發明提出了一種半導體元件，該半導體元件包括P-型半導體基板、在半導體基板上方的N-型阱、在N-型阱中被一個或複數個P-型隔離結構隔開的P型區、以及在P-型區下方被隔離結構隔開的N-型穿通阻擋層。與N-型阱相比，穿通阻擋層重摻雜。P-型區在兩個隔離結構之間的寬度等於或小於N-型穿通阻擋層的寬度。

简体摘要： 本发明提出了一种半导体组件，该半导体组件包括P-型半导体基板、在半导体基板上方的N-型阱、在N-型阱中被一个或复数个P-型隔离结构隔开的P型区、以及在P-型区下方被隔离结构隔开的N-型穿通阻挡层。与N-型阱相比，穿通阻挡层重掺杂。P-型区在两个隔离结构之间的宽度等于或小于N-型穿通阻挡层的宽度。

公开(公告)号：TWI446537B

公开(公告)日：2014-07-21

申请号：TW100102966

申请日：2011-01-26

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 羅卻特 蓋瑞H ,  LOECHELT, GARY H. ,  葛利夫納 高登M ,  GRIVNA, GORDON M. ,  德貝爾 彼得J ,  ZDEBEL, PETER J.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66696 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/743 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI436482B

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW100102953

申请日：2011-01-26

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 羅卻特 蓋瑞H ,  LOECHELT, GARY H. ,  葛利夫納 高登M ,  GRIVNA, GORDON M.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/743 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TW201314886A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101134759

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克 瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR ,  弗蘭茨娃 赫爾伯特 ,  HÉBERT, FRANÇOIS

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7835

摘要： 本發明涉及一種帶有多個外延層的橫向PNP雙極電晶體，具體是指利用相同導電類型的多外延層，製備帶有深發射極和深集電極區的橫向雙極電晶體。無需使用溝槽，就能製備深發射極和深集電極區。在每個外延層中，製備垂直對準的擴散區，使擴散區在退火後，合併到連續的擴散區中，作為發射極或集電極或隔離結構。在另一個實施例中，利用溝槽發射極和溝槽集電極區，製備橫向溝槽PNP雙極電晶體。在另一個實施例中，製備合併了LDMOS電晶體的橫向PNP雙極電晶體，以獲得高性能。

简体摘要： 本发明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极晶体管，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极晶体管。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极晶体管。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS晶体管的横向PNP双极晶体管，以获得高性能。

公开(公告)号：TW200945550A

公开(公告)日：2009-11-01

申请号：TW097149884

申请日：2008-12-19

申请人： 旭化成電子材料元件股份有限公司

发明人： 馬可 可利奇克 ,  湯米斯拉夫 蘇黎高吉 ,  望月秀則 ,  森田宗一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

摘要： 本發明係提供一種適於高性能橫向電晶體(HCBT)與CMOS電晶體之混載(BiCMOS)的橫向電晶體之構成及其製造方法。本發明之半導體裝置混載有HCBT100與CMOS電晶體200，HCBT100包含：開放區域21，其係藉由蝕刻包圍n-hill層11之元件分離氧化膜6而開口；多晶矽膜之射極電極31A、集極電極31B，其等係形成於開放區域21內，且具有使藉由元件分離氧化膜之蝕刻而露出之n-hill層11露出之厚度；及極薄氧化膜24，其係覆蓋n-hill層11之至少一部分。極薄氧化膜24產生作為保護膜之功能，該保護膜係於多晶矽膜被蝕刻成為射極電極31A、集極電極31B時，防止n-hill層11受到蝕刻。

简体摘要： 本发明系提供一种适于高性能横向晶体管(HCBT)与CMOS晶体管之混载(BiCMOS)的横向晶体管之构成及其制造方法。本发明之半导体设备混载有HCBT100与CMOS晶体管200，HCBT100包含：开放区域21，其系借由蚀刻包围n-hill层11之组件分离氧化膜6而开口；多晶硅膜之射极电极31A、集极电极31B，其等系形成于开放区域21内，且具有使借由组件分离氧化膜之蚀刻而露出之n-hill层11露出之厚度；及极薄氧化膜24，其系覆盖n-hill层11之至少一部分。极薄氧化膜24产生作为保护膜之功能，该保护膜系于多晶硅膜被蚀刻成为射极电极31A、集极电极31B时，防止n-hill层11受到蚀刻。

公开(公告)号：TW200527545A

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：TW093138446

申请日：2004-12-10

申请人： 三墾電氣股份有限公司 SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 岩淵昭夫 IWABUCHI, AKIO ,  松本繁 MATSUMOTO, SHIGERU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1008

摘要： 本發明之半導體元件(1)之基極區域(13)具有射極區域(14)、集極區域(15)、基極接觸區域(16)及電流抑制區域(17)。集極區域(15)以與射極區域(14)離間同時包圍射極區域(14)之方式形成。電流抑制區域(17)以覆蓋射極區域(14)之底面之方式形成於射極區域(14)之下方。電流抑制區域(17)有N型之導電性，具有較基極區域(13)高之雜質濃度，抑制由射極區域(14)之底面部流向集極區域(15)之電流。

简体摘要： 本发明之半导体组件(1)之基极区域(13)具有射极区域(14)、集极区域(15)、基极接触区域(16)及电流抑制区域(17)。集极区域(15)以与射极区域(14)离间同时包围射极区域(14)之方式形成。电流抑制区域(17)以覆盖射极区域(14)之底面之方式形成于射极区域(14)之下方。电流抑制区域(17)有N型之导电性，具有较基极区域(13)高之杂质浓度，抑制由射极区域(14)之底面部流向集极区域(15)之电流。