公开(公告)号：TWI505442B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW102110426

申请日：2008-12-19

申请人： 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

发明人： 馬可 可利奇克 ,  MARKO, KORICIC ,  湯米斯拉夫 蘇黎高吉 ,  TOMISLAV, SULIGOJ ,  望月秀則 ,  MOCHIZUKI, HIDENORI ,  森田宗一 ,  MORITA, SOICHI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

公开(公告)号：TW201330225A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW102110426

申请日：2008-12-19

申请人： 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

发明人： 馬可 可利奇克 ,  MARKO, KORICIC ,  湯米斯拉夫 蘇黎高吉 ,  TOMISLAV, SULIGOJ ,  望月秀則 ,  MOCHIZUKI, HIDENORI ,  森田宗一 ,  MORITA, SOICHI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

摘要： 本發明係提供一種適於高性能橫向電晶體(HCBT)與CMOS電晶體之混載(BiCMOS)的橫向電晶體之構成及其製造方法。本發明之半導體裝置混載有HCBT100與CMOS電晶體200，HCBT100包含：開放區域21，其係藉由蝕刻包圍n-hill層11之元件分離氧化膜6而開口；多晶矽膜之射極電極31A、集極電極31B，其等係形成於開放區域21內，且具有使藉由元件分離氧化膜之蝕刻而露出之n-hill層11露出之厚度；及極薄氧化膜24，其係覆蓋n-hill層11之至少一部分。極薄氧化膜24產生作為保護膜之功能，該保護膜係於多晶矽膜被蝕刻成為射極電極31A、集極電極31B時，防止n-hill層11受到蝕刻。

简体摘要： 本发明系提供一种适于高性能横向晶体管(HCBT)与CMOS晶体管之混载(BiCMOS)的横向晶体管之构成及其制造方法。本发明之半导体设备混载有HCBT100与CMOS晶体管200，HCBT100包含：开放区域21，其系借由蚀刻包围n-hill层11之组件分离氧化膜6而开口；多晶硅膜之射极电极31A、集极电极31B，其等系形成于开放区域21内，且具有使借由组件分离氧化膜之蚀刻而露出之n-hill层11露出之厚度；及极薄氧化膜24，其系覆盖n-hill层11之至少一部分。极薄氧化膜24产生作为保护膜之功能，该保护膜系于多晶硅膜被蚀刻成为射极电极31A、集极电极31B时，防止n-hill层11受到蚀刻。