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公开(公告)号：TWI572580B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102121853
申请日：2013-06-19
发明人： 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
IPC分类号： C04B35/101 , C23C14/24 , H01B1/08 , C01F11/02
CPC分类号： H01J37/3426 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B37/021 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/50 , C23C14/3414 , H01B1/08
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公开(公告)号：TWI540100B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW101116967
申请日：2012-05-11
发明人： 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
IPC分类号： C01F7/16
CPC分类号： C01F7/164 , C01B32/914 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/77 , H01B1/08
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公开(公告)号：TW201425268A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102135202
申请日：2013-09-27
发明人： 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/101 , C01F11/22 , C01F7/02 , C23C14/24 , H01B1/08 , C04B111/94
CPC分类号： C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/6587 , C04B2235/664
摘要： 本發明係一種導電性鈣鋁石化合物之製造方法，其特徵在於包括：(a)準備被處理體之步驟，且上述被處理體包含鈣鋁石化合物或鈣鋁石化合物之前驅物；及(b)於包含鋁化合物及一氧化碳(CO)氣體之還原性氛圍中，於1080℃~1450℃之範圍內對上述被處理體進行熱處理的步驟，且上述鋁化合物係於上述被處理體之熱處理中放出氧化鋁氣體的化合物。
简体摘要： 本发明系一种导电性钙铝石化合物之制造方法，其特征在于包括：(a)准备被处理体之步骤，且上述被处理体包含钙铝石化合物或钙铝石化合物之前驱物；及(b)于包含铝化合物及一氧化碳(CO)气体之还原性氛围中，于1080℃~1450℃之范围内对上述被处理体进行热处理的步骤，且上述铝化合物系于上述被处理体之热处理中放出氧化铝气体的化合物。
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公开(公告)号：TW201302615A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101116966
申请日：2012-05-11
发明人： 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
CPC分类号： H01J9/025 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/5436 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6587
摘要： 本發明之製造方法之特徵在於：其係含有導電性鈣鋁石化合物之電極之製造方法，且包括：(1)準備鈣鋁石化合物之粉末之步驟；及(2)於還原性之反應環境中煅燒含有上述鈣鋁石化合物之粉末之被處理體，而獲得含有導電性鈣鋁石化合物之電極的步驟；上述(2)之步驟係於遮蔽最終所獲得之含有導電性鈣鋁石化合物之電極中用於放電之部分，使其免受上述反應環境影響的狀態下實施。
简体摘要： 本发明之制造方法之特征在于：其系含有导电性钙铝石化合物之电极之制造方法，且包括：(1)准备钙铝石化合物之粉末之步骤；及(2)于还原性之反应环境中煅烧含有上述钙铝石化合物之粉末之被处理体，而获得含有导电性钙铝石化合物之电极的步骤；上述(2)之步骤系于屏蔽最终所获得之含有导电性钙铝石化合物之电极中用于放电之部分，使其免受上述反应环境影响的状态下实施。
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公开(公告)号：TWI615376B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW102135203
申请日：2013-09-27
发明人： 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/101 , C01F11/22 , C01F7/02 , C23C14/24 , H01B1/08 , C04B111/94
CPC分类号： C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/445 , C04B2235/46 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , H01B1/08
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公开(公告)号：TW201618121A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104131030
申请日：2015-09-18
发明人： 細野秀雄 , HOSONO, HIDEO , 戶田喜丈 , TODA, YOSHITAKE , 渡邉暁 , WATANABE, SATORU , 渡邉俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 中村伸宏 , NAKAMURA, NOBUHIRO
CPC分类号： H01L51/4233 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/352 , H01J37/3429 , H01L31/0324 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2031/0344 , H01L2251/303 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本發明係一種金屬氧化物之薄膜，其中上述薄膜包含鋅(Zn)、錫(Sn)、矽(Si)及氧(O)，並且以氧化物換算計，SnO2相對於上述薄膜之氧化物之合計100mol%為超過15mol%、且為95mol%以下。
简体摘要： 本发明系一种金属氧化物之薄膜，其中上述薄膜包含锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)及氧(O)，并且以氧化物换算计，SnO2相对于上述薄膜之氧化物之合计100mol%为超过15mol%、且为95mol%以下。
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公开(公告)号：TW201507160A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103118675
申请日：2014-05-28
发明人： 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 伊藤和弘 , ITOH, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 光井彰 , MITSUI, AKIRA
CPC分类号： C23C14/3457 , C23C14/08 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要： 本發明係一種半導體裝置，其特徵在於：其係具有源極電極、汲極電極、閘極電極及半導體層者，並且於上述源極電極及上述汲極電極之一者或兩者與上述半導體層之間，具有包含鈣原子及鋁原子之非晶質氧化物之電子鹽(electride)之薄膜。
简体摘要： 本发明系一种半导体设备，其特征在于：其系具有源极电极、汲极电极、闸极电极及半导体层者，并且于上述源极电极及上述汲极电极之一者或两者与上述半导体层之间，具有包含钙原子及铝原子之非晶质氧化物之电子盐(electride)之薄膜。
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公开(公告)号：TWI452602B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098117875
申请日：2009-05-27
发明人： 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 伊藤和弘 , ITOH, KAZUHIRO , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 渡邊一成 , WATANABE, KAZUNARI , 伊藤節郎 , ITO, SETSURO
CPC分类号： H01J61/35 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , H01J65/046
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公开(公告)号：TWI436948B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098133225
申请日：2009-09-30
发明人： 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 渡邊一成 , WATANABE, KAZUNARI , 伊藤節郎 , ITO, SETSURO
IPC分类号： C01F11/00 , C01F7/16 , C04B35/44 , C04B35/622 , H01B1/08
CPC分类号： C01F7/164 , C01P2004/61 , C01P2006/40
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公开(公告)号：TW201407849A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102121850
申请日：2013-06-19
发明人： 細野秀雄 , HOSONO, HIDEO , 戶田喜丈 , TODA, YOSHITAKE , 伊藤節郎 , ITO, SETSURO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI
CPC分类号： H01L51/5012 , H01B1/08 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/56
摘要： 本發明係一種有機電致發光元件，其特徵在於：其依序具有陽極、發光層、及陰極，於上述發光層與上述陰極之間配置有電子注入層，該電子注入層含有非晶質C12A7電子鹽(electride)。
简体摘要： 本发明系一种有机电致发光组件，其特征在于：其依序具有阳极、发光层、及阴极，于上述发光层与上述阴极之间配置有电子注入层，该电子注入层含有非晶质C12A7电子盐(electride)。
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