公开(公告)号：TWI618686B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW104137236

申请日：2015-11-11

申请人： 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 阿部直晃 ,  ABE, NAOAKI ,  松永達也 ,  MATSUNAGA, TATSUYA

IPC分类号： C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  H01C7/02

公开(公告)号：TWI615376B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW102135203

申请日：2013-09-27

申请人： 旭硝子股份有限公司 ,  ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED

发明人： 伊藤和弘 ,  ITO, KAZUHIRO ,  渡邊曉 ,  WATANABE, SATORU ,  渡邊俊成 ,  WATANABE, TOSHINARI ,  宮川直通 ,  MIYAKAWA, NAOMICHI

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/101 ,  C01F11/22 ,  C01F7/02 ,  C23C14/24 ,  H01B1/08 ,  C04B111/94

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C01F7/002 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  H01B1/08

公开(公告)号：TW201801101A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105141592

申请日：2016-12-15

申请人： EPCOS AG集團股份公司 ,  EPCOS AG

发明人： 葛努畢奇爾 何馬恩 ,  史奇維葛爾 曼瑞德 ,  SCHWEINZGER, MANFRED ,  瑞嫩爾 法蘭司 ,  RINNER, FRANZ

IPC分类号： H01C7/04

CPC分类号： H01C7/045 ,  C04B35/016 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77

摘要： 本發明係關於一個NTC-陶瓷用於限制湧流電流的電子元件(10)，NTC-陶瓷在溫度25℃和/或室溫時有一個mΩ-範圍的電阻。本發明進一步係關於一個電子元件(10)，電子元件(10)的製程及具至少一個電子元件(10)的系統(200)。

简体摘要： 本发明系关于一个NTC-陶瓷用于限制涌流电流的电子组件(10)，NTC-陶瓷在温度25℃和/或室温时有一个mΩ-范围的电阻。本发明进一步系关于一个电子组件(10)，电子组件(10)的制程及具至少一个电子组件(10)的系统(200)。

公开(公告)号：TW201741268A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106102980

申请日：2017-01-25

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 田中恵多 ,  TANAKA, KEITA

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/505 ,  B28B3/02 ,  C04B35/50 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/667 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  G02B1/02

摘要： 本發明提供源自氣泡之缺陷少的透明燒結體。 一種陶瓷成型品之製造方法，其至少包含使鬆散容積密度(loose bulk density)與振實容積密度(tapped bulk density)之商之值即豪斯納比(Hausner ratio)超過1.0且1.2以下之陶瓷顆粒進行加壓成形之步驟。且係一種透明燒結體之製造方法，其至少包含用以獲得陶瓷成型品之上述製造方法之各步驟、及使所得前述陶瓷成型品加熱並燒結而獲得透明燒結體之步驟，前述透明燒結體於600nm以上且2000nm以下之波長且源自元素之特性吸收以外之波長中係78%以上之直線透過率。

简体摘要： 本发明提供源自气泡之缺陷少的透明烧结体。 一种陶瓷成型品之制造方法，其至少包含使松散容积密度(loose bulk density)与振实容积密度(tapped bulk density)之商之值即豪斯纳比(Hausner ratio)超过1.0且1.2以下之陶瓷颗粒进行加压成形之步骤。且系一种透明烧结体之制造方法，其至少包含用以获得陶瓷成型品之上述制造方法之各步骤、及使所得前述陶瓷成型品加热并烧结而获得透明烧结体之步骤，前述透明烧结体于600nm以上且2000nm以下之波长且源自元素之特性吸收以外之波长中系78%以上之直线透过率。

公开(公告)号：TWI588296B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW103108414

申请日：2014-03-11

申请人： 福吉米股份有限公司 ,  FUJIMI INCORPORATED

发明人： 北村順也 ,  KITAMURA, JUNYA ,  佐藤和人 ,  SATO, KAZUTO ,  都築一志 ,  TSUZUKI, KAZUYUKI

IPC分类号： C23C4/10

CPC分类号： C04B35/62222 ,  C04B35/111 ,  C04B35/18 ,  C04B35/486 ,  C04B35/505 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62886 ,  C04B35/62892 ,  C04B35/66 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C4/134

公开(公告)号：TWI573775B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW104123019

申请日：2015-07-16

申请人： 國立臺北科技大學

发明人： 王錫福 ,  張峻維 ,  翁爵威 ,  李建樺 ,  賴元正

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/49 ,  C04B35/78 ,  H01G4/12

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/95 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

公开(公告)号：TW201546831A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104110055

申请日：2015-03-27

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 土井利浩 ,  DOI, TOSHIHIRO ,  桜井英章 ,  SAKURAI, HIDEAKI ,  曽山信幸 ,  SOYAMA, NOBUYUKI

IPC分类号： H01B3/12 ,  H01L41/18 ,  C01G25/02

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/74 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/318

摘要： 使用於由摻雜Mn之複合金屬氧化物所構成之PZT系壓電體膜之形成的組成物，含有包含構成前述複合金屬氧化物之各金屬原子的PZT系前驅物、二醇、與聚乙烯基吡咯啶酮，將前述組成物中之金屬原子比表示為Pb：Mn：Zr：Ti時，係以Pb滿足1.00~1.20、Mn滿足0.002以上且未達0.05、Zr滿足0.40~0.55、Ti滿足0.45~0.60，且前述Zr與前述Ti之金屬原子比的合計比例成為1之比例，含有前述PZT系前驅物。

简体摘要： 使用于由掺杂Mn之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜之形成的组成物，含有包含构成前述复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇、与聚乙烯基吡咯啶酮，将前述组成物中之金属原子比表示为Pb：Mn：Zr：Ti时，系以Pb满足1.00~1.20、Mn满足0.002以上且未达0.05、Zr满足0.40~0.55、Ti满足0.45~0.60，且前述Zr与前述Ti之金属原子比的合计比例成为1之比例，含有前述PZT系前驱物。

公开(公告)号：TW201533005A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103145552

申请日：2014-12-25

申请人： 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： 笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  井上一吉 ,  INOUE, KAZUYOSHI ,  江端一晃 ,  EBATA, KAZUAKI ,  柴田雅敏 ,  SHIBATA, MASATOSHI ,  宇都野太 ,  UTSUNO, FUTOSHI ,  霍間勇輝 ,  TSURUMA, YUKI ,  石原悠 ,  ISHIHARA, YU

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明係一種氧化物燒結體，其包含含有In2O3之方鐵錳礦相、及A3B5O12相(式中，A為選自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所組成之群中之一種以上之元素，B為選自由Al及Ga所組成之群中之一種以上之元素)。

简体摘要： 本发明系一种氧化物烧结体，其包含含有In2O3之方铁锰矿相、及A3B5O12相(式中，A为选自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之群中之一种以上之元素，B为选自由Al及Ga所组成之群中之一种以上之元素)。

公开(公告)号：TWI494451B

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW102120342

申请日：2007-06-08

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 張守斌 ,  ZHANG, SHOUBIN ,  佐佐木勇人 ,  SASAKI, HAYATO ,  小見山昌三 ,  KOMIYAMA, SYOZOU ,  三島昭史 ,  MISHIMA, AKIFUMI

IPC分类号： C23C14/06 ,  G11B7/254

CPC分类号： C04B35/488 ,  C04B35/119 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/4885 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2578 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

公开(公告)号：TWI485122B

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：TW098105396

申请日：2009-02-20

申请人： 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

发明人： 島田武司 ,  SHIMADA, TAKESHI ,  猪野健太郎 ,  INO, KENTARO ,  木田年紀 ,  KIDA, TOSHIKI

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  H01L37/00

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/46 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/663 ,  H01C17/06533