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公开(公告)号：TWI577010B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105115306
申请日：2016-05-18
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU-KUANG
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L29/407 , H01L29/435 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7813
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公开(公告)号：TWI643253B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107101872
申请日：2016-05-18
发明人： 劉莒光 , LIU,CHU-KUANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232
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公开(公告)号：TWI615889B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105115311
申请日：2016-05-18
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU-KUANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/0217 , H01L21/02208 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/265 , H01L21/31144 , H01L29/66484 , H01L29/66666 , H01L29/66734
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公开(公告)号：TW201742124A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105115311
申请日：2016-05-18
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU-KUANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/0217 , H01L21/02208 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/265 , H01L21/31144 , H01L29/66484 , H01L29/66666 , H01L29/66734
摘要： 一種功率金氧半導體場效電晶體的製造方法，包括於基板上形成半導體層，於半導體層中形成至少一第一溝渠，於溝渠的表面形成熱氧化物層，於第一溝渠內形成第一閘極，於第一溝渠內的第一閘極上形成CVD氧化物層，於第一溝渠內的CVD氧化物層上形成罩幕層，而使罩幕層與熱氧化物層之間形成有第二溝渠，再於第二溝渠內形成第二閘極。
简体摘要： 一种功率金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括于基板上形成半导体层，于半导体层中形成至少一第一沟渠，于沟渠的表面形成热氧化物层，于第一沟渠内形成第一闸极，于第一沟渠内的第一闸极上形成CVD氧化物层，于第一沟渠内的CVD氧化物层上形成罩幕层，而使罩幕层与热氧化物层之间形成有第二沟渠，再于第二沟渠内形成第二闸极。
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公开(公告)号：TWM547757U
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW106201051
申请日：2017-01-20
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU-KUANG
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4238
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公开(公告)号：TW201816858A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW107101872
申请日：2016-05-18
发明人： 劉莒光 , LIU,CHU-KUANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232
摘要： 一種功率金氧半導體場效電晶體的製造方法，包括於基板上形成半導體層，於半導體層中形成至少一第一溝渠，於溝渠的表面依序形成熱氧化物層、氮化矽層與第一CVD氧化物層，於第一溝渠內形成第一閘極，於第一溝渠內的第一閘極上形成第二CVD氧化物層，於第一溝渠內的第二CVD氧化物層上形成罩幕層，而使罩幕層與熱氧化物層之間形成有第二溝渠，再於第二溝渠內形成第二閘極。
简体摘要： 一种功率金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括于基板上形成半导体层，于半导体层中形成至少一第一沟渠，于沟渠的表面依序形成热氧化物层、氮化硅层与第一CVD氧化物层，于第一沟渠内形成第一闸极，于第一沟渠内的第一闸极上形成第二CVD氧化物层，于第一沟渠内的第二CVD氧化物层上形成罩幕层，而使罩幕层与热氧化物层之间形成有第二沟渠，再于第二沟渠内形成第二闸极。
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公开(公告)号：TWI394263B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW098124896
申请日：2009-07-23
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU KUANG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI679770B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107147082
申请日：2018-12-26
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU-KUANG , 楊弘堃 , YANG, HUNG-KUN
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/66 , H01L29/778
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公开(公告)号：TWM449354U
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW101209918
申请日：2012-05-24
发明人： 劉莒光 , LIU, CHU KUANG
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
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