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    在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法
    1.
    发明专利
    在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法 审中-公开
    在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法

    公开(公告)号：TW201637081A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW105110040

    申请日：2016-03-30

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 鄧 念濠 ,  TANG, DANIEL ,  萬 志民 ,  WAN, ZHIMIN ,  李靜宜 ,  LI, CHING-I ,  林哲平 ,  LIN, GER-PIN

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/74 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/1083

    摘要： 本發明揭露一種在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法，其中，基板可被蝕刻，以形成一對凹槽，以定義鰭片構造。一部份的第一劑離子可經由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一對第一摻雜區域，其中每一第一摻雜區域至少一部份延伸到鰭片構造的一通道區域之下。位於每一凹槽底壁的基板可被蝕刻以增加每一凹槽的深度。蝕刻位於每一凹槽底壁的基板會移除一部份在每一凹槽之下的每一第一摻雜區域。在鰭片構造之下，剩下來的該對第一摻雜區域至少定義出一部份鰭片場效電晶體擊穿中止區域。

    简体摘要： 本发明揭露一种在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法，其中，基板可被蚀刻，以形成一对凹槽，以定义鳍片构造。一部份的第一剂离子可经由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一对第一掺杂区域，其中每一第一掺杂区域至少一部份延伸到鳍片构造的一信道区域之下。位于每一凹槽底壁的基板可被蚀刻以增加每一凹槽的深度。蚀刻位于每一凹槽底壁的基板会移除一部份在每一凹槽之下的每一第一掺杂区域。在鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出一部份鳍片场效应管击穿中止区域。

    低密度離子佈植的應用
    2.
    发明专利
    低密度離子佈植的應用 审中-公开
    低密度离子布植的应用

    公开(公告)号：TW201807743A

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：TW105127816

    申请日：2016-08-30

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 林哲平 ,  LIN, CHE-PIN ,  李靜宜 ,  LI, CHING-I ,  鄧 淰濠 ,  TANG, DANIEL

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/425

    摘要： 某些半導體結構與某些半導體製程的性能提昇，可以透過將佈植離子的分佈集中在底材或是半導體結構的表面附近來達成。亦即若能精確有效率地調控佈植離子分佈(dopant profile)的深度，便可以實現精確材料調控(precise material modification，PMM)，例如超淺接面與鰭狀結構的形成或是非均勻蝕刻的調整等等。本發明透過調降離子束密度來調降佈植離子分佈的深度，相較於一般常用的透過調降離子束能量來調降佈植離子分佈的深度，本發明可以避免低能量離子束在產生與傳輸過程中的一些困難。

    简体摘要： 某些半导体结构与某些半导体制程的性能提升，可以透过将布植离子的分布集中在底材或是半导体结构的表面附近来达成。亦即若能精确有效率地调控布植离子分布(dopant profile)的深度，便可以实现精确材料调控(precise material modification，PMM)，例如超浅接面与鳍状结构的形成或是非均匀蚀刻的调整等等。本发明透过调降离子束密度来调降布植离子分布的深度，相较于一般常用的透过调降离子束能量来调降布植离子分布的深度，本发明可以避免低能量离子束在产生与传输过程中的一些困难。

    多角度與多轉角度離子佈植製程
    6.
    发明专利
    多角度與多轉角度離子佈植製程 审中-公开
    多角度与多转角度离子布植制程

    公开(公告)号：TW201545211A

    公开(公告)日：2015-12-01

    申请号：TW103117951

    申请日：2014-05-22

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 林哲平 ,  LIN, CHE PIN ,  李靜宜 ,  LI, CHING I

    IPC分类号： H01L21/265

    摘要： 本發明提出的離子佈植製程係於離子佈植室中承載晶圓，並於晶圓維持於離子佈植室的期間，依照一且唯一事先載入的程式，或依照包含多數組製程參數的一程式，或調整掃描參數或調整離子束，或調整晶圓的不同傾斜角度或不同旋轉角度，藉以依序以不同掃描參數或不同調整過離子束或不同晶圓傾斜角度或不同晶圓旋轉角度來佈植晶圓。

    简体摘要： 本发明提出的离子布植制程系于离子布植室中承载晶圆，并于晶圆维持于离子布植室的期间，依照一且唯一事先加载的进程，或依照包含多数组制程参数的一进程，或调整扫描参数或调整离子束，或调整晶圆的不同倾斜角度或不同旋转角度，借以依序以不同扫描参数或不同调整过离子束或不同晶圆倾斜角度或不同晶圆旋转角度来布植晶圆。