利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

34 条记录 (耗时 0.023 秒)

    在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法
    1.
    发明专利
    在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法 审中-公开
    在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法

    公开(公告)号：TW201637081A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW105110040

    申请日：2016-03-30

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 鄧 念濠 ,  TANG, DANIEL ,  萬 志民 ,  WAN, ZHIMIN ,  李靜宜 ,  LI, CHING-I ,  林哲平 ,  LIN, GER-PIN

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/74 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/1083

    摘要： 本發明揭露一種在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法，其中，基板可被蝕刻，以形成一對凹槽，以定義鰭片構造。一部份的第一劑離子可經由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一對第一摻雜區域，其中每一第一摻雜區域至少一部份延伸到鰭片構造的一通道區域之下。位於每一凹槽底壁的基板可被蝕刻以增加每一凹槽的深度。蝕刻位於每一凹槽底壁的基板會移除一部份在每一凹槽之下的每一第一摻雜區域。在鰭片構造之下，剩下來的該對第一摻雜區域至少定義出一部份鰭片場效電晶體擊穿中止區域。

    简体摘要： 本发明揭露一种在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法，其中，基板可被蚀刻，以形成一对凹槽，以定义鳍片构造。一部份的第一剂离子可经由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一对第一掺杂区域，其中每一第一掺杂区域至少一部份延伸到鳍片构造的一信道区域之下。位于每一凹槽底壁的基板可被蚀刻以增加每一凹槽的深度。蚀刻位于每一凹槽底壁的基板会移除一部份在每一凹槽之下的每一第一掺杂区域。在鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出一部份鳍片场效应管击穿中止区域。

    量測離子束電流之儀器及方法
    5.
    发明专利
    量測離子束電流之儀器及方法 有权
    量测离子束电流之仪器及方法

    公开(公告)号：TW201312620A

    公开(公告)日：2013-03-16

    申请号：TW101126117

    申请日：2012-07-19

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 彼得M 寇帕利帝斯 ,  PETER M., KOPALIDIS ,  萬 志民 ,  WAN, ZHIMIN

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/02

    CPC分类号： G01N27/62 ,  G01R19/0061

    摘要： 本發明揭露量測離子束電流的技術，特別是用於量測低能量離子束電流。此技術可藉由一具有至少一平面法拉第杯與一電壓裝置的離子束電流量測裝置予以實現。平面法拉第杯靠近一反應室內壁的一內表面，並與一離子束路徑相交。電壓裝置位於一具有反應室內壁的反應室之外。因此，藉由適當地調整由電壓裝置施加在平面法拉第杯的電壓，一些不需要的帶電粒子會被充分地抑制。此外，平面法拉第杯可圍繞可為任何傳統法拉第杯的一額外法拉第杯之一開口。因此，整個離子束可被離子束路徑上的平面法拉第杯的大截面面積接收與量測到。

    简体摘要： 本发明揭露量测离子束电流的技术，特别是用于量测低能量离子束电流。此技术可借由一具有至少一平面法拉第杯与一电压设备的离子束电流量测设备予以实现。平面法拉第杯靠近一反应室内壁的一内表面，并与一离子束路径相交。电压设备位于一具有反应室内壁的反应室之外。因此，借由适当地调整由电压设备施加在平面法拉第杯的电压，一些不需要的带电粒子会被充分地抑制。此外，平面法拉第杯可围绕可为任何传统法拉第杯的一额外法拉第杯之一开口。因此，整个离子束可被离子束路径上的平面法拉第杯的大截面面积接收与量测到。

    具有蒸發器的離子源
    8.
    发明专利
    具有蒸發器的離子源 审中-公开
    具有蒸发器的离子源

    公开(公告)号：TW201630024A

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：TW104104302

    申请日：2015-02-09

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 白曉 ,  BAI, XIAO ,  胡 扣霖 ,  HU, KOU-LIN ,  荊 澤 ,  JING, NEAL ,  陳 麗暖 ,  CHEN, LI-NUAN ,  萬 志民 ,  WAN, ZHI-MIN ,  胡邵喻 ,  HU, SHAO-YU

    IPC分类号： H01J27/02 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08

    摘要： 離子源可具有一蒸發器並使用以下之一或更多方式減少蒸發器內的溫差。首先，至少一熱絕緣體設置鄰近於部分容器並且遠離一特別熱源，其中蒸發器的容器由該特別熱源加熱。其次，至少一熱絕緣體設置在一加熱器周圍，其中該容器設置在蒸發器內並由加熱器加熱。第三，至少一輻射遮罩設置用於讓熱能通過一外殼與一通道元件，其中電弧室藉由通道元件機械連接至外殼。因此熱絕緣體可減少熱能損失，同時蒸發器內的溫差亦減少。此外，一具有多個開孔的中空之擴散器用於增加傳導性並減少已蒸發材料的凝結。

    简体摘要： 离子源可具有一蒸发器并使用以下之一或更多方式减少蒸发器内的温差。首先，至少一热绝缘体设置邻近于部分容器并且远离一特别热源，其中蒸发器的容器由该特别热源加热。其次，至少一热绝缘体设置在一加热器周围，其中该容器设置在蒸发器内并由加热器加热。第三，至少一辐射遮罩设置用于让热能通过一外壳与一信道组件，其中电弧室借由信道组件机械连接至外壳。因此热绝缘体可减少热能损失，同时蒸发器内的温差亦减少。此外，一具有多个开孔的中空之扩散器用于增加传导性并减少已蒸发材料的凝结。