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    具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積方法
    2.
    发明专利
    具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積方法 审中-公开
    具有减少基于石英之污染物的等离子辅助原子层沉积方法

    公开(公告)号：TW201741493A

    公开(公告)日：2017-12-01

    申请号：TW106105634

    申请日：2017-02-20

    申请人： 精微超科技公司 ,  ULTRATECH, INC.

    发明人： 舒華 馬克 ,  SOWA, MARK J. ,  柏拓契 亞當 ,  BERTUCH, ADAM ,  芭提亞 瑞維克 ,  BHATIA, RITWIK

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

    CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

    摘要： 於一基板上執行具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積的方法於此被揭示。所述方法包含於一石英電漿管中，從一供應氣體感應地形成一基於氫之電漿，供應氣體主要由氫與氮或者是氫、氬與氮所組成。氮構成不大於2 vol%的供應氣體。基於氫之電漿包含一或多個反應物種。基於氫之電漿中之一或多個反應物種被導引至基板以使所述一或多個反應物種與基板上之一初始膜反應。與未使用氮於供應氣體中相比，微量的氮可用來減少初始膜中之基於石英的汙染物。

    简体摘要： 于一基板上运行具有减少基于石英之污染物的等离子辅助原子层沉积的方法于此被揭示。所述方法包含于一石英等离子管中，从一供应气体感应地形成一基于氢之等离子，供应气体主要由氢与氮或者是氢、氩与氮所组成。氮构成不大于2 vol%的供应气体。基于氢之等离子包含一或多个反应物种。基于氢之等离子中之一或多个反应物种被导引至基板以使所述一或多个反应物种与基板上之一初始膜反应。与未使用氮于供应气体中相比，微量的氮可用来减少初始膜中之基于石英的污染物。

    用於基板偏壓原子層沉積之具有增強電絕緣的沉積方法以及晶圓卡盤系統
    3.
    发明专利
    用於基板偏壓原子層沉積之具有增強電絕緣的沉積方法以及晶圓卡盤系統 审中-公开
    用于基板偏压原子层沉积之具有增强电绝缘的沉积方法以及晶圆卡盘系统

    公开(公告)号：TW201840899A

    公开(公告)日：2018-11-16

    申请号：TW107102784

    申请日：2018-01-25

    申请人： 美商精微超科技公司 ,  ULTRATECH, INC.

    发明人： 瑟森 麥可J ,  SERSHEN, MICHAEL J. ,  柏拓契 亞當 ,  BERTUCH, ADAM

    IPC分类号： C23C16/458 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3205

    摘要： 一種用以執行在基板上形成導電膜之基板偏壓原子層沉積製程的晶圓卡盤系統，其包含設置以承載基板之一導電基板載台，以及包含承載基板載台之一導電基座。一電絕緣層係如三明治般夾在導電基板載台與導電基座之間。電絕緣層具有一外緣以及形成於外緣並沿著外緣延伸之一邊緣凹部。邊緣凹部的尺寸被設置以防止導電膜鍍覆邊緣凹部的整個內部，藉此保持導電基板載台與導電基座之間的電絕緣。

    简体摘要： 一种用以运行在基板上形成导电膜之基板偏压原子层沉积制程的晶圆卡盘系统，其包含设置以承载基板之一导电基板载台，以及包含承载基板载台之一导电基座。一电绝缘层系如三明治般夹在导电基板载台与导电基座之间。电绝缘层具有一外缘以及形成于外缘并沿着外缘延伸之一边缘凹部。边缘凹部的尺寸被设置以防止导电膜镀覆边缘凹部的整个内部，借此保持导电基板载台与导电基座之间的电绝缘。