公开(公告)号：TW201813927A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106133001

申请日：2017-09-26

申请人： 道康寧公司 ,  DOW CORNING CORPORATION

发明人： 黃 秉槿 ,  HWANG, BYUNG K. ,  桑德蘭 特拉維斯 ,  SUNDERLAND, TRAVIS ,  周 孝賓 ,  ZHOU, XIAOBING

IPC分类号： C01B33/107 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC分类号： C23C16/345 ,  C01B33/107 ,  C01B33/1071 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553

摘要： 所揭示者係一種用於沉積的矽前驅物化合物，該矽前驅物化合物包含三氯二矽烷；一種用於形成膜的組成物，該組成物包含該矽前驅物化合物、以及下列中之至少一者：惰性氣體、分子氫、碳前驅物、氮前驅物、以及氧前驅物；一種使用該矽前驅物化合物在基材上形成含矽膜的方法，以及藉此所形成的含矽膜。

简体摘要： 所揭示者系一种用于沉积的硅前驱物化合物，该硅前驱物化合物包含三氯二硅烷；一种用于形成膜的组成物，该组成物包含该硅前驱物化合物、以及下列中之至少一者：惰性气体、分子氢、碳前驱物、氮前驱物、以及氧前驱物；一种使用该硅前驱物化合物在基材上形成含硅膜的方法，以及借此所形成的含硅膜。

公开(公告)号：TW201808973A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106131827

申请日：2016-02-15

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 史賓西 丹尼爾 P ,  SPENCE, DANIEL P. ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  麥當勞 羅納多 馬丁 ,  PEARLSTEIN, RONALD MARTIN ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  李建恒 ,  LI, JIANHENG

IPC分类号： C07F7/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

CPC分类号： C07F7/10 ,  C01B21/0823 ,  C01B21/0828 ,  C01B32/90 ,  C01B33/181 ,  C07F7/1804 ,  C07F7/188 ,  C09D7/63 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45553

摘要： 本文所述的是式I之雙胺基烷氧基矽烷及其使用方法：R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I其中R1係選自氫、C1至C10線性烷基、C3至C10分支烷基、C3至C10環狀烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C4至C10芳香族烴基；R2、R3、R4及R5係各自獨立地選自氫、C4至C10分支烷基、C3至C10環狀烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基及C4至C10芳香族烴基；R6係選自C1至C10線性烷基、C3至C10分支烷基、C3至C10環狀烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基及C4至C10芳香族烴基。

简体摘要： 本文所述的是式I之双胺基烷氧基硅烷及其使用方法：R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I其中R1系选自氢、C1至C10线性烷基、C3至C10分支烷基、C3至C10环状烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C4至C10芳香族烃基；R2、R3、R4及R5系各自独立地选自氢、C4至C10分支烷基、C3至C10环状烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基及C4至C10芳香族烃基；R6系选自C1至C10线性烷基、C3至C10分支烷基、C3至C10环状烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基及C4至C10芳香族烃基。

公开(公告)号：TWI617692B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW104116736

申请日：2015-05-26

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED ,  宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

发明人： 清水亮 ,  SHIMIZU, AKIRA ,  宮原孝廣 ,  MIYAHARA, TAKAHIRO ,  白井昌志 ,  SHIRAI, MASASHI ,  貞池慎一郎 ,  SADAIKE, SHINICHIROU

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02167 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201804012A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106125167

申请日：2017-07-26

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  馬里卡裘南 艾紐帕馬 ,  MALLIKARJUNAN, ANUPAMA ,  金武性 ,  KIM, MOO-SUNG

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02208 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

摘要： 揭露一種用於製造電子裝置的組合物及其方法。揭露用於沉積一低介電常數(

简体摘要： 揭露一种用于制造电子设备的组合物及其方法。揭露用于沉积一低介电常数(<4.0)及高的氧灰化抗性的含硅膜例如，但不限于，碳掺杂的氧化硅之化合物、组合物及方法。

公开(公告)号：TW201802284A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106132554

申请日：2013-09-25

申请人： 恩特葛瑞斯股份有限公司 ,  ENTEGRIS, INC.

发明人： 彼德大衛W ,  PETERS,DAVID W.

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F15/06

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F15/06 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45553

摘要： 茲描述鈷矽基醯胺和羰基鈷前驅物，其可用於氣相沉積製程，例如化學氣相沉積和原子層沉積，以沉積鈷並在低於400 ℃的溫度下形成高純度的含鈷膜。這些前驅物和製程可被用於製造積體電路以及生產諸如微處理器和邏輯與記憶體晶片等元件。

简体摘要： 兹描述钴硅基酰胺和羰基钴前驱物，其可用于气相沉积制程，例如化学气相沉积和原子层沉积，以沉积钴并在低于400 ℃的温度下形成高纯度的含钴膜。这些前驱物和制程可被用于制造集成电路以及生产诸如微处理器和逻辑与内存芯片等组件。

公开(公告)号：TWI602827B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW105104255

申请日：2016-02-15

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 史賓西 丹尼爾 P ,  SPENCE, DANIEL P. ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  麥當勞 羅納多 馬丁 ,  PEARLSTEIN, RONALD MARTIN ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  李建恒 ,  LI, JIANHENG

IPC分类号： C07F7/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

CPC分类号： C07F7/10 ,  C01B21/0823 ,  C01B21/0828 ,  C01B32/90 ,  C01B33/181 ,  C07F7/1804 ,  C07F7/188 ,  C09D7/63 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45553

公开(公告)号：TWI601736B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW102145435

申请日：2013-12-10

申请人： 艾迪科股份有限公司 ,  ADEKA CORPORATION

发明人： 吉野智晴 ,  YOSHINO, TOMOHARU ,  櫻井淳 ,  SAKURAI, ATSUSHI ,  白鳥翼 ,  SHIRATORI, TSUBASA ,  田瀨雅子 ,  HATASE, MASAKO ,  內生藏廣幸 ,  UCHIUZOU, HIROYUKI ,  西田章浩 ,  NISHIDA, AKIHIRO

IPC分类号： C07F5/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F5/069 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44

公开(公告)号：TWI599673B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW102138925

申请日：2013-10-28

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 傅新宇 ,  FU, XINYU ,  干德可塔史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS ,  傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V ,  GELATOS, AVGERINOS V. ,  諾里阿提夫 ,  NOORI, ATIF ,  張鎂 ,  CHANG, MEI ,  湯普森大衛 ,  THOMPSON, DAVID ,  葛漢納耶史帝夫G ,  GHANAYEM, STEVE G.

IPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/345 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76877

公开(公告)号：TW201723211A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126511

申请日：2016-08-19

申请人： 美商.應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 呂 新亮 ,  LU, XINLIANG ,  雷平艷 ,  LEI, PINGYAN ,  高 建德 ,  KAO, CHIEN-TEH ,  巴賽諾 米海拉 ,  BALSEANU, MIHAELA ,  夏 立群 ,  XIA, LI-QUN ,  史利倫 曼德亞 ,  SRIRAM, MANDYAM

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/46

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

摘要： 多種用於沉積SiN膜的方法，包括：將基材表面依序暴露至矽鹵化物前驅物與含氮反應物，該基材表面對該矽鹵化物前驅物的暴露是處於大於或等於約600°C的溫度。

简体摘要： 多种用于沉积SiN膜的方法，包括：将基材表面依序暴露至硅卤化物前驱物与含氮反应物，该基材表面对该硅卤化物前驱物的暴露是处于大于或等于约600°C的温度。

公开(公告)号：TW201722968A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW106108209

申请日：2014-09-19

申请人： 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

发明人： 歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  麥當勞 馬修R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG

IPC分类号： C07F7/10 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L21/02219 ,  C07F7/10 ,  C09D5/24 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262

摘要： 本文描述的是一種用於製備有機胺基矽烷之方法，包括使具有R1R2NH或R1NH2的化學式之胺，其中R1係選自線性或分支C1至C10烷基、線性或分支C3至C10烯基、線性或分支C3至C10炔基、C3至C10環烷基及C5至C10芳基；其中R2係選自氫、線性或分支C1至C10烷基、線性或分支C3至C10烯基、線性或分支C3至C10炔基、C3至C10環烷基及C5至C10芳基，與選自具有以下結構中之至少其一的矽來源： ，在觸媒存在下及有或無有機溶劑的情形下反應，以提供有機胺基矽烷，其中R3和R4係獨立地選自線性或分支C1至C10伸烷基、線性或分支C3至C6伸烯基、線性或分支C3至C6伸炔基、C3至C10伸環烷基、C3至C10伸雜環烷基、C5至C10伸芳基及C5至C10伸雜芳基。

简体摘要： 本文描述的是一种用于制备有机胺基硅烷之方法，包括使具有R1R2NH或R1NH2的化学式之胺，其中R1系选自线性或分支C1至C10烷基、线性或分支C3至C10烯基、线性或分支C3至C10炔基、C3至C10环烷基及C5至C10芳基；其中R2系选自氢、线性或分支C1至C10烷基、线性或分支C3至C10烯基、线性或分支C3至C10炔基、C3至C10环烷基及C5至C10芳基，与选自具有以下结构中之至少其一的硅来源： ，在触媒存在下及有或无有机溶剂的情形下反应，以提供有机胺基硅烷，其中R3和R4系独立地选自线性或分支C1至C10伸烷基、线性或分支C3至C6伸烯基、线性或分支C3至C6伸炔基、C3至C10伸环烷基、C3至C10伸杂环烷基、C5至C10伸芳基及C5至C10伸杂芳基。