公开(公告)号：TWI619837B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW104133835

申请日：2015-10-15

Applicant: 東芝三菱電機產業系統股份有限公司 ,  TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION

Inventor： 田畑要一郎 ,  TABATA, YOICHIRO ,  渡辺謙資 ,  WATANABE, KENSUKE ,  西村真一 ,  NISHIMURA, SHINICHI

IPC: C23C16/455 ,  B01J4/00 ,  C23C16/503 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/45561 ,  B01J4/00 ,  C23C16/045 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45559 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

公开(公告)号：TW201812078A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105129308

申请日：2016-09-09

Applicant: 張宇順

Inventor： 張宇順

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/452 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32697

Abstract: 一種電漿增強化學氣相沈積(PECVD)之反應室的輔助裝置及其沈積方法，其係針對一PECVD之反應室，提供至少一輔助裝置，其中該至少一輔助裝置得包含一設在該反應室之內腔的環周緣壁上的第一電場裝置，用以對反應室中的電漿產生電性吸力效應，使電漿中的源材料或薄膜先前物在吸附並沈積於基片表面上以形成薄膜之前，能藉該電性吸力效應而由反應室之中央朝外環周緣擴張移動，藉以增進沈積薄膜的均勻性；又其中該至少一輔助裝置得包含一設在該反應室中用以承置基片之平台面下方的第二電場裝置，用以對在反應室內之電漿產生電性吸力效應，使該電漿中之源材料或薄膜先前物得藉該電性吸力效應而吸附並沈積於基片表面上，藉以有效控制及減小沈積薄膜的厚度，並可避免先前技術因沈積成較厚薄膜而須另進行研磨的麻煩，用以提昇該PECVD之反應室之使用效率及其製程效率。

Abstract in simplified Chinese: 一种等离子增强化学气相沉积(PECVD)之反应室的辅助设备及其沉积方法，其系针对一PECVD之反应室，提供至少一辅助设备，其中该至少一辅助设备得包含一设在该反应室之内腔的环周缘壁上的第一电场设备，用以对反应室中的等离子产生电性吸力效应，使等离子中的源材料或薄膜先前物在吸附并沉积于基片表面上以形成薄膜之前，能藉该电性吸力效应而由反应室之中央朝外环周缘扩张移动，借以增进沉积薄膜的均匀性；又其中该至少一辅助设备得包含一设在该反应室中用以承置基片之平台面下方的第二电场设备，用以对在反应室内之等离子产生电性吸力效应，使该等离子中之源材料或薄膜先前物得藉该电性吸力效应而吸附并沉积于基片表面上，借以有效控制及减小沉积薄膜的厚度，并可避免先前技术因沉积成较厚薄膜而须另进行研磨的麻烦，用以提升该PECVD之反应室之使用效率及其制程效率。

公开(公告)号：TWI618141B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW106117934

申请日：2013-09-09

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 梁奇偉 ,  LIANG,QIWEI ,  陳興隆 ,  CHEN,XINGLONG ,  祝基恩 ,  CHUC,KIEN ,  路柏曼斯基迪米奇 ,  LUBOMIRSKY,DIMITRY ,  朴書南 ,  PARK,SOONAM ,  楊章喬 ,  YANG,JANG-GYOO ,  凡卡塔拉曼尚卡爾 ,  VENKATARAMAN,SHANKAR ,  崔恩托恩 ,  TRAN,TOAN ,  辛克里金柏利 ,  HINCKLEY,KIMBERLY ,  賈格沙魯巴 ,  GARG,SAURABH

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  B05B1/005 ,  B05B1/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/002 ,  H01L21/67069

公开(公告)号：TWI601844B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW105124930

申请日：2016-08-05

Applicant: 菲爾科技股份有限公司 ,  PHILTECH INC.

Inventor： 古村雄二 ,  FURUMURA, YUJI ,  清水紀嘉 ,  SHIMIZU, NORIYOSHI ,  西原晋治 ,  NISHIHARA, SHINJI ,  拝形英里 ,  HAIKATA, ERI

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/46 ,  C08J7/04 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/545 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

公开(公告)号：TWI572737B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW103103574

申请日：2014-01-29

Applicant: TES股份有限公司 ,  TES CO., LTD.

Inventor： 黃常洙 ,  HWANG, SANG-SOO ,  李愚嗔 ,  LEE, WOO-JIN ,  申奇照 ,  SHIN, KI-JO ,  車東壹 ,  CHA, DONG-IL

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578

公开(公告)号：TW201709325A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105113014

申请日：2016-04-27

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 佐藤聖信 ,  SATO, MASANOBU

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244

Abstract: 本發明之基板處理裝置，其係將複數片基板成架狀固持於基板固持具並搬入立式反應容器內，再藉由已電漿化的處理氣體，進行基板處理，該基板處理裝置具備：排氣機構，用以使該反應容器內真空排氣；電漿形成室，以沿著該反應容器的側壁往該反應容器的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成；處理氣體供給部，經由該電漿形成室，對該基板供給處理氣體；電漿產生用導電體，於該反應容器之外側中，與該電漿形成室相鄰而設置於縱向，並連接至高頻電源；電漿調整用導電體，於該反應容器之外側中，設置於從該導電體觀察為靠近反應容器側的位置；及阻抗調整部，設置於該電漿調整用導電體與接地之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之基板处理设备，其系将复数片基板成架状固持于基板固持具并搬入立式反应容器内，再借由已等离子化的处理气体，进行基板处理，该基板处理设备具备：排气机构，用以使该反应容器内真空排气；等离子形成室，以沿着该反应容器的侧壁往该反应容器的外方侧膨出且于纵向延伸的方式形成；处理气体供给部，经由该等离子形成室，对该基板供给处理气体；等离子产生用导电体，于该反应容器之外侧中，与该等离子形成室相邻而设置于纵向，并连接至高频电源；等离子调整用导电体，于该反应容器之外侧中，设置于从该导电体观察为靠近反应容器侧的位置；及阻抗调整部，设置于该等离子调整用导电体与接地之间。

公开(公告)号：TW201637067A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105100933

申请日：2016-01-13

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 橋本良知 ,  HASHIMOTO, YOSHITOMO ,  廣瀨義朗 ,  HIROSE, YOSHIRO ,  松岡樹 ,  MATSUOKA, TATSURU ,  原田勝吉 ,  HARADA, KATSUYOSHI

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本發明之課題在於提高形成於基板上之氮化膜之組成之控制性或膜質等。 本發明具有如下步驟：對在表面形成有含氧膜之基板供給第1原料及第1氮化劑，而於含氧膜上形成初始膜；藉由使初始膜電漿氮化，而將初始膜改質為第1氮化膜；以及對基板供給第2原料及第2氮化劑，而於第1氮化膜上形成第2氮化膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提高形成于基板上之氮化膜之组成之控制性或膜质等。 本发明具有如下步骤：对在表面形成有含氧膜之基板供给第1原料及第1氮化剂，而于含氧膜上形成初始膜；借由使初始膜等离子氮化，而将初始膜改质为第1氮化膜；以及对基板供给第2原料及第2氮化剂，而于第1氮化膜上形成第2氮化膜。

公开(公告)号：TW201627526A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104133835

申请日：2015-10-15

Applicant: 東芝三菱電機產業系統股份有限公司 ,  TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION

Inventor： 田畑要一郎 ,  TABATA, YOICHIRO ,  渡辺謙資 ,  WATANABE, KENSUKE ,  西村真一 ,  NISHIMURA, SHINICHI

IPC: C23C16/455 ,  B01J4/00 ,  C23C16/503 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/45561 ,  B01J4/00 ,  C23C16/045 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45559 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

Abstract: 本發明係提供一種用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其係即使在具有屬於高板厚孔徑比之溝部的被處理體中，亦能夠將氣體均等地噴射至該溝部內。本發明之氣體噴射裝置(100)係具備有：將氣體整流化，且將經整流化之氣體噴射至成膜裝置(200)內之氣體噴射單元部(23)。氣體噴射單元部(23)係在內部形成有作為氣體通路之間隙(d0)，且為扇型形狀。氣體分散供給部(99)內的氣體係從扇型形狀之寬度較廣闊側流入至間隙(d0)內，且歸因於該扇型形狀，而使氣體被整流化及被加速，且從扇型形狀之寬度的縮窄側輸出至成膜裝置(200)內。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种用于成膜设备之气体喷射设备，其系即使在具有属于高板厚孔径比之沟部的被处理体中，亦能够将气体均等地喷射至该沟部内。本发明之气体喷射设备(100)系具备有：将气体整流化，且将经整流化之气体喷射至成膜设备(200)内之气体喷射单元部(23)。气体喷射单元部(23)系在内部形成有作为气体通路之间隙(d0)，且为扇型形状。气体分散供给部(99)内的气体系从扇型形状之宽度较广阔侧流入至间隙(d0)内，且归因于该扇型形状，而使气体被整流化及被加速，且从扇型形状之宽度的缩窄侧输出至成膜设备(200)内。

公开(公告)号：TWI535882B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW099126341

申请日：2010-08-06

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 粱靜美 ,  LIANG, JINGMEI ,  英戈爾尼廷K ,  INGLE, NITIN K. ,  凡卡塔拉曼尚卡爾 ,  VENKATARAMAN, SHANKAR

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/762 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76837

公开(公告)号：TW201614709A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104122478

申请日：2015-07-13

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 艾許地安尼 凱翰 ,  ASHTIANI, KAIHAN ,  賴 燦鋒 ,  LAI, CANFENG ,  孟亮 ,  MENG, LIANG

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/503 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449

Abstract: 用以產生高能中性粒子之系統及方法，包含一遠程電漿產生器，其用以在電漿區域內產生電漿。一離子提取器係用以從該電漿提取高能離子。一基板支座係配置在處理腔室內且係用以支撐基板。一中性粒子提取器與氣體散布裝置係配置在該電漿區域與該基板支座之間。該中性粒子提取器與氣體散布裝置係用以從該等高能離子提取高能中性粒子，以供應該等高能中性粒子至該基板且散布前驅物氣體進入該處理腔室。

Abstract in simplified Chinese: 用以产生高能中性粒子之系统及方法，包含一远程等离子产生器，其用以在等离子区域内产生等离子。一离子提取器系用以从该等离子提取高能离子。一基板支座系配置在处理腔室内且系用以支撑基板。一中性粒子提取器与气体散布设备系配置在该等离子区域与该基板支座之间。该中性粒子提取器与气体散布设备系用以从该等高能离子提取高能中性粒子，以供应该等高能中性粒子至该基板且散布前驱物气体进入该处理腔室。