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公开(公告)号：TWI665760B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104120873
申请日：2015-06-29
申请人： 美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 吳 惠榮 , WU, HUI-JUNG , 尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 , KNISLEY, THOMAS JOSEPH , 珊卡 納葛 , SHANKAR, NAGRAJ , 沈 美華 , SHEN, MEIHUA , 黃 約翰 , HOANG, JOHN , 沙瑪 普力圖 , SHARMA, PRITHU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3213 , H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/455
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公开(公告)号：TWI690992B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW104133125
申请日：2015-10-08
申请人： 美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 沈 美華 , SHEN, MEIHUA , 朱濟 , ZHU, JI , 黃 朔罡 , HUANG, SHUOGANG , 周葆所 , ZHOU, BAOSUO , 黃 約翰 , HOANG, JOHN , 沙瑪 普力圖 , SHARMA, PRITHU , 立爾 托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01J37/36
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公开(公告)号：TWI650886B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104109675
申请日：2015-03-26
申请人： 美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 沈 美華 , SHEN, MEIHUA , 席恩 哈密特 , SINGH, HARMEET , 陳 暹華 , TAN, SAMANTHA S.H. , 馬克思 傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 立爾 托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 兼內克 理查P , JANEK, RICHARD P. , 楊文兵 , YANG, WENBING , 沙瑪 普力圖 , SHARMA, PRITHU
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L21/3063
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公开(公告)号：TW201628083A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104133125
申请日：2015-10-08
申请人： 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 沈 美華 , SHEN, MEIHUA , 朱濟 , ZHU, JI , 黃 朔罡 , HUANG, SHUOGANG , 周葆所 , ZHOU, BAOSUO , 黃 約翰 , HOANG, JOHN , 沙瑪 普力圖 , SHARMA, PRITHU , 立爾 托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01J37/36
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/30617 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/32131 , H01L21/32133 , H01L21/32139 , H01L21/76865 , H01L21/76885
摘要： 提供一種在堆疊中銅結構下方打開阻障膜的方法。提供脈衝氣體至電漿處理腔室中，其中該脈衝氣體的提供包含提供脈衝含H2 氣體，以及提供脈衝含鹵素氣體，其中脈衝含H2 氣體及脈衝含鹵素氣體係異相脈衝，並且其中脈衝含H2 氣體具有H2 高流量時段，且脈衝含鹵素氣體具有含鹵素氣體高流量時段，其中H2 高流量時段係大於含鹵素氣體高流量時段。使脈衝氣體形成為電漿。使銅結構及阻障膜暴露至電漿，該電漿蝕刻阻障膜。在另一實施例中，可使用濕式及乾式循環製程。
简体摘要： 提供一种在堆栈中铜结构下方打开阻障膜的方法。提供脉冲气体至等离子处理腔室中，其中该脉冲气体的提供包含提供脉冲含H2 气体，以及提供脉冲含卤素气体，其中脉冲含H2 气体及脉冲含卤素气体系异相脉冲，并且其中脉冲含H2 气体具有H2 高流量时段，且脉冲含卤素气体具有含卤素气体高流量时段，其中H2 高流量时段系大于含卤素气体高流量时段。使脉冲气体形成为等离子。使铜结构及阻障膜暴露至等离子，该等离子蚀刻阻障膜。在另一实施例中，可使用湿式及干式循环制程。
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公开(公告)号：TW201608748A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104109675
申请日：2015-03-26
申请人： 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 沈 美華 , SHEN, MEIHUA , 席恩 哈密特 , SINGH, HARMEET , 陳 暹華 , TAN, SAMANTHA S.H. , 馬克思 傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 立爾 托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 兼內克 理查P , JANEK, RICHARD P. , 楊文兵 , YANG, WENBING , 沙瑪 普力圖 , SHARMA, PRITHU
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L43/12 , C23F1/08 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/02554 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/1675
摘要： 提供一種以一或更多循環蝕刻疊層之方法，該疊層具有至少一金屬層。執行一起始步驟，將該至少一金屬層的部分轉變成金屬氧化物、金屬鹵化物、或晶格損壞的金屬位置。執行一反應步驟，該反應步驟提供一或更多的循環，其中各循環包含提供有機溶劑蒸體來形成溶劑化金屬、金屬鹵化物、或金屬氧化物狀態，並提供有機配位基溶劑來形成揮發性有機金屬化合物。執行該揮發性有機金屬化合物的脫附。
简体摘要： 提供一种以一或更多循环蚀刻叠层之方法，该叠层具有至少一金属层。运行一起始步骤，将该至少一金属层的部分转变成金属氧化物、金属卤化物、或晶格损坏的金属位置。运行一反应步骤，该反应步骤提供一或更多的循环，其中各循环包含提供有机溶剂蒸体来形成溶剂化金属、金属卤化物、或金属氧化物状态，并提供有机配位基溶剂来形成挥发性有机金属化合物。运行该挥发性有机金属化合物的脱附。
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公开(公告)号：TW201614770A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104120873
申请日：2015-06-29
申请人： 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 吳 惠榮 , WU, HUI-JUNG , 尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 , KNISLEY, THOMAS JOSEPH , 珊卡 納葛 , SHANKAR, NAGRAJ , 沈 美華 , SHEN, MEIHUA , 黃 約翰 , HOANG, JOHN , 沙瑪 普力圖 , SHARMA, PRITHU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3213 , H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/32136 , C23C16/0245 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/54 , H01J37/32357 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/32138 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本文提供透過消去式蝕刻與襯墊沉積方法來製造金屬內連線、線路、或穿孔的方法與技術。 方法涉及沉積全面性銅層；將部分的該全面性銅層移除，以形成圖案；對已圖案化的金屬進行處理；沉積銅-介電質介面材料，使得該銅-介電質介面材料僅吸附於該已圖案化的銅上；在基板上沉積介電質阻障層；以及在基板上沉積介電質主體層。
简体摘要： 本文提供透过消去式蚀刻与衬垫沉积方法来制造金属内连接、线路、或穿孔的方法与技术。 方法涉及沉积全面性铜层；将部分的该全面性铜层移除，以形成图案；对已图案化的金属进行处理；沉积铜-介电质界面材料，使得该铜-介电质界面材料仅吸附于该已图案化的铜上；在基板上沉积介电质阻障层；以及在基板上沉积介电质主体层。
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