公开(公告)号：TWI665760B

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：TW104120873

申请日：2015-06-29

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  沙瑪 普力圖 ,  SHARMA, PRITHU

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TW201612351A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104119692

申请日：2015-06-18

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 安東內利 喬治 安祖 ,  ANTONELLI, GEORGE ANDREW ,  尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  瑟藍莫尼恩 普拉莫 ,  SUBRAMONIUM, PRAMOD

IPC: C23C16/02 ,  C23G5/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

Abstract: 位在銅線路與介電擴散阻障層之間的保護性覆蓋層，被用於改善內連線的許多性能特性。在暴露的介電層存在的情況下，使用CVD或ALD方法，將覆蓋層(例如含鈷覆蓋層、或含錳覆蓋層)選擇性沉積在暴露的銅線路上。覆蓋材料的沉積受到在銅表面上的含碳汙染物的存在影響，而導致不良的或不均勻的覆蓋層沉積。在沉積覆蓋層之前，將含碳汙染物從銅表面移除的方法包括，在第一溫度下，將含有暴露的銅表面的基板與矽烷化劑接觸，以在銅表面上形成一層已反應的矽烷化劑，接著以更高的溫度加熱基板，以將已反應的矽烷化劑從銅表面移除。

Abstract in simplified Chinese: 位在铜线路与介电扩散阻障层之间的保护性覆盖层，被用于改善内连接的许多性能特性。在暴露的介电层存在的情况下，使用CVD或ALD方法，将覆盖层(例如含钴覆盖层、或含锰覆盖层)选择性沉积在暴露的铜线路上。覆盖材料的沉积受到在铜表面上的含碳污染物的存在影响，而导致不良的或不均匀的覆盖层沉积。在沉积覆盖层之前，将含碳污染物从铜表面移除的方法包括，在第一温度下，将含有暴露的铜表面的基板与硅烷化剂接触，以在铜表面上形成一层已反应的硅烷化剂，接着以更高的温度加热基板，以将已反应的硅烷化剂从铜表面移除。

公开(公告)号：TW201541519A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW104103163

申请日：2015-01-30

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  瑟藍莫尼恩 普拉莫 ,  SUBRAMONIUM, PRAMOD

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供在半導體處理中，於有裸露介電質的銅線路上選擇性地沉積鈷的方法與設備。藉由將一基板的受處理表面在還原試劑的存在下與有機金屬鈷化合物接觸，將鈷以其金屬形式選擇性地沉積在有介電質存在的銅上。表面製備涉及H2 處理並同時有UV光照射。在製備基板表面之後，基板在還原試劑的存在下與包含受替代或未受替代之烯丙基配位基的有機金屬鈷化合物接觸以在銅上選擇性地沉積鈷。鈷沉積期間與之後不需要電漿處理，且本方法使用在具有ULK介電質材料存在的情況下而不對該介電質產生損傷。所沉積的鈷蓋係用於降低銅的電性遷移並增進銅對後續沉積層的附著力。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供在半导体处理中，于有裸露介电质的铜线路上选择性地沉积钴的方法与设备。借由将一基板的受处理表面在还原试剂的存在下与有机金属钴化合物接触，将钴以其金属形式选择性地沉积在有介电质存在的铜上。表面制备涉及H2 处理并同时有UV光照射。在制备基板表面之后，基板在还原试剂的存在下与包含受替代或未受替代之烯丙基配位基的有机金属钴化合物接触以在铜上选择性地沉积钴。钴沉积期间与之后不需要等离子处理，且本方法使用在具有ULK介电质材料存在的情况下而不对该介电质产生损伤。所沉积的钴盖系用于降低铜的电性迁移并增进铜对后续沉积层的附着力。

公开(公告)号：TW201614770A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104120873

申请日：2015-06-29

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  沙瑪 普力圖 ,  SHARMA, PRITHU

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文提供透過消去式蝕刻與襯墊沉積方法來製造金屬內連線、線路、或穿孔的方法與技術。 方法涉及沉積全面性銅層；將部分的該全面性銅層移除，以形成圖案；對已圖案化的金屬進行處理；沉積銅-介電質介面材料，使得該銅-介電質介面材料僅吸附於該已圖案化的銅上；在基板上沉積介電質阻障層；以及在基板上沉積介電質主體層。

Abstract in simplified Chinese: 本文提供透过消去式蚀刻与衬垫沉积方法来制造金属内连接、线路、或穿孔的方法与技术。 方法涉及沉积全面性铜层；将部分的该全面性铜层移除，以形成图案；对已图案化的金属进行处理；沉积铜-介电质界面材料，使得该铜-介电质界面材料仅吸附于该已图案化的铜上；在基板上沉积介电质阻障层；以及在基板上沉积介电质主体层。