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公开(公告)号：TWI649962B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW107114161
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
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公开(公告)号：TW201828592A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107114161
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。
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公开(公告)号：TW201806312A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106139581
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。
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公开(公告)号：TW201919333A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107137343
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。
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公开(公告)号：TWI641298B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106111269
申请日：2012-08-31
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公开(公告)号：TW201810936A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106121307
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。
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公开(公告)号：TWI617133B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106128336
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201742371A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106128336
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。
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公开(公告)号：TWI606691B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW106121307
申请日：2013-06-14
发明人： 陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福 吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁 緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦 約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼 詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修 湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修 尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯 阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛 史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克 勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201735750A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106111269
申请日：2012-08-31
发明人： 培帝-威克山德拉 路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO , 莫迪哈迪克 布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48159 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48644 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1421 , H01L2924/1423 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/0243 , H05K3/244 , H05K2201/0341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本發明揭示一種用於高性能射頻(RF)應用之傳輸線。此一傳輸線可包含經組態以接收RF信號之一接合層、一障壁層、一擴散障壁層及接近於該擴散障壁層之一導電層。該擴散障壁層可具有一厚度以容許所接收之一RF信號穿透該擴散障壁層而至該導電層。在某些實施方案中，該擴散障壁層可為鎳。在此等實施方案之若干者中，該傳輸線可包含一金接合層、一鈀障壁層及一鎳擴散障壁層。
简体摘要： 本发明揭示一种用于高性能射频(RF)应用之传输线。此一传输线可包含经组态以接收RF信号之一接合层、一障壁层、一扩散障壁层及接近于该扩散障壁层之一导电层。该扩散障壁层可具有一厚度以容许所接收之一RF信号穿透该扩散障壁层而至该导电层。在某些实施方案中，该扩散障壁层可为镍。在此等实施方案之若干者中，该传输线可包含一金接合层、一钯障壁层及一镍扩散障壁层。
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