公开(公告)号：TWI620257B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW104134289

申请日：2012-03-03

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 孫衛明 ,  SUN, WEIMIN ,  札帕帝 彼得 約瑟夫 二世 ,  ZAMPARDI, PETER JOSEPH JR. ,  邵宏曉 ,  SHAO, HONGXIAO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/045 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/66 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D7/0607 ,  C25D17/00 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/2064 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/09 ,  H05K1/111 ,  H05K3/10 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3452 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/0597 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TWI598966B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW104107510

申请日：2015-03-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃昶嘉 ,  HUANG, CHANG CHIA ,  林宗澍 ,  LIN, TSUNG SHU ,  謝政傑 ,  HSIEH, CHENG CHIEH ,  吳偉誠 ,  WU, WEI CHENG

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

公开(公告)号：TW201642366A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105106213

申请日：2016-03-01

申请人： 派克科技-包裝科技有限公司 ,  PAC TECH - PACKAGING TECHNOLOGIES GMBH

发明人： 路德克 亨利 ,  LUDEKE, HEINRICH ,  蓋爾哈 利卡多 ,  GEELHAAR, RICARDO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L21/283 ,  H01L23/482 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L24/48 ,  B23K26/20 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/81 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/37026 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/40992 ,  H01L2224/40997 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/77263 ,  H01L2224/77281 ,  H01L2224/77601 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/77704 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/84214 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/84464 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/84986 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85379 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2224/13099

摘要： 本發明是關於一種晶片配置結構(10)以及用於形成晶片(18) ， 特別是功率電晶體及其類似物與導體材料軌道(14)之間之接觸連接(11)的方法，導體材料軌道形成在非導電基板上，晶片被設置在基板上或在導體材料軌道(15)上，銀膏(29)或銅膏被塗佈於晶片之晶片接觸表面(25)及導體材料軌道(28)中之每一個上，接觸導體(30)被浸於晶片接觸表面上之銀膏或銅膏中，並被浸於導體材料軌道上之銀膏或銅膏中。銀膏或銅膏中所含之溶劑至少部分透過加熱蒸發並藉由雷射能之方式燒結銀膏或銅膏形成接觸連接。

简体摘要： 本发明是关于一种芯片配置结构(10)以及用于形成芯片(18) ， 特别是功率晶体管及其类似物与导体材料轨道(14)之间之接触连接(11)的方法，导体材料轨道形成在非导电基板上，芯片被设置在基板上或在导体材料轨道(15)上，银膏(29)或铜膏被涂布于芯片之芯片接触表面(25)及导体材料轨道(28)中之每一个上，接触导体(30)被浸于芯片接触表面上之银膏或铜膏中，并被浸于导体材料轨道上之银膏或铜膏中。银膏或铜膏中所含之溶剂至少部分透过加热蒸发并借由激光能之方式烧结银膏或铜膏形成接触连接。

公开(公告)号：TW201639050A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104127107

申请日：2015-08-20

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 盧東寶 ,  LU, TUNG BAO ,  王恆生 ,  WANG, HENG SHENG ,  徐子涵 ,  HSU, TZU HAN

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00

CPC分类号： H01L24/11 ,  C23C18/1653 ,  C25D3/60 ,  C25D3/62 ,  C25D5/02 ,  C25D5/505 ,  C25D7/123 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/324 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2924/0665

摘要： 一半導體封裝，其包括一半導體晶片，其中包含：一主動面，其上有傳導墊；在主動面上方的電鍍金-錫(Au-Sn)合金凸塊；以及(玻璃)基板，其包括與電鍍金-錫合金凸塊電耦合的導線，其中電鍍金-錫合金凸塊具有重量百分比約Au0.85Sn0.15至約Au0.75Sn0.25的組成成分，從接近該主動面的一端均勻分布至接近基板的一端。一製造半導體封裝的方法包括：在半導體晶片的主動面上形成傳導墊的圖案；在傳導墊上方電鍍金-錫合金凸塊；以及藉由迴銲程序或熱壓程序，將半導體晶片接合在基板上相對應的導線上。

简体摘要： 一半导体封装，其包括一半导体芯片，其中包含：一主动面，其上有传导垫；在主动面上方的电镀金-锡(Au-Sn)合金凸块；以及(玻璃)基板，其包括与电镀金-锡合金凸块电耦合的导线，其中电镀金-锡合金凸块具有重量百分比约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成成分，从接近该主动面的一端均匀分布至接近基板的一端。一制造半导体封装的方法包括：在半导体芯片的主动面上形成传导垫的图案；在传导垫上方电镀金-锡合金凸块；以及借由回焊进程或热压进程，将半导体芯片接合在基板上相对应的导在线。

公开(公告)号：TWI553753B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW101121398

申请日：2012-06-14

申请人： 德國艾托特克公司 ,  ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

发明人： 烏利格 艾爾伯奇特 ,  UHLIG, ALBRECHT ,  蓋達 喬瑟夫 ,  GAIDA, JOSEF ,  蘇誠傳克 克里斯多夫 ,  SUCHENTRUNK, CHRISTOF

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015

公开(公告)号：TW201635699A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105120210

申请日：2013-06-14

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 陳 霍華E ,  CHEN, HOWARD E. ,  郭亦帆 ,  GUO, YIFAN ,  黃 庭福 吳 ,  HOANG, DINHPHUOC VU ,  賈那尼 默藍 ,  JANANI, MEHRAN ,  郭 丁 緬因特 ,  KO, TIN MYINT ,  勒托拉 菲利浦 約翰 ,  LEHTOLA, PHILIP JOHN ,  洛彼安可 安東尼 詹姆斯 ,  LOBIANCO, ANTHONY JAMES ,  莫迪 哈迪克 布潘達 ,  MODI, HARDIK BHUPENDRA ,  阮 紅孟 ,  NGUYEN, HOANG MONG ,  歐扎拉斯 麥修 湯瑪斯 ,  OZALAS, MATTHEW THOMAS ,  培帝 威克 山德拉 路易斯 ,  PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE ,  瑞德 麥修 尚 ,  READ, MATTHEW SEAN ,  理吉 詹斯 阿爾布雷希特 ,  RIEGE, JENS ALBRECHT ,  雷普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN ,  邵宏曉 ,  SHAO, HONGXIAO ,  沈宏 ,  SHEN, HONG ,  孫衛明 ,  SUN, WEIMIN ,  孫祥志 ,  SUN, HSIANG-CHIH ,  衛屈 派崔克 勞倫斯 ,  WELCH, PATRICK LAWRENCE ,  札帕帝 彼得J 二世 ,  ZAMPARDI, PETER J., JR. ,  章國豪 ,  ZHANG, GUOHAO

IPC分类号： H03F3/19

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。

简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

公开(公告)号：TW201613060A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104129054

申请日：2015-09-02

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 佐藤隆夫 ,  SATO, TAKAO

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17177 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0332

摘要： 本發明之實施形態可抑制半導體裝置之可靠性降低。 實施形態之半導體裝置具備：第1半導體晶片；第2半導體晶片，其積層於第1半導體晶片上，具有自一面向另一面貫通半導體基板之貫通電極，且以將另一面朝向第1半導體晶片之方式積層；第1凸塊，其向一面突出設置，且具有露出面；密封樹脂，其以將露出面露出之方式密封第1半導體晶片與第2半導體晶片、第1凸塊；及第2凸塊，其設置於露出面上。

简体摘要： 本发明之实施形态可抑制半导体设备之可靠性降低。 实施形态之半导体设备具备：第1半导体芯片；第2半导体芯片，其积层于第1半导体芯片上，具有自一面向另一面贯通半导体基板之贯通电极，且以将另一面朝向第1半导体芯片之方式积层；第1凸块，其向一面突出设置，且具有露出面；密封树脂，其以将露出面露出之方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块；及第2凸块，其设置于露出面上。

公开(公告)号：TW201611200A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104117241

申请日：2015-05-28

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 吉永康之 ,  YOSHINAGA, YASUYUKI ,  貞方健太 ,  SADAKATA, KENTA

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/492 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7396 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： 本發明之課題在於提高半導體裝置之可靠性。 本發明之半導體裝置CP包含：端子用之導電膜圖案即配線M1，其形成於半導體基板SB上之絕緣膜IL上；絕緣膜PA，其係以覆蓋配線M1之方式形成於絕緣膜IL上；及鎳層ME1，其形成於自絕緣膜PA之開口部OP露出之部分之配線M1上。配線M1包含積層膜，該積層膜具有以鋁為主成分之主導體膜MC、與形成於主導體膜MC之上表面整體上之導體膜BR，導體膜BR包含鈦膜、鎢膜、或鎢化鈦膜。鎳層ME1係形成於自開口部OP露出之部分之導體膜BR上。

简体摘要： 本发明之课题在于提高半导体设备之可靠性。 本发明之半导体设备CP包含：端子用之导电膜图案即配线M1，其形成于半导体基板SB上之绝缘膜IL上；绝缘膜PA，其系以覆盖配线M1之方式形成于绝缘膜IL上；及镍层ME1，其形成于自绝缘膜PA之开口部OP露出之部分之配线M1上。配线M1包含积层膜，该积层膜具有以铝为主成分之主导体膜MC、与形成于主导体膜MC之上表面整体上之导体膜BR，导体膜BR包含钛膜、钨膜、或钨化钛膜。镍层ME1系形成于自开口部OP露出之部分之导体膜BR上。

公开(公告)号：TWI493014B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW101113694

申请日：2008-01-10

申请人： 日立化成股份有限公司 ,  HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.

发明人： 永井朗 ,  NAGAI, AKIRA

IPC分类号： C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J11/04 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08L2666/28 ,  C09J163/00 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：TW201523819A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW102148605

申请日：2013-12-27

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/1146

摘要： 一種半導體結構包括：一裝置；在該裝置上方之一導電襯墊；及安置在該導電襯墊上之一Ag1-xYx合金柱，其中該Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比與Ag形成完全固溶體之金屬，且其中該Ag1-xYx合金之X在約0.005至約0.25之範圍內。

简体摘要： 一种半导体结构包括：一设备；在该设备上方之一导电衬垫；及安置在该导电衬垫上之一Ag1-xYx合金柱，其中该Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且其中该Ag1-xYx合金之X在约0.005至约0.25之范围内。