公开(公告)号：TW201812929A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105122960

申请日：2016-07-20

申请人： 碁鼎科技秦皇島有限公司 ,  QI DING TECHNOLOGY QINHUANGDAO CO., LTD. ,  臻鼎科技股份有限公司 ,  ZHEN DING TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 陳貽和 ,  CHEN, YI-HO

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81192

摘要： 一種封裝基板包括第一導電線路層以及絕緣層。第一導電線路層包括相對的第一端部以及第二端部。絕緣層包覆第二端部並填充第一導電線路層所形成的間隙，第一端部的寬度大於第二端部的寬度。絕緣層內開設盲孔，盲孔中形成有導電部。絕緣層上還形成有第二導電線路層。第二導電線路層與絕緣層接觸的部分設有一第二銅箔層。第二導電線路層包括臨近第二端部設置的第三端部以及與第三端部相對的第四端部。第三端部的寬度大於第四端部的寬度。第一導電線路層和第二導電線路層上形成有防焊層。每一防焊層上開設有開口。

简体摘要： 一种封装基板包括第一导电线路层以及绝缘层。第一导电线路层包括相对的第一端部以及第二端部。绝缘层包覆第二端部并填充第一导电线路层所形成的间隙，第一端部的宽度大于第二端部的宽度。绝缘层内开设盲孔，盲孔中形成有导电部。绝缘层上还形成有第二导电线路层。第二导电线路层与绝缘层接触的部分设有一第二铜箔层。第二导电线路层包括临近第二端部设置的第三端部以及与第三端部相对的第四端部。第三端部的宽度大于第四端部的宽度。第一导电线路层和第二导电线路层上形成有防焊层。每一防焊层上开设有开口。

公开(公告)号：TWI614814B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW105106863

申请日：2016-03-07

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 杰爾 史考特 ,  JEWLER, SCOTT

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201802297A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106102939

申请日：2017-01-25

申请人： 麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

发明人： 潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  理察生 湯瑪斯B ,  RICHARDSON, THOMAS B. ,  李 伊凡 ,  LI, IVAN

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  C08G65/24 ,  C08G65/333 ,  H05K3/42 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L25/065

CPC分类号： C25D3/38 ,  C08G65/24 ,  C08G65/33396 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H05K3/188 ,  H05K3/424 ,  H05K2203/0723

摘要： 一種水性電解組成物，及一種使用該水性電解組成物將銅電沈積在介電體或半導體基本結構上之方法。該方法包括(i)將在基本結構上包含種子導電層之金屬化基板以水性電解沈積組成物接觸；及(ii)對該電解沈積組成物供應電流而將銅沈積在該基板上。該水性電解組成物包含：(a)銅離子；(b)酸；(c)抑制劑；及(d)包含n個對應結構1N的重複單元、與p個對應結構1P的重複單元之四級化聚(表鹵醇)：

简体摘要： 一种水性电解组成物，及一种使用该水性电解组成物将铜电沉积在介电体或半导体基本结构上之方法。该方法包括(i)将在基本结构上包含种子导电层之金属化基板以水性电解沉积组成物接触；及(ii)对该电解沉积组成物供应电流而将铜沉积在该基板上。该水性电解组成物包含：(a)铜离子；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)包含n个对应结构1N的重复单元、与p个对应结构1P的重复单元之四级化聚(表卤醇)：

公开(公告)号：TWI585030B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW101145663

申请日：2012-12-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 帕納特 拉伍 ,  PANAT, RAHUL ,  賈斯沃 巴努 ,  JAISWAL, BHANU

IPC分类号： B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L23/53238 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/49866 ,  H01L29/0673 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI579992B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW102138054

申请日：2013-10-22

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 清水浩三 ,  SHIMIZU, KOZO ,  作山誠樹 ,  SAKUYAMA, SEIKI ,  宮島豊生 ,  MIYAJIMA, TOYOO

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201714267A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW104140518

申请日：2015-12-03

申请人： 華亞科技股份有限公司 ,  INOTERA MEMORIES, INC.

发明人： 施信益 ,  SHIH, SHING-YIH ,  施能泰 ,  SHIH, NENG-TAI

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 一種封裝上封裝構件，包含有一下晶片封裝，包含有：一中介層，其具有一第一面以及相對該第一面的一第二面；至少一晶片，經由複數個凸塊安置於該第一面的一晶片安裝區域內；一成型模料，設於該第一面，鄰近該至少一晶片；複數個週邊凸塊結構，位於一週邊區域內，且貫穿該成型模料，其中各該週邊凸塊結構包含一埋入在該成型模料內的導電柱體以及一直接堆疊在該導電柱體的部分穿模導孔；複數個錫球，設置於該第二面上；及一上晶片封裝，設置於該下晶片封裝之上，連接該複數個週邊凸塊結構。

简体摘要： 一种封装上封装构件，包含有一下芯片封装，包含有：一中介层，其具有一第一面以及相对该第一面的一第二面；至少一芯片，经由复数个凸块安置于该第一面的一芯片安装区域内；一成型模料，设于该第一面，邻近该至少一芯片；复数个周边凸块结构，位于一周边区域内，且贯穿该成型模料，其中各该周边凸块结构包含一埋入在该成型模料内的导电柱体以及一直接堆栈在该导电柱体的部分穿模导孔；复数个锡球，设置于该第二面上；及一上芯片封装，设置于该下芯片封装之上，连接该复数个周边凸块结构。

公开(公告)号：TWI578694B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW105120210

申请日：2013-06-14

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 陳 霍華E ,  CHEN, HOWARD E. ,  郭亦帆 ,  GUO, YIFAN ,  黃 庭福 吳 ,  HOANG, DINHPHUOC VU ,  賈那尼 默藍 ,  JANANI, MEHRAN ,  郭 丁 緬因特 ,  KO, TIN MYINT ,  勒托拉 菲利浦 約翰 ,  LEHTOLA, PHILIP JOHN ,  洛彼安可 安東尼 詹姆斯 ,  LOBIANCO, ANTHONY JAMES ,  莫迪 哈迪克 布潘達 ,  MODI, HARDIK BHUPENDRA ,  阮 紅孟 ,  NGUYEN, HOANG MONG ,  歐扎拉斯 麥修 湯瑪斯 ,  OZALAS, MATTHEW THOMAS ,  培帝 威克 山德拉 路易斯 ,  PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE ,  瑞德 麥修 尚 ,  READ, MATTHEW SEAN ,  理吉 詹斯 阿爾布雷希特 ,  RIEGE, JENS ALBRECHT ,  雷普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN ,  邵宏曉 ,  SHAO, HONGXIAO ,  沈宏 ,  SHEN, HONG ,  孫衛明 ,  SUN, WEIMIN ,  孫祥志 ,  SUN, HSIANG-CHIH ,  衛屈 派崔克 勞倫斯 ,  WELCH, PATRICK LAWRENCE ,  札帕帝 彼得J 二世 ,  ZAMPARDI, PETER J., JR. ,  章國豪 ,  ZHANG, GUOHAO

IPC分类号： H03F3/19

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201709354A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105106888

申请日：2016-03-07

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 鄧宜康 ,  DENG, YIKANG

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13553 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/014

摘要： 一種微電子基板可被形成以具有包括一整合附接結構之一嵌入式跡線，其延伸超過該微電子基板之一介電層的第一表面用於一微電子元件的附接。在一實施例中，該嵌入式跡線可藉由形成一虛設層、形成一凹槽在該虛設層內、保形沉積表面處理層於該凹槽內、形成一嵌入式跡線層於該虛設層之上且鄰接於該表面處理層、以及移除該虛設層而被製作。

简体摘要： 一种微电子基板可被形成以具有包括一集成附接结构之一嵌入式迹线，其延伸超过该微电子基板之一介电层的第一表面用于一微电子组件的附接。在一实施例中，该嵌入式迹线可借由形成一虚设层、形成一凹槽在该虚设层内、保形沉积表面处理层于该凹槽内、形成一嵌入式迹线层于该虚设层之上且邻接于该表面处理层、以及移除该虚设层而被制作。

公开(公告)号：TWI563752B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW099128788

申请日：2010-08-27

申请人： R&D電路公司 ,  R&D CIRCUITS INC

发明人： 羅素 詹姆士V ,  RUSSELL, JAMES V.

IPC分类号： H01R31/06 ,  H05K3/36 ,  H03H7/03

CPC分类号： H05K3/30 ,  G01R1/07378 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/50 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0213 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0234 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/111 ,  H05K1/141 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201642992A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105110561

申请日：2016-04-01

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 華 飛 ,  HUA, FAY

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C9/04 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K35/00 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08503 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01013

摘要： 本發明之實施例包括一半導體裝置及形成該半導體裝置之方法。在一實施例中，該半導體裝置包含一帶有一或多個晶粒接點之半導體晶粒。實施例包括一被回焊之焊料凸塊在該等晶粒接點之一或多者之上。在一實施例中，一介金屬化合物(IMC)阻障層被形成在該焊料凸塊及該晶粒接點之間的界面處。在一實施例中，該IMC阻障層為一CuZnIMC及/或一Cu5Zn8IMC。

简体摘要： 本发明之实施例包括一半导体设备及形成该半导体设备之方法。在一实施例中，该半导体设备包含一带有一或多个晶粒接点之半导体晶粒。实施例包括一被回焊之焊料凸块在该等晶粒接点之一或多者之上。在一实施例中，一介金属化合物(IMC)阻障层被形成在该焊料凸块及该晶粒接点之间的界面处。在一实施例中，该IMC阻障层为一CuZnIMC及/或一Cu5Zn8IMC。