公开(公告)号：TWI559476B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW101146369

申请日：2012-12-10

申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

发明人： 卡利卡連 薩姆帕斯 克維 ,  KARIKALAN, SAMPATH K. V. ,  趙子群 ,  ZHAO, SAM ZIQUN ,  胡坤忠 ,  HU, KEVIN KUNZHONG ,  卡恩 雷澤厄 拉曼 ,  KHAN, REZAUR RAHMAN ,  佛倫肯 皮耶特 ,  VORENKAMP, PIETER ,  陳向東 ,  CHEN, XIANGDONG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5223 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：TW201330219A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101146368

申请日：2012-12-10

申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

发明人： 卡利卡連 薩姆帕斯 克維 ,  KARIKALAN, SAMPATH K. V. ,  趙子群 ,  ZHAO, SAM ZIQUN ,  胡坤忠 ,  HU, KEVIN KUNZHONG ,  卡恩 雷澤厄 拉曼 ,  KHAN, REZAUR RAHMAN ,  佛倫肯 皮耶特 ,  VORENKAMP, PIETER ,  陳向東 ,  CHEN, XIANGDONG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/538 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/152 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明涉及具有橋型中介層的半導體封裝，公開了包括橋型中介層的半導體封裝的各種實施方式。一個範例性實施方式包括第一主動式晶片，該第一主動式晶片具有位於橋型中介層之上的第一部分，以及不位於橋型中介層之上的第二部分。該半導體封裝還包括第二主動式晶片，該第二主動式晶片具有位於橋型中介層之上的第一部分，以及不位於橋型中介層之上的第二部分。第一主動式晶片的第二部分和第二主動式晶片的第二部分包括安裝在封裝基板上的焊球，並且被配置為採用焊球而不採用直通矽晶穿孔(TSV)將電信號傳遞至封裝基板。

简体摘要： 本发明涉及具有桥型中介层的半导体封装，公开了包括桥型中介层的半导体封装的各种实施方式。一个范例性实施方式包括第一主动式芯片，该第一主动式芯片具有位于桥型中介层之上的第一部分，以及不位于桥型中介层之上的第二部分。该半导体封装还包括第二主动式芯片，该第二主动式芯片具有位于桥型中介层之上的第一部分，以及不位于桥型中介层之上的第二部分。第一主动式芯片的第二部分和第二主动式芯片的第二部分包括安装在封装基板上的焊球，并且被配置为采用焊球而不采用直通硅晶穿孔(TSV)将电信号传递至封装基板。

公开(公告)号：TWI485838B

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：TW101146368

申请日：2012-12-10

申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

发明人： 卡利卡連 薩姆帕斯 克維 ,  KARIKALAN, SAMPATH K. V. ,  趙子群 ,  ZHAO, SAM ZIQUN ,  胡坤忠 ,  HU, KEVIN KUNZHONG ,  卡恩 雷澤厄 拉曼 ,  KHAN, REZAUR RAHMAN ,  佛倫肯 皮耶特 ,  VORENKAMP, PIETER ,  陳向東 ,  CHEN, XIANGDONG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/538 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/152 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201330200A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101146369

申请日：2012-12-10

申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

发明人： 卡利卡連 薩姆帕斯 克維 ,  KARIKALAN, SAMPATH K. V. ,  趙子群 ,  ZHAO, SAM ZIQUN ,  胡坤忠 ,  HU, KEVIN KUNZHONG ,  卡恩 雷澤厄 拉曼 ,  KHAN, REZAUR RAHMAN ,  佛倫肯 皮耶特 ,  VORENKAMP, PIETER ,  陳向東 ,  CHEN, XIANGDONG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5223 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311

摘要： 本文涉及具有無半導體通孔的超薄仲介層的半導體封裝件，公開了包括無半導體通孔的仲介層的半導體封裝件的各種實施方式。一種範例性實施方式包括位於仲介層之上的第一主動式晶片。仲介層包括具有仲介層內佈線的仲介層電介質。第一主動式晶片不利用半導體通孔而利用仲介層內佈線將電信號傳輸至位於仲介層之下的封裝件基板。在一種實施方式中，半導體封裝件包括位於仲介層之上的第二主動式晶片，第二主動式晶片不利用半導體通孔而利用仲介層內佈線將電信號傳輸至封裝件基板。

简体摘要： 本文涉及具有无半导体通孔的超薄仲介层的半导体封装件，公开了包括无半导体通孔的仲介层的半导体封装件的各种实施方式。一种范例性实施方式包括位于仲介层之上的第一主动式芯片。仲介层包括具有仲介层内布线的仲介层电介质。第一主动式芯片不利用半导体通孔而利用仲介层内布线将电信号传输至位于仲介层之下的封装件基板。在一种实施方式中，半导体封装件包括位于仲介层之上的第二主动式芯片，第二主动式芯片不利用半导体通孔而利用仲介层内布线将电信号传输至封装件基板。