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    半導體積體電路裝置之製造方法、及半導體積體電路裝置
    6.
    发明专利
    半導體積體電路裝置之製造方法、及半導體積體電路裝置 审中-公开
    半导体集成电路设备之制造方法、及半导体集成电路设备

    公开(公告)号：TW201622068A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：TW104133918

    申请日：2015-10-15

    申请人： 芙洛提亞股份有限公司 ,  FLOADIA CORPORATION

    发明人： 谷口泰弘 ,  TANIGUCHI, YASUHIRO ,  川嶋泰彥 ,  KAWASHIMA, YASUHIKO ,  葛西秀男 ,  KASAI, HIDEO ,  櫻井良多郎 ,  SAKURAI, RYOTARO ,  品川裕 ,  SHINAGAWA, YUTAKA ,  奧山幸祐 ,  OKUYAMA, KOSUKE

    IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/118

    CPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

    摘要： 本發明提出一種半導體積體電路裝置之製造方法及半導體積體電路裝置，該半導體積體電路裝置之製造方法於形成周邊電路區域(ER2)之邏輯閘極電極(G5、G6)之光罩步驟時，亦同時將記憶體電路區域(ER1)之周繞導電層(Ga、Gb)分斷，而可形成電性分離之第1選擇閘極電極(G2a、G2b)及第2選擇閘極電極(G3a、G3b)，因此，即便於形成可獨立地控制之第1選擇閘極電極(G2a、G2b)及第2選擇閘極電極(G3a、G3b)之情形時，亦無須除先前之僅對記憶體電路區域進行加工之專用光罩步驟外進而多餘地追加僅對記憶體電路區域(ER1)進行加工之專用光罩步驟，從而可相應地降低製造成本。

    简体摘要： 本发明提出一种半导体集成电路设备之制造方法及半导体集成电路设备，该半导体集成电路设备之制造方法于形成周边电路区域(ER2)之逻辑门极电极(G5、G6)之光罩步骤时，亦同时将内存电路区域(ER1)之周绕导电层(Ga、Gb)分断，而可形成电性分离之第1选择闸极电极(G2a、G2b)及第2选择闸极电极(G3a、G3b)，因此，即便于形成可独立地控制之第1选择闸极电极(G2a、G2b)及第2选择闸极电极(G3a、G3b)之情形时，亦无须除先前之仅对内存电路区域进行加工之专用光罩步骤外进而多余地追加仅对内存电路区域(ER1)进行加工之专用光罩步骤，从而可相应地降低制造成本。

    記憶胞、半導體積體電路裝置、及半導體積體電路裝置之製造方法
    10.
    发明专利
    記憶胞、半導體積體電路裝置、及半導體積體電路裝置之製造方法 审中-公开
    记忆胞、半导体集成电路设备、及半导体集成电路设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201709425A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105123324

    申请日：2016-07-22

    申请人： 芙洛提亞股份有限公司 ,  FLOADIA CORPORATION

    发明人： 吉田省史 ,  YOSHIDA, SHOJI ,  大和田福夫 ,  OWADA, FUKUO ,  岡田大介 ,  OKADA, DAISUKE ,  川嶋泰彥 ,  KAWASHIMA, YASUHIKO ,  吉田信司 ,  YOSHIDA, SHINJI ,  柳沢一正 ,  YANAGISAWA, KAZUMASA ,  谷口泰弘 ,  TANIGUCHI, YASUHIRO

    IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    摘要： 本發明之記憶胞(1)可藉由設置將下部記憶體閘極絕緣膜(10)、電荷儲存層(EC)、上部記憶體閘極絕緣膜(11)、及金屬記憶體閘極電極(MG)依序積層形成之記憶體閘極構造體(2)、沿著設置於記憶體閘極構造體(2)之側壁之一側壁間隔件(8a)而具有金屬第1選擇閘極電極(DG)之第1選擇閘極構造體(3)、及沿著設置於記憶體閘極構造體(2)之側壁之另一側壁間隔件(8b)而具有金屬第2選擇閘極電極(SG)之第2選擇閘極構造體(4)，而可利用與金屬邏輯閘極電極(LG1)相同之金屬材料形成金屬記憶體閘極電極(MG)、金屬第1選擇閘極電極(DG)、及金屬第2選擇閘極電極(SG)，因此，可於將由金屬材料形成之金屬邏輯閘極電極(LG1)形成於半導體基板之一連串之製造步驟中形成。

    简体摘要： 本发明之记忆胞(1)可借由设置将下部内存闸极绝缘膜(10)、电荷存储层(EC)、上部内存闸极绝缘膜(11)、及金属内存闸极电极(MG)依序积层形成之内存闸极构造体(2)、沿着设置于内存闸极构造体(2)之侧壁之一侧壁间隔件(8a)而具有金属第1选择闸极电极(DG)之第1选择闸极构造体(3)、及沿着设置于内存闸极构造体(2)之侧壁之另一侧壁间隔件(8b)而具有金属第2选择闸极电极(SG)之第2选择闸极构造体(4)，而可利用与金属逻辑门极电极(LG1)相同之金属材料形成金属内存闸极电极(MG)、金属第1选择闸极电极(DG)、及金属第2选择闸极电极(SG)，因此，可于将由金属材料形成之金属逻辑门极电极(LG1)形成于半导体基板之一连串之制造步骤中形成。