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    半導體積體電路裝置之製造方法、及半導體積體電路裝置
    5.
    发明专利
    半導體積體電路裝置之製造方法、及半導體積體電路裝置 审中-公开
    半导体集成电路设备之制造方法、及半导体集成电路设备

    公开(公告)号：TW201622068A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：TW104133918

    申请日：2015-10-15

    申请人： 芙洛提亞股份有限公司 ,  FLOADIA CORPORATION

    发明人： 谷口泰弘 ,  TANIGUCHI, YASUHIRO ,  川嶋泰彥 ,  KAWASHIMA, YASUHIKO ,  葛西秀男 ,  KASAI, HIDEO ,  櫻井良多郎 ,  SAKURAI, RYOTARO ,  品川裕 ,  SHINAGAWA, YUTAKA ,  奧山幸祐 ,  OKUYAMA, KOSUKE

    IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/118

    CPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

    摘要： 本發明提出一種半導體積體電路裝置之製造方法及半導體積體電路裝置，該半導體積體電路裝置之製造方法於形成周邊電路區域(ER2)之邏輯閘極電極(G5、G6)之光罩步驟時，亦同時將記憶體電路區域(ER1)之周繞導電層(Ga、Gb)分斷，而可形成電性分離之第1選擇閘極電極(G2a、G2b)及第2選擇閘極電極(G3a、G3b)，因此，即便於形成可獨立地控制之第1選擇閘極電極(G2a、G2b)及第2選擇閘極電極(G3a、G3b)之情形時，亦無須除先前之僅對記憶體電路區域進行加工之專用光罩步驟外進而多餘地追加僅對記憶體電路區域(ER1)進行加工之專用光罩步驟，從而可相應地降低製造成本。

    简体摘要： 本发明提出一种半导体集成电路设备之制造方法及半导体集成电路设备，该半导体集成电路设备之制造方法于形成周边电路区域(ER2)之逻辑门极电极(G5、G6)之光罩步骤时，亦同时将内存电路区域(ER1)之周绕导电层(Ga、Gb)分断，而可形成电性分离之第1选择闸极电极(G2a、G2b)及第2选择闸极电极(G3a、G3b)，因此，即便于形成可独立地控制之第1选择闸极电极(G2a、G2b)及第2选择闸极电极(G3a、G3b)之情形时，亦无须除先前之仅对内存电路区域进行加工之专用光罩步骤外进而多余地追加仅对内存电路区域(ER1)进行加工之专用光罩步骤，从而可相应地降低制造成本。

    非揮發性半導體記憶裝置
    10.
    发明专利
    非揮發性半導體記憶裝置 审中-公开
    非挥发性半导体记忆设备

    公开(公告)号：TW201611196A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：TW104119865

    申请日：2015-06-18

    申请人： 芙洛提亞股份有限公司 ,  FLOADIA CORPORATION

    发明人： 谷口泰弘 ,  TANIGUCHI, YASUHIRO ,  川嶋泰彥 ,  KAWASHIMA, YASUHIKO ,  葛西秀男 ,  KASAI, HIDEO ,  品川裕 ,  SHINAGAWA, YUTAKA ,  櫻井良多郎 ,  SAKURAI, RYOTARO ,  奧山幸祐 ,  OKUYAMA, KOSUKE

    IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1087

    摘要： 本發明提出一種非揮發性半導體記憶裝置，其可與先前同樣地實現記憶胞之高速動作，並且可抑制因絕緣層內之可動電荷停留於浮動閘極而產生的記憶胞之閾值電壓之變動。 於非揮發性半導體記憶裝置1中，在浮動閘極10a、10b周邊設置可動電荷收集元件層24、25、26、27、可動電荷收集接點CC1、CC2、CC3、CC4、可動電荷收集第1佈線層32、可動電荷收集層間接點33、及可動電荷收集第2佈線層35。藉此，在非揮發性半導體記憶裝置1中，不使活性區域之各面積增加，而減少集聚於浮動閘極10a、10b之可動電荷之數量，故而可與先前同樣地實現記憶胞2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h、2i、2j、2k、2l之高速動作，並且可抑制因絕緣層37內之可動電荷停留於浮動閘極10a、10b而產生的記憶胞2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h、2i、2j、2k、2l之閾值電壓之變動。

    简体摘要： 本发明提出一种非挥发性半导体记忆设备，其可与先前同样地实现记忆胞之高速动作，并且可抑制因绝缘层内之可动电荷停留于浮动闸极而产生的记忆胞之阈值电压之变动。 于非挥发性半导体记忆设备1中，在浮动闸极10a、10b周边设置可动电荷收集组件层24、25、26、27、可动电荷收集接点CC1、CC2、CC3、CC4、可动电荷收集第1布线层32、可动电荷收集层间接点33、及可动电荷收集第2布线层35。借此，在非挥发性半导体记忆设备1中，不使活性区域之各面积增加，而减少集聚于浮动闸极10a、10b之可动电荷之数量，故而可与先前同样地实现记忆胞2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h、2i、2j、2k、2l之高速动作，并且可抑制因绝缘层37内之可动电荷停留于浮动闸极10a、10b而产生的记忆胞2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h、2i、2j、2k、2l之阈值电压之变动。