公开(公告)号：TW201538787A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104103900

申请日：2015-02-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李永剛 ,  LI, YONGGANG YONG ,  德赫 亞里崔 ,  DHAR, ARITRA ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  威廉斯 喬恩M ,  WILLIAMS, JON M.

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/40

CPC分类号： H01L21/4857 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C23C18/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/107

摘要： 本發明之實施例係描述介電層之選擇性無電式電鍍。根據一實施例，一介電層係經圖案化以形成一或多個經圖樣化表面。然後沿著該介電層之該等經圖樣化表面選擇性形成一晶種層。使用無電式電鍍法將金屬僅沉積在該介電層之經圖樣化表面上。根據一實施例，該介電層係經一活化劑前驅物摻雜。在該介電層之該等經圖樣化表面上進行雷射輔助的局部活化反應以藉使該活化劑前驅物減至零氧化態而僅在該介電層之該等經圖樣化表面上選擇性形成一晶種層。根據另一實施例，係使用一膠態或離子播種溶液以在該介電層之該等經圖樣化表面選擇性形成一晶種層。

简体摘要： 本发明之实施例系描述介电层之选择性无电式电镀。根据一实施例，一介电层系经图案化以形成一或多个经图样化表面。然后沿着该介电层之该等经图样化表面选择性形成一晶种层。使用无电式电镀法将金属仅沉积在该介电层之经图样化表面上。根据一实施例，该介电层系经一活化剂前驱物掺杂。在该介电层之该等经图样化表面上进行激光辅助的局部活化反应以藉使该活化剂前驱物减至零氧化态而仅在该介电层之该等经图样化表面上选择性形成一晶种层。根据另一实施例，系使用一胶态或离子播种溶液以在该介电层之该等经图样化表面选择性形成一晶种层。

公开(公告)号：TWI558845B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW104103900

申请日：2015-02-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李永剛 ,  LI, YONGGANG YONG ,  德赫 亞里崔 ,  DHAR, ARITRA ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  威廉斯 喬恩M ,  WILLIAMS, JON M.

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/40

CPC分类号： H01L21/4857 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C23C18/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/107