公开(公告)号：TWI595622B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW105109477

申请日：2011-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI398317B

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：TW098144173

申请日：2009-12-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  沙拉瑪 伊斯蘭 ,  SALAMA, ISLAM

IPC分类号： B23K26/38

CPC分类号： B23K26/082 ,  B23K26/066 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/24306

公开(公告)号：TWI619172B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105100678

申请日：2016-01-11

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 馬林 布蘭登C ,  MARIN, BRANDON C. ,  哥許達斯提塔 特里那 ,  GHOSH DASTIDAR, TRINA ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  恰維 席里夏 ,  CHAVA, SIRISHA

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C18/08

CPC分类号： H01L23/14 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49866 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/062 ,  H05K3/105 ,  H05K3/107 ,  H05K3/182 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2203/107

公开(公告)号：TW201538787A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104103900

申请日：2015-02-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李永剛 ,  LI, YONGGANG YONG ,  德赫 亞里崔 ,  DHAR, ARITRA ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  威廉斯 喬恩M ,  WILLIAMS, JON M.

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/40

CPC分类号： H01L21/4857 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C23C18/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/107

摘要： 本發明之實施例係描述介電層之選擇性無電式電鍍。根據一實施例，一介電層係經圖案化以形成一或多個經圖樣化表面。然後沿著該介電層之該等經圖樣化表面選擇性形成一晶種層。使用無電式電鍍法將金屬僅沉積在該介電層之經圖樣化表面上。根據一實施例，該介電層係經一活化劑前驅物摻雜。在該介電層之該等經圖樣化表面上進行雷射輔助的局部活化反應以藉使該活化劑前驅物減至零氧化態而僅在該介電層之該等經圖樣化表面上選擇性形成一晶種層。根據另一實施例，係使用一膠態或離子播種溶液以在該介電層之該等經圖樣化表面選擇性形成一晶種層。

简体摘要： 本发明之实施例系描述介电层之选择性无电式电镀。根据一实施例，一介电层系经图案化以形成一或多个经图样化表面。然后沿着该介电层之该等经图样化表面选择性形成一晶种层。使用无电式电镀法将金属仅沉积在该介电层之经图样化表面上。根据一实施例，该介电层系经一活化剂前驱物掺杂。在该介电层之该等经图样化表面上进行激光辅助的局部活化反应以藉使该活化剂前驱物减至零氧化态而仅在该介电层之该等经图样化表面上选择性形成一晶种层。根据另一实施例，系使用一胶态或离子播种溶液以在该介电层之该等经图样化表面选择性形成一晶种层。

公开(公告)号：TW201703147A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105100678

申请日：2016-01-11

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 馬林 布蘭登C ,  MARIN, BRANDON C. ,  哥許達斯提塔 特里那 ,  GHOSH DASTIDAR, TRINA ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  恰維 席里夏 ,  CHAVA, SIRISHA

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C18/08

CPC分类号： H01L23/14 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49866 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/062 ,  H05K3/105 ,  H05K3/107 ,  H05K3/182 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2203/107

摘要： 本揭示內容之實施例描述積體電路(IC)基體之選擇性金屬化。在一個實施例中，積體電路(IC)基體可包括介電材料及具有多邊形狀之金屬晶體，該等金屬晶體分散於該介電材料中且與配位體鍵合，該配位體在暴露於雷射光時剝蝕，以使得具有該剝蝕配位體之該等金屬晶體經活化以提供用於金屬之選擇性無電沉積之觸媒。可描述及/或請求其他實施例。

简体摘要： 本揭示内容之实施例描述集成电路(IC)基体之选择性金属化。在一个实施例中，集成电路(IC)基体可包括介电材料及具有多边形状之金属晶体，该等金属晶体分散于该介电材料中且与配位体键合，该配位体在暴露于激光光时剥蚀，以使得具有该剥蚀配位体之该等金属晶体经活化以提供用于金属之选择性无电沉积之触媒。可描述及/或请求其他实施例。

公开(公告)号：TWI558845B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW104103900

申请日：2015-02-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李永剛 ,  LI, YONGGANG YONG ,  德赫 亞里崔 ,  DHAR, ARITRA ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  威廉斯 喬恩M ,  WILLIAMS, JON M.

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/40

CPC分类号： H01L21/4857 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  C23C18/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/107

公开(公告)号：TWI412081B

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：TW098139704

申请日：2009-11-23

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  沙拉瑪 伊斯蘭 ,  SALAMA, ISLAM

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H05K3/107 ,  H05K3/0038 ,  H05K3/027 ,  H05K3/108 ,  H05K3/184 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09563 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

公开(公告)号：TWI538139B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW100142702

申请日：2011-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201735296A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105134021

申请日：2016-10-21

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 馬拉特卡 佩莫德 ,  MALATKAR, PRAMOD ,  耶茲 凱爾 ,  YAZZIE, KYLE ,  耶納木錫 納迦 S. ,  YAGNAMURTHY, NAGA SIVAKUMAR ,  哈里斯 理查 J. ,  HARRIES, RICHARD J. ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  亞齊尼帕利 波蘭斯 ,  AKKINEPALLY, PRANEETH ,  王雪飛 ,  WAN, XUEFEI ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  聖克曼 羅伯特 L. ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/562 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種電子封裝體，其包括一基板及附接在該基板上之一電子組件。一疊層附接在該基板之一上表面上，使得該疊層覆蓋該電子組件。該電子封裝體可更包括安裝在該疊層上之一加強材，其中該加強材係在該電子組件上方。

简体摘要： 一种电子封装体，其包括一基板及附接在该基板上之一电子组件。一叠层附接在该基板之一上表面上，使得该叠层覆盖该电子组件。该电子封装体可更包括安装在该叠层上之一加强材，其中该加强材系在该电子组件上方。

公开(公告)号：TW201701435A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105109477

申请日：2011-11-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊 米赫K ,  ROY, MIHIR K. ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H05K3/422 ,  G06F1/183 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： 一種包含前部及後部的半導體元件基體，該前部及該後部為配置於第一核心之前表面及後表面上的疊合核心。該第一核心有已鍍上金屬以及用空氣核心材料填滿的圓柱形鍍覆貫穿孔洞。該前部及該後部有用導電材料填滿以及耦合至該鍍覆貫穿孔洞的雷射鑽成錐形通孔。該後部包含傳遞至該前部的一整合電感線圈。該第一核心與該等疊合核心形成有整合電感線圈的混成核心半導體元件基體。

简体摘要： 一种包含前部及后部的半导体组件基体，该前部及该后部为配置于第一内核之前表面及后表面上的叠合内核。该第一内核有已镀上金属以及用空气内核材料填满的圆柱形镀覆贯穿孔洞。该前部及该后部有用导电材料填满以及耦合至该镀覆贯穿孔洞的激光钻成锥形通孔。该后部包含传递至该前部的一集成电感线圈。该第一内核与该等叠合内核形成有集成电感线圈的混成内核半导体组件基体。