公开(公告)号：TW200848529A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW097103487

申请日：2008-01-30

申请人： 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 馬克 伊恩 華格納 WAGNER, MARK IAN

IPC分类号： C23C ,  H01L

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1685 ,  C23C18/31

摘要： 一種用以在半導體基板上形成金屬膜的組成物及方法。所揭示方法之一包含:加熱該半導體基板以獲得一經加熱的半導體基板;暴露該經加熱的半導體基板至包含至少一金屬前驅物的一組成物,該金屬前驅物包含至少一配位子、一過量的中性不穩定配位子、一超臨界溶劑、以及可選擇地B、C、N、Si、P與其混合物其中至少一者的來源;在該經加熱的半導體基板處或接近該經加熱的半導體基板處,暴露該組成物至一還原劑及/或熱能;分離該至少一配位子與該金屬前驅物;及形成該金屬膜,但令金屬氧化物的形成極小化。

简体摘要： 一种用以在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法。所揭示方法之一包含:加热该半导体基板以获得一经加热的半导体基板;暴露该经加热的半导体基板至包含至少一金属前驱物的一组成物,该金属前驱物包含至少一配位子、一过量的中性不稳定配位子、一超临界溶剂、以及可选择地B、C、N、Si、P与其混合物其中至少一者的来源;在该经加热的半导体基板处或接近该经加热的半导体基板处,暴露该组成物至一还原剂及/或热能;分离该至少一配位子与该金属前驱物;及形成该金属膜,但令金属氧化物的形成极小化。

公开(公告)号：TW200839879A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW097102887

申请日：2008-01-25

申请人： 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 馬克 伊恩 華格納 WAGNER, MARK IAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C23C26/00 ,  H01L21/283

摘要： 本發明揭露在半導體基板上沉積元素態金屬M(0)膜的組成物及方法。所揭露的方法之一包含:加熱半導體基板以獲得熱半導體基板;使該熱半導體基板接觸到含有金屬前驅物、過量的中性不穩定配位基(neutral labile ligands)、以及超臨界溶劑的組成物;在該熱半導體基板或其附近,使該金屬前驅物接觸到還原劑及/或熱能;藉著使用該還原劑及/或該熱能,將該金屬前驅物還原成元素態金屬M(0);並且沉積該元素態金屬M(0)膜,同時儘量減少金屬氧化物的形成。

简体摘要： 本发明揭露在半导体基板上沉积元素态金属M(0)膜的组成物及方法。所揭露的方法之一包含:加热半导体基板以获得热半导体基板;使该热半导体基板接触到含有金属前驱物、过量的中性不稳定配位基(neutral labile ligands)、以及超临界溶剂的组成物;在该热半导体基板或其附近,使该金属前驱物接触到还原剂及/或热能;借着使用该还原剂及/或该热能,将该金属前驱物还原成元素态金属M(0);并且沉积该元素态金属M(0)膜,同时尽量减少金属氧化物的形成。