公开(公告)号：TWI685968B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW107141841

申请日：2018-11-23

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 蔡鎔澤 ,  TSAI, JUNG-TSE ,  葉伯淳 ,  YEH, PO-CHUN ,  徐建華 ,  HSU, CHIEN-HUA ,  凃伯璁 ,  TU, PO-TSUNG

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02

公开(公告)号：TWI673831B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：TW107140212

申请日：2018-11-13

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 王志耀 ,  WANG, CHIH YAO ,  李亨元 ,  LEE, HENG YUAN ,  葉伯淳 ,  YEH, PO CHUN ,  林雨德 ,  LIN, YU DE ,  徐建華 ,  HSU, CHIEN HUA

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11517 ,  G11C11/22

公开(公告)号：TW202018872A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW107140212

申请日：2018-11-13

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 王志耀 ,  WANG, CHIH YAO ,  李亨元 ,  LEE, HENG YUAN ,  葉伯淳 ,  YEH, PO CHUN ,  林雨德 ,  LIN, YU DE ,  徐建華 ,  HSU, CHIEN HUA

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11517 ,  G11C11/22

摘要： 一種鐵電記憶體，包括有一基板，並於該基板上形成一或多個溝槽，該溝槽的表面上設置有一第一導電層與一第二導電層及位於該第一導電層與該第二導電層間的一鐵電薄膜層，該第二導電層上堆疊有一第一填充材料層、一第二填充材料層及一第三填充材料層，該第二填充材料層的熱膨脹係數大於第一填充材料層與第三填充材料層的熱膨脹係數；及該鐵電薄膜層經過熱處理形成結晶態時，利用該第一填充材料層、該第二填充材料層及該第三填充材料層遇熱處理膨脹特性而對鐵電薄膜層施加一壓縮應力。本發明另提供一種鐵電記憶體之製造方法。

简体摘要： 一种铁电内存，包括有一基板，并于该基板上形成一或多个沟槽，该沟槽的表面上设置有一第一导电层与一第二导电层及位于该第一导电层与该第二导电层间的一铁电薄膜层，该第二导电层上堆栈有一第一填充材料层、一第二填充材料层及一第三填充材料层，该第二填充材料层的热膨胀系数大于第一填充材料层与第三填充材料层的热膨胀系数；及该铁电薄膜层经过热处理形成结晶态时，利用该第一填充材料层、该第二填充材料层及该第三填充材料层遇热处理膨胀特性而对铁电薄膜层施加一压缩应力。本发明另提供一种铁电内存之制造方法。