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    三族氮化物半導體結構
    3.
    发明专利
    三族氮化物半導體結構 审中-公开
    三族氮化物半导体结构

    公开(公告)号：TW201911570A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW106125145

    申请日：2017-07-26

    申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

    发明人： 鄒權煒 ,  TSOU, CHUAN-WEI ,  葉伯淳 ,  YEH, PO-CHUN ,  李亨元 ,  LEE, HENG-YUAN

    IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/778

    摘要： 一種三族氮化物半導體結構，包括：一基板；一緩衝層，位於基板之上；一第一氮化鎵層，位於緩衝層之上，第一氮化鎵層包括p型導電態之氮化鎵；一第二氮化鎵層，位於第一氮化鎵層上，第二氮化鎵層包括至少一第一區域和一第二區域；一通道層，位於第二氮化鎵層之上；一阻障層，位於通道層之上；和一閘極，位於阻障層之上。其中，第二氮化鎵層之第一區域係對應閘極且包括第一摻雜濃度之n型導電態之氮化鎵，第二氮化鎵層之第二區域係對應於閘極以外且包括第二摻雜濃度之n型導電態之氮化鎵，其中第一摻雜濃度小於第二摻雜濃度。

    简体摘要： 一种三族氮化物半导体结构，包括：一基板；一缓冲层，位于基板之上；一第一氮化镓层，位于缓冲层之上，第一氮化镓层包括p型导电态之氮化镓；一第二氮化镓层，位于第一氮化镓层上，第二氮化镓层包括至少一第一区域和一第二区域；一信道层，位于第二氮化镓层之上；一阻障层，位于信道层之上；和一闸极，位于阻障层之上。其中，第二氮化镓层之第一区域系对应闸极且包括第一掺杂浓度之n型导电态之氮化镓，第二氮化镓层之第二区域系对应于闸极以外且包括第二掺杂浓度之n型导电态之氮化镓，其中第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。

    鐵電記憶體及其製造方法
    5.
    发明专利
    鐵電記憶體及其製造方法 审中-公开
    铁电内存及其制造方法

    公开(公告)号：TW202018872A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW107140212

    申请日：2018-11-13

    申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

    发明人： 王志耀 ,  WANG, CHIH YAO ,  李亨元 ,  LEE, HENG YUAN ,  葉伯淳 ,  YEH, PO CHUN ,  林雨德 ,  LIN, YU DE ,  徐建華 ,  HSU, CHIEN HUA

    IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11517 ,  G11C11/22

    摘要： 一種鐵電記憶體，包括有一基板，並於該基板上形成一或多個溝槽，該溝槽的表面上設置有一第一導電層與一第二導電層及位於該第一導電層與該第二導電層間的一鐵電薄膜層，該第二導電層上堆疊有一第一填充材料層、一第二填充材料層及一第三填充材料層，該第二填充材料層的熱膨脹係數大於第一填充材料層與第三填充材料層的熱膨脹係數；及該鐵電薄膜層經過熱處理形成結晶態時，利用該第一填充材料層、該第二填充材料層及該第三填充材料層遇熱處理膨脹特性而對鐵電薄膜層施加一壓縮應力。本發明另提供一種鐵電記憶體之製造方法。

    简体摘要： 一种铁电内存，包括有一基板，并于该基板上形成一或多个沟槽，该沟槽的表面上设置有一第一导电层与一第二导电层及位于该第一导电层与该第二导电层间的一铁电薄膜层，该第二导电层上堆栈有一第一填充材料层、一第二填充材料层及一第三填充材料层，该第二填充材料层的热膨胀系数大于第一填充材料层与第三填充材料层的热膨胀系数；及该铁电薄膜层经过热处理形成结晶态时，利用该第一填充材料层、该第二填充材料层及该第三填充材料层遇热处理膨胀特性而对铁电薄膜层施加一压缩应力。本发明另提供一种铁电内存之制造方法。