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    半導體層的製備方法
    1.
    发明专利
    半導體層的製備方法 审中-公开
    半导体层的制备方法

    公开(公告)号：TW201818524A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW105138580

    申请日：2016-11-24

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 李東琦 ,  LI, DONG-QI ,  魏洋 ,  WEI, YANG ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: H01L23/52 ,  B82Y30/00

    Abstract: 一種半導體層的製備方法，其包括以下步驟：提供一奈米碳管膜，該奈米碳管膜包括多個奈米碳管；提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層；將所述奈米碳管膜設置在所述絕緣層上；將奈米碳管膜放置在掃描電鏡下，採用掃描電鏡對所述奈米碳管膜拍攝照片；獲得奈米碳管膜的照片，照片中奈米碳管分佈在襯底上，比襯底顏色淺的奈米碳管為金屬型奈米碳管，比襯底顏色深的奈米碳管為半導體型奈米碳管；按照和照片相同的比例，在實物上相同的位置對金屬型的奈米碳管進行標識，並除去金屬型的奈米碳管。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一奈米碳管膜，该奈米碳管膜包括多个奈米碳管；提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；将所述奈米碳管膜设置在所述绝缘层上；将奈米碳管膜放置在扫描电镜下，采用扫描电镜对所述奈米碳管膜拍摄照片；获得奈米碳管膜的照片，照片中奈米碳管分布在衬底上，比衬底颜色浅的奈米碳管为金属型奈米碳管，比衬底颜色深的奈米碳管为半导体型奈米碳管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的奈米碳管进行标识，并除去金属型的奈米碳管。

    靜電感測器
    3.
    发明专利
    靜電感測器 审中-公开
    静电传感器

    公开(公告)号：TW201629525A

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：TW104105177

    申请日：2015-02-13

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 王新河 ,  WANG, XIN-HE ,  李東琦 ,  LI, DONG-QI ,  王江濤 ,  WANG, JIANG-TAO ,  武文贇 ,  WU, WEN-YUN ,  何宇俊 ,  HE, YU-JUN ,  柳鵬 ,  LIU, PENG ,  趙清宇 ,  ZHAO, QING-YU ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: G01V3/08 ,  G06F3/045

    CPC classification number: G06F3/045 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/04101 ,  G06F2203/04103 ,  H03K17/955 ,  H03K2017/9602

    Abstract: 本發明涉及一種靜電感測器，包括一個傳感單元和一個控制單元，所述傳感單元包括至少一個第一傳感元件，以及至少兩個第一電極設置在該至少一個第一傳感元件的兩端並與該至少一個第一傳感元件電連接，所述至少一第一傳感元件為一維半導體奈米結構，該一維半導體奈米結構電導率變化對費米面位置移動的陡率的絕對值約大於10-3 ，當帶有靜電的物體靠近該第一傳感元件時，該第一傳感元件的電阻產生變化；該控制單通過導線於所述至少一個第一傳感元件電連接，並通過向所述至少一個第一傳感元件施加電壓後測量該至少一個第一傳感元件的電阻並輸出電阻的信號。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种静电传感器，包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括至少一个第一传感组件，以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感组件的两端并与该至少一个第一传感组件电连接，所述至少一第一传感组件为一维半导体奈米结构，该一维半导体奈米结构电导率变化对费米面位置移动的陡率的绝对值约大于10-3 ，当带有静电的物体靠近该第一传感组件时，该第一传感组件的电阻产生变化；该控制单通过导线于所述至少一个第一传感组件电连接，并通过向所述至少一个第一传感组件施加电压后测量该至少一个第一传感组件的电阻并输出电阻的信号。

    靜電分布測量裝置
    4.
    发明专利
    靜電分布測量裝置 审中-公开
    静电分布测量设备

    公开(公告)号：TW201623981A

    公开(公告)日：2016-07-01

    申请号：TW104105184

    申请日：2015-02-13

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 王新河 ,  WANG, XIN-HE ,  李東琦 ,  LI, DONG-QI ,  王江濤 ,  WANG, JIANG-TAO ,  武文贇 ,  WU, WEN-YUN ,  何宇俊 ,  HE, YU-JUN ,  柳鵬 ,  LIU, PENG ,  趙清宇 ,  ZHAO, QING-YU ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: G01R29/14

    CPC classification number: G01R29/14 ,  G01R29/24

    Abstract: 一種靜電分布測量裝置，包括傳感單元和控制單元，所述傳感單元包括N個靜電傳感元件，N為大於1的整數，所述N個靜電傳感元件為單壁或少壁奈米碳管，相互絕緣設置，當帶有靜電的物體靠近該靜電傳感元件時，該靜電傳感元件的電阻值產生變化；所述控制單元分別與所述每一個靜電傳感元件的端點電連接，用於測量每一個靜電傳感元件的電阻變化值ΔRi ，i=1,2,3…N，並將所述電阻變化值ΔRi 轉換成靜電信息輸出。本發明提供的靜電分布測量裝置測量時不需與待測物接觸，且測量值不會隨著時間而改變。

    Abstract in simplified Chinese: 一种静电分布测量设备，包括传感单元和控制单元，所述传感单元包括N个静电传感组件，N为大于1的整数，所述N个静电传感组件为单壁或少壁奈米碳管，相互绝缘设置，当带有静电的物体靠近该静电传感组件时，该静电传感组件的电阻值产生变化；所述控制单元分别与所述每一个静电传感组件的端点电连接，用于测量每一个静电传感组件的电阻变化值ΔRi ，i=1,2,3…N，并将所述电阻变化值ΔRi 转换成静电信息输出。本发明提供的静电分布测量设备测量时不需与待测物接触，且测量值不会随着时间而改变。

    靜電計
    5.
    发明专利
    靜電計 审中-公开
    静电计

    公开(公告)号：TW201623980A

    公开(公告)日：2016-07-01

    申请号：TW104105183

    申请日：2015-02-13

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 王新河 ,  WANG, XIN-HE ,  李東琦 ,  LI, DONG-QI ,  王江濤 ,  WANG, JIANG-TAO ,  武文贇 ,  WU, WEN-YUN ,  何宇俊 ,  HE, YU-JUN ,  柳鵬 ,  LIU, PENG ,  趙清宇 ,  ZHAO, QING-YU ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: G01R29/12

    CPC classification number: G01R29/12

    Abstract: 一種靜電計，包括一個傳感單元和一個控制單元，所述傳感單元包括N個靜電傳感元件、N-1個第二電極；所述N個靜電傳感元件間隔設置並且通過所述N-1個第二電極串聯，形成由N個靜電傳感元件構成的串聯結構，所述靜電傳感元件為單壁或少壁奈米碳管，當帶有靜電的待測物靠近該靜電傳感元件時，該靜電傳感元件的電阻值產生變化；所述控制單元與所述串聯結構的兩個端點電連接，用於測量所述N個靜電傳感元件電阻變化值ΔR，並將該電阻變化值ΔR轉換成靜電信息輸出。

    Abstract in simplified Chinese: 一种静电计，包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括N个静电传感组件、N-1个第二电极；所述N个静电传感组件间隔设置并且通过所述N-1个第二电极串联，形成由N个静电传感组件构成的串联结构，所述静电传感组件为单壁或少壁奈米碳管，当带有静电的待测物靠近该静电传感组件时，该静电传感组件的电阻值产生变化；所述控制单元与所述串联结构的两个端点电连接，用于测量所述N个静电传感组件电阻变化值ΔR，并将该电阻变化值ΔR转换成静电信息输出。

    透明導電層的製備方法
    6.
    发明专利
    透明導電層的製備方法 审中-公开
    透明导电层的制备方法

    公开(公告)号：TW201818430A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW105138579

    申请日：2016-11-24

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 李東琦 ,  LI, DONG-QI ,  魏洋 ,  WEI, YANG ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/04

    Abstract: 一種透明導電層的製備方法，其包括以下步驟：提供一奈米碳管膜，該奈米碳管膜包括多個奈米碳管；提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層；將所述奈米碳管膜設置在所述絕緣層上；將奈米碳管膜放置在掃描電鏡下，採用掃描電鏡對所述奈米碳管膜拍攝照片；獲得奈米碳管膜的照片，照片中奈米碳管分佈在襯底上，比襯底顏色淺的奈米碳管為金屬型奈米碳管，比襯底顏色深的奈米碳管為半導體型奈米碳管；按照和照片相同的比例，在實物上相同的位置對半導體型的奈米碳管進行標識，並除去半導體型的奈米碳管。

    Abstract in simplified Chinese: 一种透明导电层的制备方法，其包括以下步骤：提供一奈米碳管膜，该奈米碳管膜包括多个奈米碳管；提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；将所述奈米碳管膜设置在所述绝缘层上；将奈米碳管膜放置在扫描电镜下，采用扫描电镜对所述奈米碳管膜拍摄照片；获得奈米碳管膜的照片，照片中奈米碳管分布在衬底上，比衬底颜色浅的奈米碳管为金属型奈米碳管，比衬底颜色深的奈米碳管为半导体型奈米碳管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对半导体型的奈米碳管进行标识，并除去半导体型的奈米碳管。

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