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    切割材料塊的方法及薄膜形成技術
    1.
    发明专利
    切割材料塊的方法及薄膜形成技術 有权
    切割材料块的方法及薄膜形成技术

    公开(公告)号：TW505962B

    公开(公告)日：2002-10-11

    申请号：TW090116949

    申请日：2001-07-11

    申请人： 原子能委原會

    发明人： 柏納德 亞斯派 ,  克里斯泰爾 拉加葉

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1967

    摘要： 一種方法，係用於切割材料塊(10)，其係包括以下的階段：
    (a)在材料塊中形成埋藏區(12)，藉由至少一離子引入
    的階段加以脆化，埋藏區定出材料塊之至少一表面
    部分(14)，
    (b)藉由使用分離之第一方法於至少一分離引發劑(30，
    36)之脆化區的位置形成，該等方法係可由以下加以
    選擇：嵌入一工具、注射一種流體、熱處理及/或注
    入離子(係與前階段中所引入之離子的本質不同)及
    (c)在材料塊之表面部分(14)的脆化區位置自其餘之部
    分(16)(所謂的質量部分)分離，藉由使用第二方法自
    分離引發劑(30，36)分離，該方法係與第一分離方
    法不同，係可由以下加以選擇：熱處理及/或施加機
    械力作用在表面部分與脆化區之間。
    此應用係用在製造供微電子學、光學電子學或微機械所用之元件。

    简体摘要： 一种方法，系用于切割材料块(10)，其系包括以下的阶段： (a)在材料块中形成埋藏区(12)，借由至少一离子引入 的阶段加以脆化，埋藏区定出材料块之至少一表面 部分(14)， (b)借由使用分离之第一方法于至少一分离引发剂(30， 36)之脆化区的位置形成，该等方法系可由以下加以 选择：嵌入一工具、注射一种流体、热处理及/或注 入离子(系与前阶段中所引入之离子的本质不同)及 (c)在材料块之表面部分(14)的脆化区位置自其余之部 分(16)(所谓的质量部分)分离，借由使用第二方法自 分离引发剂(30，36)分离，该方法系与第一分离方 法不同，系可由以下加以选择：热处理及/或施加机 械力作用在表面部分与脆化区之间。 此应用系用在制造供微电子学、光学电子学或微机械所用之组件。

    一維微奈米結構的移植方法
    6.
    发明专利
    一維微奈米結構的移植方法 审中-公开
    一维微奈米结构的移植方法

    公开(公告)号：TW200948708A

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：TW097119718

    申请日：2008-05-28

    申请人： 國立臺灣大學

    发明人： 林清富 ,  許書嘉 ,  蕭傑予 ,  劉孟岳

    IPC分类号： B82B ,  H01L

    CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/0191

    摘要： 一種一維微奈米結構的移植方法，鑑於習知特定材料的奈米線在使用方面受到很大的限制，提出一種利用轉移的移植技術，係先將已經做好的一維微奈米結構移植到另一個任意的基板上，而可使一維微奈米結構整合到不同的基板上，提供了多樣化的奈米線元件的製作以及開發。

    简体摘要： 一种一维微奈米结构的移植方法，鉴于习知特定材料的奈米线在使用方面受到很大的限制，提出一种利用转移的移植技术，系先将已经做好的一维微奈米结构移植到另一个任意的基板上，而可使一维微奈米结构集成到不同的基板上，提供了多样化的奈米线组件的制作以及开发。

    晶圓接合之可循環壓印裝置及可循環壓印製程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND
    7.
    发明专利
    晶圓接合之可循環壓印裝置及可循環壓印製程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND 审中-公开
    晶圆接合之可循环压印设备及可循环压印制程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND

    公开(公告)号：TW200828522A

    公开(公告)日：2008-07-01

    申请号：TW095149530

    申请日：2006-12-28

    申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

    发明人： 陳駿 CHEN, JIUNN ,  王盟仁 WANG, MENG JEN

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/50 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0191 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/10 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

    摘要： 一種可循環壓印裝置及可循環壓印製程。可循環壓印裝置包括一基底、一保護層、一堆疊結構及一封蓋。保護層係設置於基底上。一封蓋開口係位於保護層及基底,且封蓋開口係暴露出基底。堆疊結構包括一附著層、一應力控制層及一晶圓接合對準記號層。附著層係設置於保護層上及暴露之基底上。應力控制層係設置於附著層上。晶圓接合對準記號層係設置於應力控制層上。晶圓接合對準記號層具有一對準記號,且其係位於封蓋開口之一側。封蓋具有一覆蓋部,其係設置於對應封蓋開口之晶圓接合對準記號層上。

    简体摘要： 一种可循环压印设备及可循环压印制程。可循环压印设备包括一基底、一保护层、一堆栈结构及一封盖。保护层系设置于基底上。一封盖开口系位于保护层及基底,且封盖开口系暴露出基底。堆栈结构包括一附着层、一应力控制层及一晶圆接合对准记号层。附着层系设置于保护层上及暴露之基底上。应力控制层系设置于附着层上。晶圆接合对准记号层系设置于应力控制层上。晶圆接合对准记号层具有一对准记号,且其系位于封盖开口之一侧。封盖具有一覆盖部,其系设置于对应封盖开口之晶圆接合对准记号层上。