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公开(公告)号:TWI643981B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:TW106102939
申请日:2017-01-25
发明人: 潘尼卡西歐二世 文森 , PANECCASIO, JR., VINCENT , 惠登 凱力 , WHITTEN, KYLE , 理察生 湯瑪斯B , RICHARDSON, THOMAS B. , 李 伊凡 , LI, IVAN
IPC分类号: C25D3/38 , C25D7/12 , C08G65/24 , C08G65/333 , H05K3/42 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/532 , H01L25/065
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公开(公告)号:TW201802297A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106102939
申请日:2017-01-25
发明人: 潘尼卡西歐二世 文森 , PANECCASIO, JR., VINCENT , 惠登 凱力 , WHITTEN, KYLE , 理察生 湯瑪斯B , RICHARDSON, THOMAS B. , 李 伊凡 , LI, IVAN
IPC分类号: C25D3/38 , C25D7/12 , C08G65/24 , C08G65/333 , H05K3/42 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/532 , H01L25/065
CPC分类号: C25D3/38 , C08G65/24 , C08G65/33396 , C25D7/12 , C25D7/123 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/53228 , H01L25/0657 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H05K3/188 , H05K3/424 , H05K2203/0723
摘要: 一種水性電解組成物,及一種使用該水性電解組成物將銅電沈積在介電體或半導體基本結構上之方法。該方法包括(i)將在基本結構上包含種子導電層之金屬化基板以水性電解沈積組成物接觸;及(ii)對該電解沈積組成物供應電流而將銅沈積在該基板上。該水性電解組成物包含:(a)銅離子;(b)酸;(c)抑制劑;及(d)包含n個對應結構1N的重複單元、與p個對應結構1P的重複單元之四級化聚(表鹵醇):
简体摘要: 一种水性电解组成物,及一种使用该水性电解组成物将铜电沉积在介电体或半导体基本结构上之方法。该方法包括(i)将在基本结构上包含种子导电层之金属化基板以水性电解沉积组成物接触;及(ii)对该电解沉积组成物供应电流而将铜沉积在该基板上。该水性电解组成物包含:(a)铜离子;(b)酸;(c)抑制剂;及(d)包含n个对应结构1N的重复单元、与p个对应结构1P的重复单元之四级化聚(表卤醇):
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