公开(公告)号：TWI673394B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：TW106132537

申请日：2017-09-22

Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  賀圖比茲 里查 ,  HURTUBISE, RICHARD ,  康曼德 約翰 ,  COMMANDER, JOHN ,  羅亞 艾瑞克 ,  ROUYA, ERIC

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L21/445 ,  H01L21/768 ,  H05K3/42

公开(公告)号：TWI643981B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：TW106102939

申请日：2017-01-25

Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  理察生 湯瑪斯B ,  RICHARDSON, THOMAS B. ,  李 伊凡 ,  LI, IVAN

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  C08G65/24 ,  C08G65/333 ,  H05K3/42 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L25/065

公开(公告)号：TW201821648A

公开(公告)日：2018-06-16

申请号：TW106132537

申请日：2017-09-22

Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  賀圖比茲 里查 ,  HURTUBISE, RICHARD ,  康曼德 約翰 ,  COMMANDER, JOHN ,  羅亞 艾瑞克 ,  ROUYA, ERIC

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L21/445 ,  H01L21/768 ,  H05K3/42

Abstract: 本發明揭示一種用以在半導體積體電路裝置中超填次微米特徵之電解鍍敷組成物，及使用其之方法。該組成物包含：(a)將銅電解沉積在基板上及呈電互連特徵的銅離子來源；及(b)包含至少3個胺位置之抑制劑，該多醚包含具有環氧丙烷(PO)重複單元與環氧乙烷(EO)重複單元之嵌段共聚物取代基，其中該抑制劑化合物之數量平均分子量在約1,000至約20,000之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用以在半导体集成电路设备中超填次微米特征之电解镀敷组成物，及使用其之方法。该组成物包含：(a)将铜电解沉积在基板上及呈电互连特征的铜离子来源；及(b)包含至少3个胺位置之抑制剂，该多醚包含具有环氧丙烷(PO)重复单元与环氧乙烷(EO)重复单元之嵌段共聚物取代基，其中该抑制剂化合物之数量平均分子量在约1,000至约20,000之间。

公开(公告)号：TW201829848A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106132633

申请日：2017-09-22

Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 李察森 湯瑪斯 ,  RICHARDSON, THOMAS ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  康曼德 約翰 ,  COMMANDER, JOHN ,  賀圖比茲 里查 ,  HURTUBISE, RICHARD

IPC: C25D3/02 ,  C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L23/48

Abstract: 本發明揭示一種電沉積組成物，其包含：(a)銅離子來源；(b)酸；(c)抑制劑；及(d)調平劑，其中該調平劑包含將二吡啶基化合物以二官能基烷化劑反應而製備的四級化二吡啶基化合物、或四級化聚(表氯醇)。該電沉積組成物可用於在半導體基板上以晶圓級封裝形成銅特徵之方法，而在半導體組合件之凸塊下結構上電沉積銅凸塊或柱體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种电沉积组成物，其包含：(a)铜离子来源；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)调平剂，其中该调平剂包含将二吡啶基化合物以二官能基烷化剂反应而制备的四级化二吡啶基化合物、或四级化聚(表氯醇)。该电沉积组成物可用于在半导体基板上以晶圆级封装形成铜特征之方法，而在半导体组合件之凸块下结构上电沉积铜凸块或柱体。

公开(公告)号：TW201823519A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106132540

申请日：2017-09-22

Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 納札 艾利 ,  NAJJAR, ELIE ,  邵 溫博 ,  SHAO, WENBO ,  潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  賀圖比茲 里查 ,  HURTUBISE, RICHARD ,  康曼德 約翰 ,  COMMANDER, JOHN ,  李公正 ,  LI, IVAN ,  維邦特 漢恩 ,  VERBUNT, HAN ,  克拉馬二世 法蘭克R ,  KRAMER, JR., FRANK R. ,  葉 平平 ,  YE, PINGPING ,  李察森 湯瑪斯 ,  RICHARDSON, THOMAS ,  劉道奇 ,  LIU, TAO CHI

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

Abstract: 本發明揭述一種將銅層電沉積在金屬化基板上之方法。該金屬化基板包含位於且電連接具有半導體材料之光伏電池面板之最初導電層。該方法之步驟包含(i)將該金屬化基板以水性電沉積組成物接觸，及(ii)對該水性電沉積組成物供應電解電流，而在該金屬化基板上造成銅沉積物。該水性電沉積組成物包含(a)銅離子來源，(b)酸，(c)氯離子，及(d)去極化劑，其包含選自由O-烷基-S-硫代烴基黃原酸基、巰基丙磺酸基、二硫化貳(硫代丙基)、N,N-二甲胺基二硫胺甲醯基-1-丙磺酸基、該有機磺酸基的酸水解產物、及該有機磺酸基與水解產物的混合物所組成的群組之有機磺酸陰離子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭述一种将铜层电沉积在金属化基板上之方法。该金属化基板包含位于且电连接具有半导体材料之光伏电池皮肤之最初导电层。该方法之步骤包含(i)将该金属化基板以水性电沉积组成物接触，及(ii)对该水性电沉积组成物供应电解电流，而在该金属化基板上造成铜沉积物。该水性电沉积组成物包含(a)铜离子来源，(b)酸，(c)氯离子，及(d)去极化剂，其包含选自由O-烷基-S-硫代烃基黄原酸基、巯基丙磺酸基、二硫化贰(硫代丙基)、N,N-二甲胺基二硫胺甲酰基-1-丙磺酸基、该有机磺酸基的酸水解产物、及该有机磺酸基与水解产物的混合物所组成的群组之有机磺酸阴离子。

公开(公告)号：TW201802297A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106102939

申请日：2017-01-25

Applicant: 麥克達米德恩索龍股份有限公司 ,  MACDERMID ENTHONE INC.

Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 ,  PANECCASIO, JR., VINCENT ,  惠登 凱力 ,  WHITTEN, KYLE ,  理察生 湯瑪斯B ,  RICHARDSON, THOMAS B. ,  李 伊凡 ,  LI, IVAN

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  C08G65/24 ,  C08G65/333 ,  H05K3/42 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L25/065

CPC classification number: C25D3/38 ,  C08G65/24 ,  C08G65/33396 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H05K3/188 ,  H05K3/424 ,  H05K2203/0723

Abstract: 一種水性電解組成物，及一種使用該水性電解組成物將銅電沈積在介電體或半導體基本結構上之方法。該方法包括(i)將在基本結構上包含種子導電層之金屬化基板以水性電解沈積組成物接觸；及(ii)對該電解沈積組成物供應電流而將銅沈積在該基板上。該水性電解組成物包含：(a)銅離子；(b)酸；(c)抑制劑；及(d)包含n個對應結構1N的重複單元、與p個對應結構1P的重複單元之四級化聚(表鹵醇)：

Abstract in simplified Chinese: 一种水性电解组成物，及一种使用该水性电解组成物将铜电沉积在介电体或半导体基本结构上之方法。该方法包括(i)将在基本结构上包含种子导电层之金属化基板以水性电解沉积组成物接触；及(ii)对该电解沉积组成物供应电流而将铜沉积在该基板上。该水性电解组成物包含：(a)铜离子；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)包含n个对应结构1N的重复单元、与p个对应结构1P的重复单元之四级化聚(表卤醇)：