公开(公告)号：TW201807239A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106112725

申请日：2017-04-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V. ,  愛美科公司 ,  IMEC VZW

Inventor： 梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  內本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  葛漢德 羅爾 ,  GRONHEID, ROEL ,  辛區 艾爾君 ,  SINGH, ARJUN

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C8/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32

Abstract: 揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的方法。所述方法包括用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述方法亦包括選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。