利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

3 条记录 (耗时 0.014 秒)

    反射型空白罩體及其製造方法、反射型罩體之製造方法、以及半導體裝置之製造方法
    1.
    发明专利
    反射型空白罩體及其製造方法、反射型罩體之製造方法、以及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    反射型空白罩体及其制造方法、反射型罩体之制造方法、以及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201426163A

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：TW102127209

    申请日：2013-07-30

    申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 濱本和宏 ,  HAMAMOTO, KAZUHIRO ,  淺川龍男 ,  ASAKAWA, TATSUO ,  丸山修 ,  MARUYAMA, OSAMU ,  笑喜勉 ,  SHOKI, TSUTOMU

    IPC分类号： G03F1/22

    CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/48

    摘要： 本發明係提供一種反射型空白罩體，係可防止於罩體製程或罩體使用時之洗淨等所造成之多層反射膜的剝落。本發明之反射型空白罩體係於基板上依序形成有多層反射膜、保護膜、吸收體膜、及阻劑膜。當從基板中心至多層反射膜外周緣的距離為L(ML)、從基板中心至保護膜外周緣的距離為L(Cap)、從基板中心至吸收體膜外周緣的距離為L(Abs)、從基板中心至阻劑膜外周緣的距離為L(Res)之情況，滿足L(Abs)＞L(Res)＞L(Cap)≧L(ML)，且，阻劑膜外周緣係位在基板外周緣更內側處。

    简体摘要： 本发明系提供一种反射型空白罩体，系可防止于罩体制程或罩体使用时之洗净等所造成之多层反射膜的剥落。本发明之反射型空白罩体系于基板上依序形成有多层反射膜、保护膜、吸收体膜、及阻剂膜。当从基板中心至多层反射膜外周缘的距离为L(ML)、从基板中心至保护膜外周缘的距离为L(Cap)、从基板中心至吸收体膜外周缘的距离为L(Abs)、从基板中心至阻剂膜外周缘的距离为L(Res)之情况，满足L(Abs)＞L(Res)＞L(Cap)≧L(ML)，且，阻剂膜外周缘系位在基板外周缘更内侧处。