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公开(公告)号：TW201535416A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104118893
申请日：2013-02-08
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/0018 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , H01B1/026 , H01G4/2325 , H01G4/30
摘要： 本發明提供一種可較佳地用於製造晶片積層陶瓷電容器用電極且燒結延遲性優異之經表面處理的金屬粉，藉由下述經表面處理之金屬粉而提供本發明：於藉由STEM而獲得之表面附近之EDS濃度profile中，Ti、Al、Si、Zr、Ce、Sn之任一者之厚度為1~25nm。
简体摘要： 本发明提供一种可较佳地用于制造芯片积层陶瓷电容器用电极且烧结延迟性优异之经表面处理的金属粉，借由下述经表面处理之金属粉而提供本发明：于借由STEM而获得之表面附近之EDS浓度profile中，Ti、Al、Si、Zr、Ce、Sn之任一者之厚度为1~25nm。
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公开(公告)号：TWI423742B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW100110724
申请日：2011-03-29
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI , 中願寺美里 , CHUGANJI, MISATO
CPC分类号： C23C30/00 , C23C14/165 , H05K1/09 , H05K2201/0355
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公开(公告)号：TW201325334A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101135023
申请日：2012-09-25
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
CPC分类号： B32B15/01 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , H05K3/022 , H05K3/06 , H05K2201/098 , H05K2201/09827
摘要： 本發明提供一種可製造適於精細間距(fine pitch)化且梯形上下底差小之剖面形狀之電路的印刷配線板用銅箔及使用其之積層板。該印刷配線板用銅箔具備銅箔基材及被覆該銅箔基材表面之至少一部分的被覆層，蝕刻時會有電子自銅箔側流動之被覆層形成於上述蝕刻時之形成抗蝕劑圖案的面。
简体摘要： 本发明提供一种可制造适于精细间距(fine pitch)化且梯形上下底差小之剖面形状之电路的印刷配线板用铜箔及使用其之积层板。该印刷配线板用铜箔具备铜箔基材及被覆该铜箔基材表面之至少一部分的被覆层，蚀刻时会有电子自铜箔侧流动之被覆层形成于上述蚀刻时之形成抗蚀剂图案的面。
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公开(公告)号：TWI397359B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW100110725
申请日：2011-03-29
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI , 中願寺美里 , CHUGANJI, MISATO
CPC分类号： C23C30/00 , H05K1/09 , H05K2201/0355
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公开(公告)号：TWI527069B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW102106119
申请日：2013-02-21
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
CPC分类号： B22F1/0059 , B22F1/0062 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30
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7.发明专利
公开(公告)号：TW201412516A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102124039
申请日：2013-07-04
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
CPC分类号： C23C26/00 , H01G4/224 , H01G9/08 , H01G9/10 , H01L23/4334 , H01L33/56 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
摘要： 提供一種具有可以良好之密合力與液晶聚合物接合之表面的金屬材料、金屬-液晶聚合物複合體及其製造方法、以及電子零件。一種金屬材料，具有用於與液晶聚合物接合之表面，於藉由STEM獲得之上述表面最表層10 nm以內的EDS(能量色散X射線分析)之濃度分佈中，Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce中之任一層的厚度為1 nm以上。
简体摘要： 提供一种具有可以良好之密合力与液晶聚合物接合之表面的金属材料、金属-液晶聚合物复合体及其制造方法、以及电子零件。一种金属材料，具有用于与液晶聚合物接合之表面，于借由STEM获得之上述表面最表层10 nm以内的EDS(能量色散X射线分析)之浓度分布中，Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce中之任一层的厚度为1 nm以上。
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公开(公告)号：TWI419623B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW101106923
申请日：2012-03-02
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI , 田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
CPC分类号： C23C28/021 , B32B15/018 , C23C28/023 , C23C28/028 , H05K1/09 , H05K2201/0355
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公开(公告)号：TW201513133A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103127707
申请日：2014-08-13
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
CPC分类号： C09D5/24 , B22F1/0059 , B22F1/0062 , B22F1/0088 , B22F7/008 , B22F7/04 , B22F2001/0066 , H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： 藉由下述製造經表面處理之金屬粉之方法而提供一種可適用於製造晶片積層陶瓷電容器用電極且燒結延遲性優異的經表面處理之銅粉及金屬粉之製造方法，該製造經表面處理之金屬粉之方法包括如下步驟：將金屬粉與具有胺基之偶合劑之水溶液混合而製備金屬粉分散液之步驟、自金屬粉分散液以殘渣之形式回收金屬粉之步驟、及藉由水性溶劑將以殘渣形式回收之金屬粉洗淨之步驟。
简体摘要： 借由下述制造经表面处理之金属粉之方法而提供一种可适用于制造芯片积层陶瓷电容器用电极且烧结延迟性优异的经表面处理之铜粉及金属粉之制造方法，该制造经表面处理之金属粉之方法包括如下步骤：将金属粉与具有胺基之偶合剂之水溶液混合而制备金属粉分散液之步骤、自金属粉分散液以残渣之形式回收金属粉之步骤、及借由水性溶剂将以残渣形式回收之金属粉洗净之步骤。
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公开(公告)号：TW201511863A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103127209
申请日：2014-08-08
发明人： 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
CPC分类号： H01G4/0085 , B22F1/0003 , B22F1/0011 , B22F1/0074 , B22F1/02 , C09D5/24 , H01B1/22 , H01G4/008 , H01G4/30
摘要： 藉由下述經表面處理之金屬粉，提供一種可適用於製造晶片積層陶瓷電容器用電極且燒結延遲性優異的經表面處理之銅粉及金屬粉、及其製造方法，其中該經表面處理之金屬粉，N(氮)相對於經表面處理之金屬粉的重量%為0.02%以上，於將選自由Al、Si、Ti、Zr、Ce及Sn組成之群中1種元素相對於1g金屬粉的附著量設為x(μg)，將燒結起始溫度設為y(℃)時，滿足下式：50≦x≦1500與y≧0.2x+600。
简体摘要： 借由下述经表面处理之金属粉，提供一种可适用于制造芯片积层陶瓷电容器用电极且烧结延迟性优异的经表面处理之铜粉及金属粉、及其制造方法，其中该经表面处理之金属粉，N(氮)相对于经表面处理之金属粉的重量%为0.02%以上，于将选自由Al、Si、Ti、Zr、Ce及Sn组成之群中1种元素相对于1g金属粉的附着量设为x(μg)，将烧结起始温度设为y(℃)时，满足下式：50≦x≦1500与y≧0.2x+600。
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