公开(公告)号：TWI430390B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100127801

申请日：2011-08-04

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 ,  S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES

发明人： 布卡特 馬歇爾 ,  BROEKAART, MARCEL ,  高汀 葛威塔茲 ,  GAUDIN, GWELTAZ ,  卡斯特 阿諾 ,  CASTEX, ARNAUD

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

公开(公告)号：TW201214612A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100127801

申请日：2011-08-04

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司

发明人： 布卡特 馬歇爾 ,  高汀 葛威塔茲 ,  卡斯特 阿諾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

摘要： 本發明提供一種使接合之前具有一固有曲率之一第一晶圓(100)直接接合至接合之前具有一固有曲率之一第二晶圓(200)之方法，該兩個晶圓之至少一者(100)包括至少一連串微組件(110)。該方法包括使該兩個晶圓(100、200)彼此接觸以初始化該兩個晶圓之間之一接合波之傳播之至少一步驟。在該接觸步驟期間，至少取決於包括一連串微組件(110)之該晶圓(100)接合之前之固有曲率而對該兩個晶圓之一者強加以一迴轉拋物面之形式之一預定義接合曲率(KB)，該另一晶圓自由符合該預定義接合曲率(KB)。

简体摘要： 本发明提供一种使接合之前具有一固有曲率之一第一晶圆(100)直接接合至接合之前具有一固有曲率之一第二晶圆(200)之方法，该两个晶圆之至少一者(100)包括至少一连串微组件(110)。该方法包括使该两个晶圆(100、200)彼此接触以初始化该两个晶圆之间之一接合波之传播之至少一步骤。在该接触步骤期间，至少取决于包括一连串微组件(110)之该晶圆(100)接合之前之固有曲率而对该两个晶圆之一者强加以一掉头抛物面之形式之一预定义接合曲率(KB)，该另一晶圆自由符合该预定义接合曲率(KB)。

公开(公告)号：TW201023253A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：TW098137770

申请日：2009-11-06

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司

发明人： 卡斯泰克 亞納德 ,  高汀 葛威塔茲 ,  布卡特 馬歇爾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/76256

摘要： 本發明揭示一種藉由分子連接將一第一基板(210)連接於一第二基板(220)上之方法,該方法包括如下步驟:.在該第一基板(210)之連接面(210a)上形成一絕緣層(212);.化學機械拋光該絕緣層(212);.藉由電漿處理激活該第二基板(220)之該連接表面;及.藉由分子連接將該兩個基板(210、220)連接在一起;該方法之特徵為:在該化學機械拋光步驟之後且在該連接步驟之前,該方法進一步包括蝕刻形成於該第一基板上之該絕緣層(212)的該表面(212a)之步驟。

简体摘要： 本发明揭示一种借由分子连接将一第一基板(210)连接于一第二基板(220)上之方法,该方法包括如下步骤:.在该第一基板(210)之连接面(210a)上形成一绝缘层(212);.化学机械抛光该绝缘层(212);.借由等离子处理激活该第二基板(220)之该连接表面;及.借由分子连接将该两个基板(210、220)连接在一起;该方法之特征为:在该化学机械抛光步骤之后且在该连接步骤之前,该方法进一步包括蚀刻形成于该第一基板上之该绝缘层(212)的该表面(212a)之步骤。