公开(公告)号：TW201606979A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW103138513

申请日：2014-11-06

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 盧禎發 ,  LU, CHEN FA ,  蔡正原 ,  TSAI, CHENG YUAN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01074

摘要： 本申請案之結構係包含第一與第二基板、第一與第二應力緩衝層以及鈍化後互連(PPI)結構。該第一與第二基板包含第一與第二半導體基板，以及分別在該第一與第二半導體基板上的第一與第二互連結構。該第二互連結構係於該第二半導體基板的第一側上。該第一基板係於接合介面處接合至該第二基板。通路(via)延伸至少穿過第二半導體基板至第二互連結構中。第一應力緩衝層係於第二半導體基板的第二側上，該半導體基板的第二側係與第二半導體基板的第一側對立。PPI結構係於第一應力緩衝層上並且電性耦合至通路。第二應力緩衝層係於PPI結構與第一應力緩衝層上。

简体摘要： 本申请案之结构系包含第一与第二基板、第一与第二应力缓冲层以及钝化后互连(PPI)结构。该第一与第二基板包含第一与第二半导体基板，以及分别在该第一与第二半导体基板上的第一与第二互链接构。该第二互链接构系于该第二半导体基板的第一侧上。该第一基板系于接合界面处接合至该第二基板。通路(via)延伸至少穿过第二半导体基板至第二互链接构中。第一应力缓冲层系于第二半导体基板的第二侧上，该半导体基板的第二侧系与第二半导体基板的第一侧对立。PPI结构系于第一应力缓冲层上并且电性耦合至通路。第二应力缓冲层系于PPI结构与第一应力缓冲层上。

公开(公告)号：TW201207914A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：TW100112839

申请日：2011-04-13

申请人： S O I 科技矽公司

发明人： 加丁 葛威泰

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/185 ,  B32B37/144 ,  B32B37/18 ,  B32B38/1808 ,  B32B38/1866 ,  B32B41/00 ,  B32B2041/04 ,  B32B2307/202 ,  B32B2309/72 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1092 ,  H01L2224/80

摘要： 利用分子黏附將一第一晶圓(100)鍵結至一第二晶圓(200)之方法,該些晶圓之間具有一初始徑向失準(DR)。該方法包含有將兩晶圓(100,200)帶至相接觸以便啓始兩晶圓之間的鍵結波之前遞之至少一步驟。依據本發明,在接觸步驟期間,作為初始徑向失準(DR)之函數的一預先設定之鍵結曲率(KB)被加至兩晶圓中之至少其一之上。

简体摘要： 利用分子黏附将一第一晶圆(100)键结至一第二晶圆(200)之方法,该些晶圆之间具有一初始径向失准(DR)。该方法包含有将两晶圆(100,200)带至相接触以便启始两晶圆之间的键结波之前递之至少一步骤。依据本发明,在接触步骤期间,作为初始径向失准(DR)之函数的一预先设置之键结曲率(KB)被加至两晶圆中之至少其一之上。

公开(公告)号：TWI565019B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW104107512

申请日：2015-03-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  葉松峯 ,  YEH, SUNG FENG ,  陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  黃暉閔 ,  HUANG, HUI MIN ,  林修任 ,  LIN, HSIU JEN ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L23/538 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/273 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92163 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/0665

公开(公告)号：TW201535669A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103123336

申请日：2014-07-07

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 河崎一茂 ,  KAWASAKI, KAZUSHIGE ,  栗田洋一郎 ,  KURITA, YOICHIRO

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明提供一種可降低貫通電極部分之寄生電容之半導體裝置及其製造方法。 第2晶片積層於第1晶片之第1配線層側。第2晶片包含：第2半導體層，其具有與第1配線層對向之第2電路面、及第2電路面之相反側之第2背面；第2配線層，其設置於第2電路面並與第1晶片之第1配線層連接；及第2貫通電極，其貫通第2半導體層而設置，並連接於第2配線層。第3晶片積層於第2晶片之第2背面側。第3晶片包含：第3半導體層，其具有第3電路面、及與第2晶片對向之第3背面；第3配線層，其設置於第3電路面；及第3貫通電極，其貫通第3半導體層而設置，連接於第3配線層，並且以凸塊連接於第2晶片之第2貫通電極。

简体摘要： 本发明提供一种可降低贯通电极部分之寄生电容之半导体设备及其制造方法。 第2芯片积层于第1芯片之第1配线层侧。第2芯片包含：第2半导体层，其具有与第1配线层对向之第2电路面、及第2电路面之相反侧之第2背面；第2配线层，其设置于第2电路面并与第1芯片之第1配线层连接；及第2贯通电极，其贯通第2半导体层而设置，并连接于第2配线层。第3芯片积层于第2芯片之第2背面侧。第3芯片包含：第3半导体层，其具有第3电路面、及与第2芯片对向之第3背面；第3配线层，其设置于第3电路面；及第3贯通电极，其贯通第3半导体层而设置，连接于第3配线层，并且以凸块连接于第2芯片之第2贯通电极。

公开(公告)号：TW200933756A

公开(公告)日：2009-08-01

申请号：TW097131279

申请日：2008-08-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  湯川幹央 YUKAWA, MIKIO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83138 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 藉由CMP等對設有積體電路的半導體基板進行研磨,並藉由在半導體基板中形成脆化層,且分離半導體基板的一部分,以使半導體基板做成薄膜;因此,能夠獲得到比以往更薄之諸如IC晶片及LSI晶片的半導體晶片。而且,此種經薄化之LSI晶片被層疊,並經由穿透過半導體基板的佈線而被電連接;因而,獲得到具有改善之集成密度的三維半導體積體電路。

简体摘要： 借由CMP等对设有集成电路的半导体基板进行研磨,并借由在半导体基板中形成脆化层,且分离半导体基板的一部分,以使半导体基板做成薄膜;因此,能够获得到比以往更薄之诸如IC芯片及LSI芯片的半导体芯片。而且,此种经薄化之LSI芯片被层叠,并经由穿透过半导体基板的布线而被电连接;因而,获得到具有改善之集成密度的三维半导体集成电路。

公开(公告)号：TWI613770B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105103010

申请日：2016-01-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  葉松峯 ,  YEH, SUNG FENG

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L22/32 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/25 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/80

公开(公告)号：TW201546985A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW103120581

申请日：2014-06-13

申请人： 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

发明人： 黃志恭 ,  HUANG, CHIH KUNG ,  賴威仁 ,  LAI, WEI JEN ,  劉文俊 ,  LIU, WEN CHUN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03552 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

摘要： 一種封裝結構，包括一第一晶片、一第一可選擇性電鍍環氧樹脂、一第一圖案化線路層以及複數個第一導通孔。第一晶片包括複數個第一焊墊、一主動表面以及相對主動表面的一背面，第一焊墊設置於主動表面上。第一可選擇性電鍍環氧樹脂，覆蓋第一晶片並包含非導電的金屬複合物。第一圖案化線路層直接設置於第一可選擇性電鍍環氧樹脂的一表面上。第一導通孔直接設置於第一可選擇性電鍍環氧樹脂，以電性連接第一焊墊至第一圖案化線路層。

简体摘要： 一种封装结构，包括一第一芯片、一第一可选择性电镀环氧树脂、一第一图案化线路层以及复数个第一导通孔。第一芯片包括复数个第一焊垫、一主动表面以及相对主动表面的一背面，第一焊垫设置于主动表面上。第一可选择性电镀环氧树脂，覆盖第一芯片并包含非导电的金属复合物。第一图案化线路层直接设置于第一可选择性电镀环氧树脂的一表面上。第一导通孔直接设置于第一可选择性电镀环氧树脂，以电性连接第一焊垫至第一图案化线路层。

公开(公告)号：TWI430390B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100127801

申请日：2011-08-04

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 ,  S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES

发明人： 布卡特 馬歇爾 ,  BROEKAART, MARCEL ,  高汀 葛威塔茲 ,  GAUDIN, GWELTAZ ,  卡斯特 阿諾 ,  CASTEX, ARNAUD

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

公开(公告)号：TW201308541A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101124121

申请日：2012-07-04

申请人： 索泰克公司 ,  SOITEC

发明人： 阮 璧顏 ,  NGUYEN, BICH-YEN ,  沙達卡 瑪麗姆 ,  SADAKA, MARIAM

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  G02B6/43 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 形成鍵結半導體結構之方法包括提供一底材結構，其在相對較厚之一底材本體上包含相對較薄之一材料層，以及形成穿透該材料層之多個穿透晶圓互連。一第一半導體結構可以鍵結至該材料薄層上，且該第一半導體結構中至少一個導電部件可以在電性上與該些穿透晶圓互連其中至少一個耦合。在該第一半導體結構相反於該第一底材結構之一面，一轉移材料層可以提供於該第一半導體結構上方，且可以在該轉移材料層中形成電性互連、光學互連及流體互連其中至少一種。在該轉移材料層相反於該第一半導體結構之一面，一第二半導體結構可以提供於該轉移材料層上方。應用此等方法製作之鍵結半導體結構。

简体摘要： 形成键结半导体结构之方法包括提供一底材结构，其在相对较厚之一底材本体上包含相对较薄之一材料层，以及形成穿透该材料层之多个穿透晶圆互连。一第一半导体结构可以键结至该材料薄层上，且该第一半导体结构中至少一个导电部件可以在电性上与该些穿透晶圆互连其中至少一个耦合。在该第一半导体结构相反于该第一底材结构之一面，一转移材料层可以提供于该第一半导体结构上方，且可以在该转移材料层中形成电性互连、光学互连及流体互连其中至少一种。在该转移材料层相反于该第一半导体结构之一面，一第二半导体结构可以提供于该转移材料层上方。应用此等方法制作之键结半导体结构。

公开(公告)号：TW201301398A

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW101111450

申请日：2012-03-30

申请人： 蘇泰克公司 ,  SOITEC ,  原子能與替代能源委員會 ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： 沙達卡 馬里安 ,  SADAKA, MARIAM ,  拉杜 優娜特 ,  RADU, IONUT ,  蘭德路 迪迪爾 ,  LANDRU, DIDIER ,  迪休西 利亞 ,  DI CIOCCI, LEA

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/034

摘要： 將半導體結構結合在一起之方法包括使第一半導體結構上之第一金屬特徵結構退火，將第一金屬特徵結構結合至第二半導體結構之第二金屬特徵結構，以形成包含第一金屬特徵結構及第二金屬特徵結構的一經結合金屬結構，且使經結合金屬結構退火。使第一金屬特徵結構退火可包含使第一金屬特徵結構經受一預結合熱預算，且使經結合金屬結構退火可包含使經結合金屬結構經受小於預結合熱預算的一後結合熱預算。經結合半導體結構使用此等方法被製成。

简体摘要： 将半导体结构结合在一起之方法包括使第一半导体结构上之第一金属特征结构退火，将第一金属特征结构结合至第二半导体结构之第二金属特征结构，以形成包含第一金属特征结构及第二金属特征结构的一经结合金属结构，且使经结合金属结构退火。使第一金属特征结构退火可包含使第一金属特征结构经受一预结合热预算，且使经结合金属结构退火可包含使经结合金属结构经受小于预结合热预算的一后结合热预算。经结合半导体结构使用此等方法被制成。