公开(公告)号：TWI523121B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW102149205

申请日：2013-12-31

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  黃信華 ,  HUANG, XIN HUA ,  黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LAN LIN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  施俊吉 ,  SZE, JHY JYI ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI595535B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW105125395

申请日：2016-08-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/14 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/14 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/037 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042

公开(公告)号：TW201626533A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104132972

申请日：2015-10-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 蔡承竣 ,  TSAI, CHENG CHUN ,  張宏賓 ,  CHANG, HUNG PIN ,  楊固峰 ,  YANG, KU FENG ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/19

摘要： 本揭露係關於一種半導體裝置及其製造方法，其使用一單一遮罩以形成用於貫穿基板導孔與貫穿介電質導孔的開口。在一實施例中，一接觸蝕刻停止層沉積於第一半導體裝置與第二半導體裝置上以及之間。一介電材料沉積於位於第一半導體裝置與第二半導體裝置之間的接觸蝕刻停止層上。接觸蝕刻停止層與介電材料使用不同的材料，因此一單一遮罩可用來形成穿過第一半導體裝置的貫穿基板導孔，以及形成穿過介電材料的貫穿介電質導孔。

简体摘要： 本揭露系关于一种半导体设备及其制造方法，其使用一单一遮罩以形成用于贯穿基板导孔与贯穿介电质导孔的开口。在一实施例中，一接触蚀刻停止层沉积于第一半导体设备与第二半导体设备上以及之间。一介电材料沉积于位于第一半导体设备与第二半导体设备之间的接触蚀刻停止层上。接触蚀刻停止层与介电材料使用不同的材料，因此一单一遮罩可用来形成穿过第一半导体设备的贯穿基板导孔，以及形成穿过介电材料的贯穿介电质导孔。

公开(公告)号：TW201533868A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103144819

申请日：2014-12-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 劉丙寅 ,  LIU, PINGYIN ,  匡訓沖 ,  KUANG, HSUNCHUNG ,  蕭清泰 ,  HSIAO, CHENGTAI ,  黃信華 ,  HUANG, XINHUA ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LANLIN

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

摘要： 一種半導體裝置與其製備方法。在部分實施方式中，一或多個保護層形成於一第一基板上。接著形成凹陷於保護層中，再形成一或多個導電墊於凹陷中。一或多個阻障層位於保護層與導電墊之間。其中，第一基板的導電墊對準第二基板的導電墊，且第一基板以直接接合方式與第二基板接合。

简体摘要： 一种半导体设备与其制备方法。在部分实施方式中，一或多个保护层形成于一第一基板上。接着形成凹陷于保护层中，再形成一或多个导电垫于凹陷中。一或多个阻障层位于保护层与导电垫之间。其中，第一基板的导电垫对准第二基板的导电垫，且第一基板以直接接合方式与第二基板接合。

公开(公告)号：TW201724192A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105125395

申请日：2016-08-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  陳明發 ,  CHEN, MING FA ,  陳怡秀 ,  CHEN, YI HSIU

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/14 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/14 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/037 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042

摘要： 方法包含形成第一導電結構與第二導電結構，形成金屬墊於第一導電結構上以接觸第一導電結構，以及形成鈍化層覆蓋金屬墊的邊緣部份，且鈍化層中的開口露出金屬墊之上表面的中心部份。形成第一介電層以覆蓋金屬墊與鈍化層。形成接合墊於第一介電層上，且接合墊電性耦接至第二導電結構。沉積第二介電層以圍繞接合墊。進行平坦化步驟使第二介電層之上表面與接合墊齊平。在平坦化步驟後，金屬墊的上表面之整體接觸介電材料。

简体摘要： 方法包含形成第一导电结构与第二导电结构，形成金属垫于第一导电结构上以接触第一导电结构，以及形成钝化层覆盖金属垫的边缘部份，且钝化层中的开口露出金属垫之上表面的中心部份。形成第一介电层以覆盖金属垫与钝化层。形成接合垫于第一介电层上，且接合垫电性耦接至第二导电结构。沉积第二介电层以围绕接合垫。进行平坦化步骤使第二介电层之上表面与接合垫齐平。在平坦化步骤后，金属垫的上表面之整体接触介电材料。

公开(公告)号：TWI430390B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100127801

申请日：2011-08-04

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 ,  S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES

发明人： 布卡特 馬歇爾 ,  BROEKAART, MARCEL ,  高汀 葛威塔茲 ,  GAUDIN, GWELTAZ ,  卡斯特 阿諾 ,  CASTEX, ARNAUD

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

公开(公告)号：TW201214612A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100127801

申请日：2011-08-04

申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司

发明人： 布卡特 馬歇爾 ,  高汀 葛威塔茲 ,  卡斯特 阿諾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

摘要： 本發明提供一種使接合之前具有一固有曲率之一第一晶圓(100)直接接合至接合之前具有一固有曲率之一第二晶圓(200)之方法，該兩個晶圓之至少一者(100)包括至少一連串微組件(110)。該方法包括使該兩個晶圓(100、200)彼此接觸以初始化該兩個晶圓之間之一接合波之傳播之至少一步驟。在該接觸步驟期間，至少取決於包括一連串微組件(110)之該晶圓(100)接合之前之固有曲率而對該兩個晶圓之一者強加以一迴轉拋物面之形式之一預定義接合曲率(KB)，該另一晶圓自由符合該預定義接合曲率(KB)。

简体摘要： 本发明提供一种使接合之前具有一固有曲率之一第一晶圆(100)直接接合至接合之前具有一固有曲率之一第二晶圆(200)之方法，该两个晶圆之至少一者(100)包括至少一连串微组件(110)。该方法包括使该两个晶圆(100、200)彼此接触以初始化该两个晶圆之间之一接合波之传播之至少一步骤。在该接触步骤期间，至少取决于包括一连串微组件(110)之该晶圆(100)接合之前之固有曲率而对该两个晶圆之一者强加以一掉头抛物面之形式之一预定义接合曲率(KB)，该另一晶圆自由符合该预定义接合曲率(KB)。

公开(公告)号：TW201742161A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105138134

申请日：2016-11-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 黃信華 ,  HUANG, XIN-HUA ,  林永隆 ,  LIN, YUNG-LUNG ,  劉丙寅 ,  LIU, PING-YIN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA-SHIUNG

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/799 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/808

摘要： 本發明實施例揭露一種半導體製造方法。該方法包含：提供一第一晶圓及一第二晶圓，其中該第一晶圓與該第二晶圓被接合在一起；將該等經接合之第一晶圓與第二晶圓浸沒於一超音波傳輸介質中；產生超音波；及透過該超音波傳輸介質將該等超音波引導至該等經接合之第一晶圓與第二晶圓達一預定時間週期。本發明實施例亦揭露一種用於至少弱化經接合晶圓之一接合強度之相關聯半導體製造系統。

简体摘要： 本发明实施例揭露一种半导体制造方法。该方法包含：提供一第一晶圆及一第二晶圆，其中该第一晶圆与该第二晶圆被接合在一起；将该等经接合之第一晶圆与第二晶圆浸没于一超音波传输介质中；产生超音波；及透过该超音波传输介质将该等超音波引导至该等经接合之第一晶圆与第二晶圆达一预定时间周期。本发明实施例亦揭露一种用于至少弱化经接合晶圆之一接合强度之相关联半导体制造系统。

公开(公告)号：TWI569389B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW103144819

申请日：2014-12-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 劉丙寅 ,  LIU, PINGYIN ,  匡訓沖 ,  KUANG, HSUNCHUNG ,  蕭清泰 ,  HSIAO, CHENGTAI ,  黃信華 ,  HUANG, XINHUA ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LANLIN

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

公开(公告)号：TW201616626A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104117607

申请日：2015-06-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 英格蘭 盧克 ,  ENGLAND, LUKE ,  克利威爾 查利斯坦 ,  KLEWER, CHRISTIAN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭露一種用於製備三維積體化半導體元件之方法及所造成的元件。實施例包含分別地形成第一及第二接合墊於第一及第二半導體元件上，該第一及第二接合墊的每一個具有複數個金屬區段，該第一接合墊之該金屬區段具有不同於該第二接合墊之該金屬區段之組構或者具有與該第二接合墊之該金屬區段的組構相同但是相對於該第二接合墊而旋轉之組構；以及透過該第一及第二接合墊將該第一及第二半導體元件接合在一起。

简体摘要： 本发明揭露一种用于制备三维积体化半导体组件之方法及所造成的组件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体组件上，该第一及第二接合垫的每一个具有复数个金属区段，该第一接合垫之该金属区段具有不同于该第二接合垫之该金属区段之组构或者具有与该第二接合垫之该金属区段的组构相同但是相对于该第二接合垫而旋转之组构；以及透过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体组件接合在一起。