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公开(公告)号：TW201725168A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105133746
申请日：2016-10-19
发明人： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 王誌佑 , WANG, CHIH YU , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 吳威鼎 , WU, WEI DING
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , H01L28/20
摘要： 微機電系統封裝，具有加熱元件用以透過引導排氣進入腔體來調整氣密密封腔內的壓力，與相關的方法。微機電系統封裝具有互補式金氧半導體基板，互補式金氧半導體基板具有設置於半導體本體內的一或多個半導體裝置。微機電系統結構連接至互補式金氧半導體基板且具有微機電系統裝置。互補式金氧半導體基板與微機電系統結構形成緊靠微機電系統裝置的氣密密封腔。加熱元件電性耦合至一或多個半導體裝置且與氣密密封腔被沿著氣密密封腔的內表面設置的排氣層隔開。透過操作加熱元件使排氣層排放氣體，在氣密密封腔形成後，氣密密封腔的壓力可調整。
简体摘要： 微机电系统封装，具有加热组件用以透过引导排气进入腔体来调整气密密封腔内的压力，与相关的方法。微机电系统封装具有互补式金属氧化物半导体基板，互补式金属氧化物半导体基板具有设置于半导体本体内的一或多个半导体设备。微机电系统结构连接至互补式金属氧化物半导体基板且具有微机电系统设备。互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统结构形成紧靠微机电系统设备的气密密封腔。加热组件电性耦合至一或多个半导体设备且与气密密封腔被沿着气密密封腔的内表面设置的排气层隔开。透过操作加热组件使排气层排放气体，在气密密封腔形成后，气密密封腔的压力可调整。
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公开(公告)号：TW201726544A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105144133
申请日：2016-12-30
发明人： 陳欣蘋 , CHEN, HSIN PING , 楊岱宜 , YANG, TAI I , 後藤賢一 , GOTO, KEN-ICHI , 眭曉林 , SHUE, SHAU LIN , 戴爾茲 卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： B82Y10/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81B2207/09 , B81C1/00246 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771
摘要： 本發明之實施例提供一種奈米機電裝置結構，包括：基板，內連線結構形成於基板之上。奈米機電裝置結構更包括：介電層形成於內連線結構之上，梁結構形成於介電層之中與之上，其中梁結構包括固定部份與可移動部份，固定部份沿著垂直方向延伸，且可移動部份沿著水平方向延伸。奈米機電裝置結構尚包括：蓋結構形成於介電層與梁結構之上；以及凹洞形成於梁結構與蓋結構之間。
简体摘要： 本发明之实施例提供一种奈米机电设备结构，包括：基板，内连接结构形成于基板之上。奈米机电设备结构更包括：介电层形成于内连接结构之上，梁结构形成于介电层之中与之上，其中梁结构包括固定部份与可移动部份，固定部份沿着垂直方向延伸，且可移动部份沿着水平方向延伸。奈米机电设备结构尚包括：盖结构形成于介电层与梁结构之上；以及凹洞形成于梁结构与盖结构之间。
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公开(公告)号：TW201726542A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134367
申请日：2016-10-25
发明人： 張凱峯 , CHANG, KAI-FUNG , 呂聯沂 , LEU, LEN-YI , 蔡連堯 , TSAI, LIEN-YAO
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B3/0021 , B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C2203/0118
摘要： 一種微機電系統裝置及其形成方法被提出。沉積一外氣體層於一封蓋用晶圓的一表面上。封蓋用晶圓接合至一基板的方式形成一包括一第一可動件的第一密封腔體以及一包括一第二可動件的第二密封腔體。外氣體層退火而釋放外氣體層的氣體進入第二密封腔體，且增加第二密封腔體的一壓力，以使退火後的第二密封腔體具有高於第一密封腔體的壓力。
简体摘要： 一种微机电系统设备及其形成方法被提出。沉积一外气体层于一封盖用晶圆的一表面上。封盖用晶圆接合至一基板的方式形成一包括一第一可动件的第一密封腔体以及一包括一第二可动件的第二密封腔体。外气体层退火而释放外气体层的气体进入第二密封腔体，且增加第二密封腔体的一压力，以使退火后的第二密封腔体具有高于第一密封腔体的压力。
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公开(公告)号：TW201731760A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106101099
申请日：2017-01-13
申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人： 布萊林 阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 萊賢巴哈 法蘭克 , REICHENBACH, FRANK , 蘭穆斯 猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 雅木托 尤莉亞 , AMTHOR, JULIA
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81B2207/056 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/035
摘要： 本發明提出一種用於產生具有一基板且具有一蓋之一微機械組件之方法，該蓋連接至該基板且與該基板圍封一第一腔體，存在一第一壓力且具有一第一化學成分之一第一氣體混合物被圍封於該第一腔體中，其中該蓋與該基板圍封一第二腔體，存在一第二壓力且具有一第二化學成分之一第二氣體混合物被圍封於該第二腔體中，其中在一第一方法步驟中，將該第一腔體連接至該微機械組件之一周圍空間之一接取開口係形成於該基板或該蓋中，其中在一第二方法步驟中，該第一壓力及/或該第一化學成分設定於該第一腔體中，其中在一第三方法步驟中，藉由一雷射的輔助將能量或熱引入至該基板或該蓋之一吸收性部分中而封閉該接取開口，其中在一第四方法步驟中，形成經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間且意欲用於排出至少該第一氣體混合物之一第一類型之粒子及/或排出至少該第二氣體混合物之一第二類型之粒子的一凹部。
简体摘要： 本发明提出一种用于产生具有一基板且具有一盖之一微机械组件之方法，该盖连接至该基板且与该基板围封一第一腔体，存在一第一压力且具有一第一化学成分之一第一气体混合物被围封于该第一腔体中，其中该盖与该基板围封一第二腔体，存在一第二压力且具有一第二化学成分之一第二气体混合物被围封于该第二腔体中，其中在一第一方法步骤中，将该第一腔体连接至该微机械组件之一周围空间之一接取开口系形成于该基板或该盖中，其中在一第二方法步骤中，该第一压力及/或该第一化学成分设置于该第一腔体中，其中在一第三方法步骤中，借由一激光的辅助将能量或热引入至该基板或该盖之一吸收性部分中而封闭该接取开口，其中在一第四方法步骤中，形成经配置实质上介于该第一腔体与该第二腔体之间且意欲用于排出至少该第一气体混合物之一第一类型之粒子及/或排出至少该第二气体混合物之一第二类型之粒子的一凹部。
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公开(公告)号：TW201726539A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134370
申请日：2016-10-25
发明人： 張凱峯 , CHANG, KAI-FUNG , 呂聯沂 , LEU, LEN-YI , 蔡連堯 , TSAI, LIEN-YAO
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/09 , B81C2203/0109 , B81C2203/0172 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/80805 , H01L2224/81805
摘要： 一種微機電系統裝置及其形成方法被提出。圖案化一第一基板的一介電層以暴露出多個導電特徵與一貫穿介電層的底部層。一第二基板的一第一表面接合至介電層，且圖案化第二基板以形成一薄膜與一可動件。一封蓋用晶圓接合至第二基板，其中接合封蓋用晶圓至第二基板形成一包括可動件的第一密封腔體與一部分界限由薄膜來界定的第二密封腔體。封蓋用晶圓的部分被移除以暴露第二密封腔體至環境壓力。
简体摘要： 一种微机电系统设备及其形成方法被提出。图案化一第一基板的一介电层以暴露出多个导电特征与一贯穿介电层的底部层。一第二基板的一第一表面接合至介电层，且图案化第二基板以形成一薄膜与一可动件。一封盖用晶圆接合至第二基板，其中接合封盖用晶圆至第二基板形成一包括可动件的第一密封腔体与一部分界限由薄膜来界定的第二密封腔体。封盖用晶圆的部分被移除以暴露第二密封腔体至环境压力。
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公开(公告)号：TW201741225A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106103155
申请日：2017-01-26
CPC分类号： H04R19/04 , B81B3/0021 , B81B7/0048 , B81B2201/0257 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/09 , H04R19/005 , H04R2201/003
摘要： 一種MEMS傳感器(200)包含具有一第一表面(102)之一基板(101)及相對於該基板中之一孔隙形成之一膜(103)。該MEMS傳感器(200)進一步包含耦接至該基板之一或多個結合結構(107)，其中該一或多個結合結構(107)在使用期間將該MEMS傳感器機械耦接至一相關聯之基板(111)。該MEMS傳感器(200)包含一密封元件(109)，其用於在使用期間提供關於該基板(101)及該相關聯之基板(111)的一密封。一應力解耦部件(119)耦接於該基板(101)與該密封元件(109)之間。
简体摘要： 一种MEMS传感器(200)包含具有一第一表面(102)之一基板(101)及相对于该基板中之一孔隙形成之一膜(103)。该MEMS传感器(200)进一步包含耦接至该基板之一或多个结合结构(107)，其中该一或多个结合结构(107)在使用期间将该MEMS传感器机械耦接至一相关联之基板(111)。该MEMS传感器(200)包含一密封组件(109)，其用于在使用期间提供关于该基板(101)及该相关联之基板(111)的一密封。一应力解耦部件(119)耦接于该基板(101)与该密封组件(109)之间。
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公开(公告)号：TW201728525A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105139156
申请日：2016-11-28
发明人： 謝元智 , HSIEH, YUAN-CHIH , 曾李全 , TSENG, LEE-CHUAN , 林宏樺 , LIN, HUNG-HUA
CPC分类号： B81B3/0005 , B81B2207/012 , B81B2207/09 , B81C1/00238 , B81C1/00984 , B81C2201/115 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792
摘要： 本揭露提供一種用於製造一CMOS-MEMS結構之方法。該方法包含：在一帽蓋基板之一第一表面上蝕刻一腔；將該帽蓋基板之該第一表面與一感測基板接合；薄化該感測基板之一第二表面，該第二表面與接合至該帽蓋基板的該感測基板之一第三表面對置；蝕刻該感測基板之該第二表面；圖案化該感測基板之該第二表面之一部分以形成複數個接合區域；在該複數個接合區域上沈積一共晶金屬層；蝕刻在該腔下方的該感測基板之一部分以形成一可移動元件；及透過該共晶金屬層將該感測基板接合至一CMOS基板。
简体摘要： 本揭露提供一种用于制造一CMOS-MEMS结构之方法。该方法包含：在一帽盖基板之一第一表面上蚀刻一腔；将该帽盖基板之该第一表面与一传感基板接合；薄化该传感基板之一第二表面，该第二表面与接合至该帽盖基板的该传感基板之一第三表面对置；蚀刻该传感基板之该第二表面；图案化该传感基板之该第二表面之一部分以形成复数个接合区域；在该复数个接合区域上沉积一共晶金属层；蚀刻在该腔下方的该传感基板之一部分以形成一可移动组件；及透过该共晶金属层将该传感基板接合至一CMOS基板。
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