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公开(公告)号：TWI650774B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104110055
申请日：2015-03-27
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
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公开(公告)号：TW201620038A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104144083
申请日：2012-05-16
发明人： 渡邊敏昭 , WATANABE, TOSHIAKI , 櫻井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曾山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI , 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02197 , B05D3/0254 , B05D5/00 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75 , H01L41/0815 , H01L41/319 , Y10T428/249921 , Y10T428/25 , Y10T428/26 , Y10T428/265
摘要： 本發明提供一種可不設置種晶層或緩衝層，而可簡便地獲得於(100)面上優先控制結晶配向之強介電體薄膜之強介電體薄膜之製造方法。於具有結晶面於(111)軸方向配向之下部電極之基板的下部電極上塗佈強介電體薄膜形成用組成物，藉由加熱使其結晶化，而於下部電極上製造強介電體薄膜之方法中，強介電體薄膜包含於(100)面上優先控制結晶配向之配向控制層，且配向控制層係以使其結晶化後之層厚於35nm~150nm之範圍內而形成。
简体摘要： 本发明提供一种可不设置种晶层或缓冲层，而可简便地获得于(100)面上优先控制结晶配向之强介电体薄膜之强介电体薄膜之制造方法。于具有结晶面于(111)轴方向配向之下部电极之基板的下部电极上涂布强介电体薄膜形成用组成物，借由加热使其结晶化，而于下部电极上制造强介电体薄膜之方法中，强介电体薄膜包含于(100)面上优先控制结晶配向之配向控制层，且配向控制层系以使其结晶化后之层厚于35nm~150nm之范围内而形成。
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公开(公告)号：TW201603338A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109382
申请日：2015-03-24
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L41/083
CPC分类号： C04B35/491 , C01G25/006 , C01P2002/54 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3296 , C04B2235/6023 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01L41/1876 , H01L41/318
摘要： 此摻雜Ce之PZT系壓電體膜，其係由一般式：PbzCexZryTi1-yO3表示之Ce摻雜之複合金屬氧化物所構成。又，上述一般式中之x、y及z為分別滿足0.005≦x≦0.05、0.40≦y≦0.55、及0.95≦z≦1.15。此外，上述摻雜Ce之PZT系壓電體膜之極化量之磁滯由其中心，往負側位移4kV/cm以上為佳。
简体摘要： 此掺杂Ce之PZT系压电体膜，其系由一般式：PbzCexZryTi1-yO3表示之Ce掺杂之复合金属氧化物所构成。又，上述一般式中之x、y及z为分别满足0.005≦x≦0.05、0.40≦y≦0.55、及0.95≦z≦1.15。此外，上述掺杂Ce之PZT系压电体膜之极化量之磁滞由其中心，往负侧位移4kV/cm以上为佳。
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公开(公告)号：TW201546831A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104110055
申请日：2015-03-27
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
CPC分类号： H01L41/1876 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/74 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L41/318
摘要： 使用於由摻雜Mn之複合金屬氧化物所構成之PZT系壓電體膜之形成的組成物，含有包含構成前述複合金屬氧化物之各金屬原子的PZT系前驅物、二醇、與聚乙烯基吡咯啶酮，將前述組成物中之金屬原子比表示為Pb：Mn：Zr：Ti時，係以Pb滿足1.00~1.20、Mn滿足0.002以上且未達0.05、Zr滿足0.40~0.55、Ti滿足0.45~0.60，且前述Zr與前述Ti之金屬原子比的合計比例成為1之比例，含有前述PZT系前驅物。
简体摘要： 使用于由掺杂Mn之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜之形成的组成物，含有包含构成前述复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇、与聚乙烯基吡咯啶酮，将前述组成物中之金属原子比表示为Pb：Mn：Zr：Ti时，系以Pb满足1.00~1.20、Mn满足0.002以上且未达0.05、Zr满足0.40~0.55、Ti满足0.45~0.60，且前述Zr与前述Ti之金属原子比的合计比例成为1之比例，含有前述PZT系前驱物。
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公开(公告)号：TW201522273A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103129535
申请日：2014-08-27
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： C04B35/491 , C04B35/624
CPC分类号： H01L41/1876 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L41/318
摘要： 本發明，係提供一種膜中之各組成略均勻，且壓電特性及介電特性更高的PNbZT薄膜的製造方法。 本發明的PNbZT薄膜的製造方法，其包含：滿足組成式PbzNbxZryTi1-yO3(0
简体摘要： 本发明，系提供一种膜中之各组成略均匀，且压电特性及介电特性更高的PNbZT薄膜的制造方法。 本发明的PNbZT薄膜的制造方法，其包含：满足组成式PbzNbxZryTi1-yO3(0
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6.发明专利
公开(公告)号：TW201500580A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105484
申请日：2014-02-19
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： C23C18/12 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/491 , H01L41/187 , H01L41/318 , H01L41/43 , H01B3/12 , H01L41/22 , H01G4/12 , H01G4/33
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1283 , Y10T428/31678
摘要： 本發明係揭示一種PZT系強介電體薄膜形成用組成物，其為含有PZT先驅物，與二元醇，與聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇，與水，與碳鏈6以上12以下之直鏈狀單元醇。組成物100質量%中上述PZT先驅物所佔有之濃度為氧化物濃度下17~35質量%，組成物100質量%中上述二元醇之比例為16~56質量%，上述聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇相對於上述PZT先驅物1莫耳之比例為0.01~0.25莫耳，上述水相對於上述PZT先驅物1莫耳之比例為0.5~3莫耳，組成物100質量%中直鏈狀單元醇之比例為0.6~10質量%。
简体摘要： 本发明系揭示一种PZT系强介电体薄膜形成用组成物，其为含有PZT先驱物，与二元醇，与聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇，与水，与碳链6以上12以下之直链状单元醇。组成物100质量%中上述PZT先驱物所占有之浓度为氧化物浓度下17~35质量%，组成物100质量%中上述二元醇之比例为16~56质量%，上述聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇相对于上述PZT先驱物1莫耳之比例为0.01~0.25莫耳，上述水相对于上述PZT先驱物1莫耳之比例为0.5~3莫耳，组成物100质量%中直链状单元醇之比例为0.6~10质量%。
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公开(公告)号：TWI665163B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104109383
申请日：2015-03-24
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
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公开(公告)号：TWI615899B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103115358
申请日：2014-04-29
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L41/1876 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L27/10805 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L37/025 , H01L41/0815 , H01L41/318 , H01L41/319
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公开(公告)号：TWI607589B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103105198
申请日：2014-02-18
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L41/16
CPC分类号： H01B3/448 , C23C18/1283 , H01L41/1876 , H01L41/318
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公开(公告)号：TWI601706B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW103105197
申请日：2014-02-18
发明人： 土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： C04B35/491
CPC分类号： B05D3/0254 , B05D1/38 , C23C14/088 , C23C14/5806 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L28/56 , Y10T428/26
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