公开(公告)号：TW201726972A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105129197

申请日：2016-09-09

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 帕特爾 梅于爾 N ,  PATEL, MEHUL N. ,  海門斯 黛安 ,  HYMES, DIANE ,  多迪 葉斯帝 ,  DORDI, YEZDI ,  喬伊 阿尼律陀 ,  JOI, ANIRUDDHA

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/40 ,  H01L21/302

CPC分类号： B05D1/005 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08

摘要： 用於在基板上沉積金屬或金屬合金的方法包含製備包含氫氧化物、多元醇溶劑、金屬前驅物、及錯合劑的混合物，其中該混合物不包含水；將該混合物塗佈於包含暴露之金屬表面的基板，以選擇性地將金屬沉積至該基板之所暴露的金屬表面上；及在將該混合物塗佈於該基板之前或之後其中至少一者時，將該混合物加熱至範圍為自120°C至160°C的預定沉積溫度。

简体摘要： 用于在基板上沉积金属或金属合金的方法包含制备包含氢氧化物、多元醇溶剂、金属前驱物、及错合剂的混合物，其中该混合物不包含水；将该混合物涂布于包含暴露之金属表面的基板，以选择性地将金属沉积至该基板之所暴露的金属表面上；及在将该混合物涂布于该基板之前或之后其中至少一者时，将该混合物加热至范围为自120°C至160°C的预定沉积温度。

公开(公告)号：TWI547528B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW098126808

申请日：2009-08-10

申请人： 普羅格責任有限公司 ,  PRYOG, LLC.

发明人： 馬黎克 曼賈拉 ,  MALIK, MANGALA ,  史奇威伯 約瑟夫J ,  SCHWAB, JOSEPH J.

IPC分类号： C09D143/00 ,  C09D7/12 ,  C08F30/04 ,  C08F2/46 ,  C08J5/18 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： C23C18/14 ,  C23C18/06 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/24802

公开(公告)号：TW201522704A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103129013

申请日：2014-08-22

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 奈馬尼史林尼法斯 ,  NEMANI, SRINIVAS ,  葉怡利 ,  YIEH, ELLIE ,  路布米斯基德米崔 ,  LUBOMIRSKY, DMITRY

IPC分类号： C23C18/16 ,  B05D1/02 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  B41J2/045 ,  B41J2/175 ,  B41J3/00 ,  H01L21/312

CPC分类号： B05D1/02 ,  B05C5/0291 ,  B05D3/067 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/6715

摘要： 實施例包括以噴墨印刷頭沉積薄金屬-有機膜的系統、設備與方法。在基板上沉積金屬-有機薄膜的方法包括引導化學前驅物進入一個或多個壓電印刷頭。化學前驅物包括金屬化合物與反應性液體或氣體。方法更包括以壓電印刷頭分配化學前驅物微滴或流至基板的表面上，基板由真空腔室中之平臺所支撐。

简体摘要： 实施例包括以喷墨印刷头沉积薄金属-有机膜的系统、设备与方法。在基板上沉积金属-有机薄膜的方法包括引导化学前驱物进入一个或多个压电印刷头。化学前驱物包括金属化合物与反应性液体或气体。方法更包括以压电印刷头分配化学前驱物微滴或流至基板的表面上，基板由真空腔室中之平台所支撑。

公开(公告)号：TWI372946B

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：TW094136611

申请日：2005-10-19

申请人： 道康寧公司

发明人： 符平飛 ,  艾瑞克 史考特 莫爾 ,  克瑞格 羅林 亞其

IPC分类号： G03F ,  C08L ,  H01L

CPC分类号： C23C18/1295 ,  C08G77/12 ,  C09D183/04 ,  C23C18/06 ,  C23C18/122 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124 ,  Y10T428/24463 ,  Y10T428/31663

摘要： 本發明係關於用於形成抗反射塗層之倍半矽氧烷樹脂，其具有式(PhSiO(3－x)/2(OH)x)mHSiO(3－x)/2(OH)x)n(MeSiO(3－x)/2(OH)x)p(RSiO(3－x)/2(OH)x)q，其中Ph係苯基，Me係甲基，R係選自酯基及聚醚基團，x具有0、1或2之值；m具有0.05至0.95之值，n具有0.05至0.95之值，p具有0.05至0.95之值，q具有0.01至0.30之值且m＋n＋p＋q　1。

简体摘要： 本发明系关于用于形成抗反射涂层之倍半硅氧烷树脂，其具有式(PhSiO(3－x)/2(OH)x)mHSiO(3－x)/2(OH)x)n(MeSiO(3－x)/2(OH)x)p(RSiO(3－x)/2(OH)x)q，其中Ph系苯基，Me系甲基，R系选自酯基及聚醚基团，x具有0、1或2之值；m具有0.05至0.95之值，n具有0.05至0.95之值，p具有0.05至0.95之值，q具有0.01至0.30之值且m＋n＋p＋q　1。

公开(公告)号：TW201124492A

公开(公告)日：2011-07-16

申请号：TW099138535

申请日：2010-11-09

申请人： 美國卡內基美濃大學

发明人： 麥洛 理查D ,  貝洛 約翰A ,  賈伐 安娜 ,  波塔許 蕾貝卡

IPC分类号： C09D ,  H01B ,  H05K ,  H01L

CPC分类号： C23C18/06 ,  C07F1/005 ,  C07F9/5045 ,  C09D11/101 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  C23C18/08 ,  H05K3/105 ,  H05K3/125 ,  H05K2203/121

摘要： 本發明係關於在沈積及處理時適於形成導電性金屬膜及線之金屬錯合物。金屬錯合物可為共價錯合物且可包含第一配位體及第二配位體。可使用低溫處理將錯合物轉化為金屬。該金屬膜及線可具有低電阻率及與純金屬類似之功函數。可使用鑄幣金屬(例如Ag、Au、Cu)。配位體可為配位鍵結型配位體，包括胺、不對稱胺及羧酸根配位體。可使用硫錯合物。可使用羧酸根配位體。錯合物可具有高濃度之金屬且可溶於芳烴溶劑中。配位體可適於充分揮發。可進行噴墨印刷。可實現具有高電導率之金屬的高產率。

简体摘要： 本发明系关于在沉积及处理时适于形成导电性金属膜及线之金属错合物。金属错合物可为共价错合物且可包含第一配位体及第二配位体。可使用低温处理将错合物转化为金属。该金属膜及线可具有低电阻率及与纯金属类似之功函数。可使用铸币金属(例如Ag、Au、Cu)。配位体可为配位键结型配位体，包括胺、不对称胺及羧酸根配位体。可使用硫错合物。可使用羧酸根配位体。错合物可具有高浓度之金属且可溶于芳烃溶剂中。配位体可适于充分挥发。可进行喷墨印刷。可实现具有高电导率之金属的高产率。

公开(公告)号：TW200644003A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095115244

申请日：2006-04-28

申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 菅野明弘 ,  杉岡晶子 ,  阿部直彥 ,  中島弘毅

IPC分类号： H01G ,  H05K

CPC分类号： H05K1/162 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/661 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01G13/00 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09509

摘要： 本發明之目的在於提供一種氧化物介電層之形成方法，其係使用溶膠–凝膠法形成介電層，該介電層不易受到蝕刻液之損傷，且高電容量等介電特性佳者。為達成該目的，於以溶膠–凝膠法之氧化物介電層之形成方法，採用一種氧化物介電層之形成方法等，其特徵在於：包括以下(a)～(c)之步驟。(a)步驟：調製製造所期望的氧化物介電層之溶膠–凝膠溶液之溶液調製步驟。(b)步驟：將上述溶膠–凝膠塗工於金屬基材之表面，於含氧氣氛中乾燥，於含氧氣氛中進行熱分解之一連步驟為1單位步驟，反覆複數次該1單位步驟，於1單位步驟與1單位步驟之間任意設550℃～1000℃之惰性氣體置換等預備燒處理進行膜厚調整之塗工步驟。(c)步驟：最後進行550℃～1000℃之惰性氣體置換等之燒處理使之成介電層之燒步驟。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种氧化物介电层之形成方法，其系使用溶胶–凝胶法形成介电层，该介电层不易受到蚀刻液之损伤，且高电容量等介电特性佳者。为达成该目的，于以溶胶–凝胶法之氧化物介电层之形成方法，采用一种氧化物介电层之形成方法等，其特征在于：包括以下(a)～(c)之步骤。(a)步骤：调制制造所期望的氧化物介电层之溶胶–凝胶溶液之溶液调制步骤。(b)步骤：将上述溶胶–凝胶涂工于金属基材之表面，于含氧气氛中干燥，于含氧气氛中进行热分解之一连步骤为1单位步骤，反复复数次该1单位步骤，于1单位步骤与1单位步骤之间任意设550℃～1000℃之惰性气体置换等预备烧处理进行膜厚调整之涂工步骤。(c)步骤：最后进行550℃～1000℃之惰性气体置换等之烧处理使之成介电层之烧步骤。

公开(公告)号：TWI248914B

公开(公告)日：2006-02-11

申请号：TW092120984

申请日：2003-07-31

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 山田齊 HITOSHI YAMADA ,  渡海章 AKIRA TOKAI ,  石本學 MANABU ISHIMOTO ,  中澤明 AKIRA NAKAZAWA ,  粟本健司 KENJI AWAMOTO ,  篠田傳 TSUTAE SHINODA

IPC分类号： C01B ,  C03C

CPC分类号： H01J9/20 ,  C03C17/25 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/228 ,  C03C2218/113 ,  C03C2218/32 ,  C23C18/06 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01J1/70 ,  H01J11/18 ,  H01J61/35 ,  H01J2209/012

摘要： 根據本發明，其係提供一種製造金屬氧化薄膜之方法包括，當對被形成在管內壁之含有有機金屬化合物之塗層薄膜進行熱處理以製造金屬氧化薄膜時，在熱處理之前或同時對塗層薄膜進行紫外線照射處理或臭氧處理。

简体摘要： 根据本发明，其系提供一种制造金属氧化薄膜之方法包括，当对被形成在管内壁之含有有机金属化合物之涂层薄膜进行热处理以制造金属氧化薄膜时，在热处理之前或同时对涂层薄膜进行紫外线照射处理或臭氧处理。

公开(公告)号：TWI243004B

公开(公告)日：2005-11-01

申请号：TW092137729

申请日：2003-12-31

申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 洪英彰 HOUNG, YING CHANG ,  林鴻欽 LIN, HONG CHING ,  石啓仁 SHIH, CHI JEN ,  施劭儒 SHIH, SHAO JU

IPC分类号： H05K ,  H01B

CPC分类号： C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  H05K1/097 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/256

摘要： 本發明係為一種低溫高導電膜層之方法與結構，該方法係在一基板上製作一低溫高導電膜之方法，該方法包括形成複數個片狀金屬層於該基板上，加入複數個球狀奈米級金屬微粒子於片狀金屬層間，及加入複數個混合金屬前驅物於該複數個片狀金屬層之間。本發明亦提供一結構，該結構係包括一基板，一主架構層，該主架構層係形成於該基板上，該主架構層由複數個片狀金屬及複數個奈米級球狀金屬微粒子所組合而成，及一網狀連續物，係設置於該主架構層內，該網狀連續物係由無機鹽類及金屬前驅物所組成。應用本發明之方法及結構，可創作出一種低溫即可成近純金屬導電率的機構，使應用於一般有機基板或其他材質的基板，在低處理溫度下，具有高導電率的電極材料。

简体摘要： 本发明系为一种低温高导电膜层之方法与结构，该方法系在一基板上制作一低温高导电膜之方法，该方法包括形成复数个片状金属层于该基板上，加入复数个球状奈米级金属微粒子于片状金属层间，及加入复数个混合金属前驱物于该复数个片状金属层之间。本发明亦提供一结构，该结构系包括一基板，一主架构层，该主架构层系形成于该基板上，该主架构层由复数个片状金属及复数个奈米级球状金属微粒子所组合而成，及一网状连续物，系设置于该主架构层内，该网状连续物系由无机盐类及金属前驱物所组成。应用本发明之方法及结构，可创作出一种低温即可成近纯金属导电率的机构，使应用于一般有机基板或其他材质的基板，在低处理温度下，具有高导电率的电极材料。

公开(公告)号：TWI237065B

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：TW089114099

申请日：2000-07-14

申请人： 大阪市 OSAKA CITY ,  HOYA股份有限公司 HOYA CORPORATION

发明人： 中許昌美 MASAMI NAKAMOTO ,  赤羽俊尚

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C18/06 ,  B29D12/02 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  G02C5/00 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12889

摘要： 本發明之課題係於提供一種可以低成本並容易且確實進行發色之微調之眼鏡框表面處理法。
該眼鏡框表面處理法之特徵在於：使用含有金屬錯合物之表面處理劑，在眼鏡框表面之一部分或全部形成塗層者。

简体摘要： 本发明之课题系于提供一种可以低成本并容易且确实进行发色之微调之眼镜框表面处理法。 该眼镜框表面处理法之特征在于：使用含有金属错合物之表面处理剂，在眼镜框表面之一部分或全部形成涂层者。

公开(公告)号：TW200522811A

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW092137729

申请日：2003-12-31

申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 洪英彰 HOUNG, YING CHANG ,  林鴻欽 LIN, HONG CHING ,  石啓仁 SHIH, CHI JEN ,  施劭儒 SHIH, SHAO JU

IPC分类号： H05K ,  H01B

CPC分类号： C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  H05K1/097 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/256

摘要： 本發明係為一種低溫高導電膜層之方法與結構，該方法係在一基板上製作一低溫高導電膜之方法，該方法包括形成複數個片狀金屬層於該基板上，加入複數個球狀奈米級金屬微粒子於片狀金屬層間，及加入複數個混合金屬前驅物於該複數個片狀金屬層之間。本發明亦提供一結構，該結構係包括一基板，一主架構層，該主架構層係形成於該基板上，該主架構層由複數個片狀金屬及複數個奈米級球狀金屬微粒子所組合而成，及一網狀連續物，係設置於該主架構層內，該網狀連續物係由無機鹽類及金屬前驅物所組成。應用本發明之方法及結構，可創作出一種低溫即可成近純金屬導電率的機構，使應用於一般有機基板或其他材質的基板，在低處理溫度下，具有高導電率的電極材料。

简体摘要： 本发明系为一种低温高导电膜层之方法与结构，该方法系在一基板上制作一低温高导电膜之方法，该方法包括形成复数个片状金属层于该基板上，加入复数个球状奈米级金属微粒子于片状金属层间，及加入复数个混合金属前驱物于该复数个片状金属层之间。本发明亦提供一结构，该结构系包括一基板，一主架构层，该主架构层系形成于该基板上，该主架构层由复数个片状金属及复数个奈米级球状金属微粒子所组合而成，及一网状连续物，系设置于该主架构层内，该网状连续物系由无机盐类及金属前驱物所组成。应用本发明之方法及结构，可创作出一种低温即可成近纯金属导电率的机构，使应用于一般有机基板或其他材质的基板，在低处理温度下，具有高导电率的电极材料。