公开(公告)号：TWI596004B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW102147180

申请日：2013-12-19

申请人： 比亞迪股份有限公司 ,  BYD COMPANY LIMITED

发明人： 章曉 ,  ZHANG, XIAO ,  程云 ,  CHENG, YUN ,  郭強 ,  GUO, QIANG

IPC分类号： B32B15/08 ,  B32B38/10

CPC分类号： B29C45/14311 ,  B29C2045/14868 ,  B29K2023/06 ,  B29K2069/00 ,  B29K2071/00 ,  B29K2077/00 ,  B29K2081/04 ,  B29K2105/16 ,  B29K2509/00 ,  B29K2705/00 ,  B29K2705/12 ,  B32B15/085 ,  B32B15/088 ,  B32B15/09 ,  B32B15/18 ,  B32B27/20 ,  B32B38/10 ,  B32B2262/0261 ,  B32B2262/101 ,  B32B2262/106 ,  B32B2264/102 ,  B32B2264/104 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/542 ,  C23C4/02 ,  C23C4/08 ,  C23C4/18 ,  C23F1/00

公开(公告)号：TW201710520A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105124297

申请日：2016-08-01

申请人： 公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

发明人： 東健司 ,  HIGASHI, KENJI ,  井上之 ,  INOUE, HIROYUKI ,  上杉徳照 ,  UESUGI, TOKUTERU

IPC分类号： C22C21/06 ,  C22C21/00 ,  C23F13/14 ,  C23C4/08

CPC分类号： C22C21/06 ,  C23C4/08

摘要： 一種鋁系合金的熔射材料，其中，前述鋁系合金係以鋁為主成分，且i)添加第1金屬或ii)添加第1金屬與第2金屬而形成者，前述第1金屬係選自釔、鋰、鋅、鉍、錫及鈣之至少1種，並且於前述鋁系合金中以多於0且3重量%以下被含有，前述第2金屬為鎂，並且於前述鋁系合金中以多於0且6重量%以下被含有。

简体摘要： 一种铝系合金的熔射材料，其中，前述铝系合金系以铝为主成分，且i)添加第1金属或ii)添加第1金属与第2金属而形成者，前述第1金属系选自钇、锂、锌、铋、锡及钙之至少1种，并且于前述铝系合金中以多于0且3重量%以下被含有，前述第2金属为镁，并且于前述铝系合金中以多于0且6重量%以下被含有。

公开(公告)号：TWI565766B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：TW104125863

申请日：2015-08-07

申请人： 國立臺北科技大學 ,  NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

发明人： 楊永欽 ,  YANG, YUNG-CHIN ,  蔡旻錡 ,  TSAI, MIN-CHI ,  黃清哲 ,  HUANG, CHING-JER ,  林彥岑 ,  LIN, YEN-TSEN ,  田宗謨 ,  TIEN, TSUNG-MO ,  鍾宜倫 ,  CHUNG, I-LUN

IPC分类号： C09D5/03 ,  C09D163/08 ,  B05D7/02

CPC分类号： B05D1/12 ,  B05D1/10 ,  C23C4/08 ,  C23C4/18 ,  E04B1/86 ,  G10K11/162

公开(公告)号：TW201631213A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104120832

申请日：2015-06-26

申请人： 愛卡有限公司 ,  ECKART GMBH

发明人： 奧圖 伍威 ,  OTT, UWE ,  瓦格納 哈拉德 ,  WAGNER, HARALD ,  辛德勒 克斯汀 ,  SCHINDLER, KERSTIN ,  沃夫魯曼 克里斯汀 ,  WOLFRUM, CHRISTIAN ,  魯賓瑞特 馬克斯 ,  RUPPRECHT, MARKUS

IPC分类号： C23C24/04 ,  C23C4/12 ,  B22F9/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/22

CPC分类号： C23C4/134 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/007 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F3/02 ,  B22F3/22 ,  B22F3/227 ,  B22F9/04 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/10 ,  B22F2304/10 ,  B22F2998/10 ,  C04B14/22 ,  C04B14/303 ,  C04B14/34 ,  C04B26/06 ,  C04B26/285 ,  C04B30/00 ,  C04B2111/00155 ,  C08K3/08 ,  C23C4/08 ,  C23C4/129 ,  C23C24/04 ,  C04B14/20 ,  C04B22/064 ,  C04B24/38 ,  C04B22/143 ,  C04B24/383 ,  C04B24/26

摘要： 本發明涉及用於生產含有顆粒的氣溶膠之方法。該等氣溶膠係例如特別適合於以氣溶膠流形式用在塗覆方法中。本發明進一步涉及含有顆粒之柱體，該等柱體可以藉由簡單的方法分散並且轉化成氣溶膠形式。

简体摘要： 本发明涉及用于生产含有颗粒的气溶胶之方法。该等气溶胶系例如特别适合于以气溶胶流形式用在涂覆方法中。本发明进一步涉及含有颗粒之柱体，该等柱体可以借由简单的方法分散并且转化成气溶胶形式。

公开(公告)号：TW201432752A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102146177

申请日：2013-12-13

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 小林義之 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  多賀敏 ,  TAGA, SATOSHI

IPC分类号： H01G9/04 ,  H01M4/139

CPC分类号： C23C4/08 ,  C23C4/12 ,  C23C4/137 ,  H01G11/06 ,  H01G11/32 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/139 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54

摘要： 本發明之目的在於大幅縮短將鋰離子摻雜於電極片材上之電極材料的時間。為達成上述之目的，本發明之電極製造裝置包含：處理室200，可使該電極片材移出/移入；稀有氣體供給部230，用以將稀有氣體導入該處理室內；排氣裝置220，使該處理室內排氣以形成既定真空壓力；及鋰熔射部210，使含鋰粉末熔融並噴附於移入該處理室內之該電極片材W的碳材料C上而形成鋰的薄膜，藉此摻雜鋰離子。

简体摘要： 本发明之目的在于大幅缩短将锂离子掺杂于电极片材上之电极材料的时间。为达成上述之目的，本发明之电极制造设备包含：处理室200，可使该电极片材移出/移入；稀有气体供给部230，用以将稀有气体导入该处理室内；排气设备220，使该处理室内排气以形成既定真空压力；及锂熔射部210，使含锂粉末熔融并喷附于移入该处理室内之该电极片材W的碳材料C上而形成锂的薄膜，借此掺杂锂离子。

公开(公告)号：TW201418190A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102124178

申请日：2013-07-05

申请人： 都卡洛股份有限公司 ,  TOCALO CO., LTD. ,  東洋炭素股份有限公司 ,  TOYO TANSO CO., LTD.

发明人： 高畠剛 ,  TAKABATAKE, TAKESHI ,  大井手雄平 ,  OHIDE, YUHEI ,  折島毅 ,  ORISHIMA, TSUYOSHI ,  泉宮正樹 ,  IZUMIYA, MASAKI ,  多田良臣 ,  TADA, YOSHITOMI

IPC分类号： C04B41/87

CPC分类号： C04B41/90 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C21D1/06 ,  C21D1/08 ,  C21D1/18 ,  C21D9/38 ,  C21D2251/00 ,  C22C19/05 ,  C22C27/06 ,  C23C4/02 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  C23C28/322 ,  C23C28/341 ,  C23C28/345 ,  C04B35/522 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/455 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/51

摘要： 本發明係以提供一種基材與被覆層之密接性優異且耐氧化消耗性亦優異的碳材料為目的。本發明之特徵係具備碳質基材(1)、形成於該碳質基材(1)表面上之算術平均表面粗糙度Ra為10μm、維氏硬度HV為2395及自上述碳質基材(1)表面浸透的部位之浸透深度為50μm以上的含碳化矽之碳化層(2)、與形成於該含碳化矽之碳化層(2)表面上的由金屬鉻而成的溶射被覆層(3)者；亦可在上述溶射被覆層(3)表面上設置表面塗佈層(4)。

简体摘要： 本发明系以提供一种基材与被覆层之密接性优异且耐氧化消耗性亦优异的碳材料为目的。本发明之特征系具备碳质基材(1)、形成于该碳质基材(1)表面上之算术平均表面粗糙度Ra为10μm、维氏硬度HV为2395及自上述碳质基材(1)表面浸透的部位之浸透深度为50μm以上的含碳化硅之碳化层(2)、与形成于该含碳化硅之碳化层(2)表面上的由金属铬而成的溶射被覆层(3)者；亦可在上述溶射被覆层(3)表面上设置表面涂布层(4)。

公开(公告)号：TW201326463A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101135294

申请日：2012-09-26

申请人： 福吉米股份有限公司 ,  FUJIMI INCORPORATED ,  東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 水野宏昭 ,  MIZUNO, HIROAKI ,  北村順也 ,  KITAMURA, JUNYA ,  小林義之 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI

IPC分类号： C23C4/10 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C4/11 ,  C23C4/04 ,  C23C4/06 ,  C23C4/08

摘要： 本發明之熔射用粉末，係含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之元素的稀釋元素；例如由鋅、矽、硼、磷、鈦、鈣、鍶及鎂中選出之一者以上之元素。稀釋元素之單一氧化物的燒結體，在特定蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體之侵蝕速率的5倍以上。

简体摘要： 本发明之熔射用粉末，系含有稀土类元素、与稀土类元素以外且为氧以外之元素的稀释元素；例如由锌、硅、硼、磷、钛、钙、锶及镁中选出之一者以上之元素。稀释元素之单一氧化物的烧结体，在特定蚀刻条件下之侵蚀速率，为相同蚀刻条件下之氧化钇烧结体之侵蚀速率的5倍以上。

公开(公告)号：TW201005103A

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW098114183

申请日：2009-04-29

申请人： 愛發科股份有限公司

发明人： 門脇豐 ,  齋藤朋子 ,  林敬榮 ,  蟲明克彥

IPC分类号： C22C ,  C23C

CPC分类号： C23C4/06 ,  C22C21/00 ,  C23C4/08 ,  C23C4/18 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4407

摘要： 本發明係提供水反應性鋁複合材料，水反應性鋁膜，該鋁膜之製造方法，及成膜室用構成構件。其中水反應性鋁複合材料係由，4N鋁或5N鋁中添加鋁基準下為0.8至1.4wt%之鉍，及與不純物矽量的合計成為0.25至0.7wt%的量之矽而得。鋁熔射膜係使用該材料製造。成膜室用構成構件係表面備有該鋁熔射膜。

简体摘要： 本发明系提供水反应性铝复合材料，水反应性铝膜，该铝膜之制造方法，及成膜室用构成构件。其中水反应性铝复合材料系由，4N铝或5N铝中添加铝基准下为0.8至1.4wt%之铋，及与不纯物硅量的合计成为0.25至0.7wt%的量之硅而得。铝熔射膜系使用该材料制造。成膜室用构成构件系表面备有该铝熔射膜。

公开(公告)号：TW200715303A

公开(公告)日：2007-04-16

申请号：TW095123004

申请日：2006-06-26

申请人： 通用電機股份有限公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： 凱薩琳 達卡 DULKA, CATHERINE PROCIK ,  大衛 衛斯理 山達斯其 SANDUSKY, DAVID WESLEY ,  金榮長 KIM, YOUNG JIN

IPC分类号： G21C ,  C23F ,  C23C ,  F04F

CPC分类号： F04F5/464 ,  C23C4/08 ,  C23C14/16 ,  C23C16/06 ,  C25D7/00 ,  F04F5/46 ,  F04F5/466

摘要： 為減少、減至最少或消除經冷卻劑所載之荷電粒子在核反應器10的水循環系統中之元件壁表面上的靜電沈積,使用一種貴金屬或貴金屬合金鍍覆該元件表面。所得元件表面的電荷符號與冷卻劑流中的荷電粒子之符號相同。

简体摘要： 为减少、减至最少或消除经冷却剂所载之荷电粒子在核反应器10的水循环系统中之组件壁表面上的静电沉积,使用一种贵金属或贵金属合金镀覆该组件表面。所得组件表面的电荷符号与冷却剂流中的荷电粒子之符号相同。

公开(公告)号：TW200639261A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：TW095102138

申请日：2006-01-20

申请人： 史達克赫姆斯多夫有限公司 H. C. STARCK HERMSDORF GMBH

发明人： 瑞翰斯 REIS, HANS-HENNING ,  湯瑪士 FURCHE, THOMAS ,  安迪森 ANDERSSON, KLAUS

IPC分类号： C22C ,  C23C ,  H01J

CPC分类号： C22C27/04 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/10 ,  C23C4/08 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/02 ,  B22F3/20 ,  B22F3/24 ,  B22F3/17

摘要： 本發明涉及一種鉬合金及其在用於高溫用途的金屬基底材料的用途。特別地，本發明涉及用於高功率要求的旋轉陽極X射線管的陽極圓盤的由鉬合金組成的金屬基底材料，用於生產這種材料的方法和使用這種材料生產陽極圓盤的方法。此外本發明還涉及由鉬合金構成的濺射靶和用於產生該濺射靶的方法。

简体摘要： 本发明涉及一种钼合金及其在用于高温用途的金属基底材料的用途。特别地，本发明涉及用于高功率要求的旋转阳极X射线管的阳极圆盘的由钼合金组成的金属基底材料，用于生产这种材料的方法和使用这种材料生产阳极圆盘的方法。此外本发明还涉及由钼合金构成的溅射靶和用于产生该溅射靶的方法。