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公开(公告)号：TW201809346A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118780
申请日：2017-06-07
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人： 隆吉 戴芬 , LONGRIE, DELPHINE , 尼斯卡嫩 安提 具哈尼 , NISKANEN, ANTTI JUHANI , 王瀚 , WANG, HAN , 謝琦 , XIE, QI , 梅斯 強 威廉 , MAES, JAN WILLEM , 陳尚 , CHEN, SHANG , 渡會俊晴 , WATARAI, TOSHIHARU , 小沼大 , ONUMA, TAKAHIRO , 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 難波邦年 , NAMBA, KUNITOSHI
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/7685
摘要： 可將金屬層相對於基底的第二表面選擇性地沈積於基底的一個表面上。在一些實施例中，相對於包括矽的第二表面，將金屬層選擇性地沈積於第一金屬表面上。在一些實施例中，可視情況在執行選擇性沈積製程之前對將要執行選擇性沈積的反應室進行鈍化。在一些實施例中，達成高於約50%或甚至約90%的選擇性。
简体摘要： 可将金属层相对于基底的第二表面选择性地沉积于基底的一个表面上。在一些实施例中，相对于包括硅的第二表面，将金属层选择性地沉积于第一金属表面上。在一些实施例中，可视情况在运行选择性沉积制程之前对将要运行选择性沉积的反应室进行钝化。在一些实施例中，达成高于约50%或甚至约90%的选择性。
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公开(公告)号：TW201801152A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106311
申请日：2017-02-24
发明人： 千葉洋一郎 , CHIBA, YOICHIRO , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/20 , H01L21/285 , C23C16/04 , C23C16/455 , C30B29/06
CPC分类号： C30B1/026 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/56 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/52 , C30B29/68
摘要： 本發明提供凹部內之結晶成長方法，其係對於具有已在表面形成凹部之絕緣膜之被處理基板，在該凹部內使結晶成長，其具有以下步驟：在該絕緣膜的表面，以不完全埋入該凹部的程度之厚度，而使第1膜成膜；接著，以蝕刻氣體對該第1膜進行蝕刻，而使該第1膜僅殘存於該凹部內之底部；接著，對該被處理基板施以退火，以使殘存於該凹部內之底部之第1膜成為結晶性層；繼而，在該絕緣膜的表面及該結晶性層的表面，以不完全埋入該凹部的程度之厚度，使該第2膜成膜；繼而，對該被處理基板施以退火，藉由固態磊晶成長方式，自該凹部內之底部使該第2膜結晶成長，而形成磊晶結晶層；接著，以蝕刻氣體以蝕刻方式而去除所殘存之該第2膜。
简体摘要： 本发明提供凹部内之结晶成长方法，其系对于具有已在表面形成凹部之绝缘膜之被处理基板，在该凹部内使结晶成长，其具有以下步骤：在该绝缘膜的表面，以不完全埋入该凹部的程度之厚度，而使第1膜成膜；接着，以蚀刻气体对该第1膜进行蚀刻，而使该第1膜仅残存于该凹部内之底部；接着，对该被处理基板施以退火，以使残存于该凹部内之底部之第1膜成为结晶性层；继而，在该绝缘膜的表面及该结晶性层的表面，以不完全埋入该凹部的程度之厚度，使该第2膜成膜；继而，对该被处理基板施以退火，借由固态磊晶成长方式，自该凹部内之底部使该第2膜结晶成长，而形成磊晶结晶层；接着，以蚀刻气体以蚀刻方式而去除所残存之该第2膜。
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公开(公告)号：TWI601736B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW102145435
申请日：2013-12-10
申请人： 艾迪科股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人： 吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 櫻井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 白鳥翼 , SHIRATORI, TSUBASA , 田瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 內生藏廣幸 , UCHIUZOU, HIROYUKI , 西田章浩 , NISHIDA, AKIHIRO
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F5/069 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/44
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公开(公告)号：TW201735272A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106309
申请日：2017-02-24
发明人： 千葉洋一郎 , CHIBA, YOICHIRO , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI
IPC分类号： H01L23/053 , H01L21/74
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/24 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76876
摘要： 本發明，係對於在表面具有已形成凹部之絕緣膜之被處理基板，將鍺或鍺矽所構成之鍺系膜填埋至該凹部之凹部之填埋方法，其具有以下步驟：在該絕緣膜的表面，以不完全埋入該凹部之厚度，使矽膜成膜；接著，對該矽膜進行蝕刻，而使該矽膜僅殘存於該凹部內之底部；接著，在殘存於該凹部內之底部之該矽膜上，選擇性地使鍺或矽鍺所構成之鍺系膜成長，而選擇性的將該鍺系膜填埋至該凹部。
简体摘要： 本发明，系对于在表面具有已形成凹部之绝缘膜之被处理基板，将锗或锗硅所构成之锗系膜填埋至该凹部之凹部之填埋方法，其具有以下步骤：在该绝缘膜的表面，以不完全埋入该凹部之厚度，使硅膜成膜；接着，对该硅膜进行蚀刻，而使该硅膜仅残存于该凹部内之底部；接着，在残存于该凹部内之底部之该硅膜上，选择性地使锗或硅锗所构成之锗系膜成长，而选择性的将该锗系膜填埋至该凹部。
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公开(公告)号：TWI599673B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102138925
申请日：2013-10-28
发明人： 傅新宇 , FU, XINYU , 干德可塔史林尼維斯 , GANDIKOTA, SRINIVAS , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V. , 諾里阿提夫 , NOORI, ATIF , 張鎂 , CHANG, MEI , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID , 葛漢納耶史帝夫G , GHANAYEM, STEVE G.
IPC分类号： C23C16/08 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
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公开(公告)号：TWI599672B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104117831
申请日：2015-06-02
发明人： 哈森維納亞克費雪瓦納 , HASSAN, VINAYAK VISHWANATH , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A. , 比斯利卡拉 , BEASLEY, CARA , 霍夫曼賴夫 , HOFMANN, RALF
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公开(公告)号：TWI596101B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105113841
申请日：2016-05-04
发明人： 原田了輔 , HARADA, RYOSUKE , 重冨利幸 , SHIGETOMI, TOSHIYUKI , 鍋谷俊一 , NABEYA, SHUNICHI , 鈴木和治 , SUZUKI, KAZUHARU , 熊倉亜希子 , KUMAKURA, AKIKO , 青山達貴 , AOYAMA, TATSUTAKA , 曽根孝之 , SONE, TAKAYUKI
CPC分类号： C07F15/0046 , C07C251/08 , C07F13/00 , C07F15/00 , C07F15/06 , C07F19/00 , C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/46 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/285 , H01L21/31
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公开(公告)号：TWI576916B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102112010
申请日：2013-04-03
发明人： 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU , 田村知大 , TAMURA, TIHIRO , 青山真太郎 , AOYAMA, SHINTARO , 和村有 , WAMURA, YU
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105 , C23C14/08
CPC分类号： H01L21/02356 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28158 , H01L21/28185 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L28/40 , H01L29/401 , H01L29/517
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公开(公告)号：TW201703148A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105105369
申请日：2016-02-24
发明人： 永井洋之 , NAGAI, HIROYUKI , 常鵬 , CHANG, PENG , 松本賢治 , MATSUMOTO, KENJI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/28 , C23C14/14
CPC分类号： H01L21/76864 , C23C14/025 , C23C14/046 , C23C14/14 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/46 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/28568 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/76846 , H01L21/76876 , H01L21/76882 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/53238
摘要： 針對基板所形成之溝渠及孔洞，以良好填埋性且效率良好地埋入Cu或Cu合金來形成低阻抗之Cu配線。 一種針對在表面形成有具備既定圖案之溝渠以及形成於溝渠之底部的孔洞之膜的基板，將Cu或Cu合金埋入溝渠及孔洞來形成Cu配線之方法，係具有：形成障蔽膜之工序；於障蔽膜表面形成由Ru等所構成的被潤濕層之工序；接著，藉由PVD在被潤濕層表面形成Cu系種晶膜之工序；接著，加熱基板，讓Cu系種晶膜流入孔洞內來填埋孔洞之工序；以及接著，在基板表面藉由可在被潤濕層上流動之條件的PVD來形成Cu或Cu合金所構成之Cu系膜，以將Cu系膜填埋於該溝渠內之工序。
简体摘要： 针对基板所形成之沟渠及孔洞，以良好填埋性且效率良好地埋入Cu或Cu合金来形成低阻抗之Cu配线。 一种针对在表面形成有具备既定图案之沟渠以及形成于沟渠之底部的孔洞之膜的基板，将Cu或Cu合金埋入沟渠及孔洞来形成Cu配线之方法，系具有：形成障蔽膜之工序；于障蔽膜表面形成由Ru等所构成的被润湿层之工序；接着，借由PVD在被润湿层表面形成Cu系种晶膜之工序；接着，加热基板，让Cu系种晶膜流入孔洞内来填埋孔洞之工序；以及接着，在基板表面借由可在被润湿层上流动之条件的PVD来形成Cu或Cu合金所构成之Cu系膜，以将Cu系膜填埋于该沟渠内之工序。
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公开(公告)号：TWI557268B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW102112262
申请日：2013-04-03
申请人： 戴森科技有限公司 , DYSON TECHNOLOGY LIMITED
发明人： 阿馬拉通加 格翰 , AMARATUNGA, GEHAN ANJIL JOSEPH , 崔榮辰 , CHOI, YOUNGJIN , 席娃瑞蒂 薩伊 , SHIVAREDDY, SAI GIRIDHAR , 伯朗 奈森 , BROWN, NATHAN CHARLES , 柯里斯 查爾斯 , COLLIS, CHARLES ANTHONY NEILD
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： H01L28/40 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/455 , C23C16/45527 , C23C16/52 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/0228
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