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    氧氟化釔熱噴塗膜及其製造方法、以及熱噴塗構件
    1.
    发明专利
    氧氟化釔熱噴塗膜及其製造方法、以及熱噴塗構件 审中-公开
    氧氟化钇热喷涂膜及其制造方法、以及热喷涂构件

    公开(公告)号：TW201805450A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106120669

    申请日：2017-06-21

    申请人： 日本特殊陶業股份有限公司 ,  NGK SPARK PLUG CO., LTD.

    发明人： 井口真仁 ,  IGUCHI, MABITO ,  早坂祐毅 ,  HAYASAKA, YUUKI ,  則武賢信 ,  NORITAKE, YASUNOBU

    IPC分类号： C23C4/10 ,  C23C16/513

    CPC分类号： C23C24/103 ,  C01F17/0043 ,  C01F17/0062 ,  C09D1/00 ,  C23C4/06 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  C23C28/042

    摘要： 提供一種氧氟化釔熱噴塗膜及包含氧氟化釔的熱噴塗膜，其能抑制微龜裂、顆粒的產生。 一種氧氟化釔熱噴塗膜，其特徵為，以Y5O4F7為主要成分，在由X線繞射法所得到的繞射光譜中，在將歸屬於氧氟化釔的全部波峰強度的合計設為100時，歸屬於氟化釔及氧化釔的全部波峰強度的合計小於10。另外，一種包含氧氟化釔的熱噴塗膜，其特徵為，在由X線繞射法所得到的繞射光譜中，在將歸屬於氧氟化釔及氟化釔的全部波峰強度的合計設為100時，歸屬於氧化釔的全部波峰強度的合計小於1。

    简体摘要： 提供一种氧氟化钇热喷涂膜及包含氧氟化钇的热喷涂膜，其能抑制微龟裂、颗粒的产生。 一种氧氟化钇热喷涂膜，其特征为，以Y5O4F7为主要成分，在由X线绕射法所得到的绕射光谱中，在将归属于氧氟化钇的全部波峰强度的合计设为100时，归属于氟化钇及氧化钇的全部波峰强度的合计小于10。另外，一种包含氧氟化钇的热喷涂膜，其特征为，在由X线绕射法所得到的绕射光谱中，在将归属于氧氟化钇及氟化钇的全部波峰强度的合计设为100时，归属于氧化钇的全部波峰强度的合计小于1。

    載置台之表面處理方法、載置台及電漿處理裝置
    2.
    发明专利
    載置台之表面處理方法、載置台及電漿處理裝置 审中-公开
    载置台之表面处理方法、载置台及等离子处理设备

    公开(公告)号：TW201735157A

    公开(公告)日：2017-10-01

    申请号：TW106100922

    申请日：2017-01-12

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 岡部真也 ,  OKABE, SHINYA ,  山崎英亮 ,  YAMASAKI, HIDEAKI ,  岡純也 ,  OKA, JUNYA ,  小林裕史 ,  KOBAYASHI, YUUJI ,  菊地貴倫 ,  KIKUCHI, TAKAMICHI

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/509 ,  H01L21/285 ,  H05H1/46

    CPC分类号： C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  C23C4/137 ,  C23C4/18 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757

    摘要： 本發明之課題在於提供一種技術，於上部電極與兼做為下部電極之金屬製載置台之間施加高頻電力的電漿處理裝置中，使得處理容器內之電漿安定化。 對於設置在處理容器2內之兼用做為下部電極的金屬製載置台3之載置面吹附氧化鋁之微細粒子100來經過第1噴砂處理之後，進行吹附乾冰之微細粒子101的第2噴砂處理。是以，藉由吹附氧化鋁之微細粒子100所形成之凹凸的邊部成為圓滑。因此，從高頻電源51經由氣體供給部5(上部電極)、晶圓W以及載置台3到達地面之高頻電流路徑中，晶圓W與載置台3之間的阻抗變小。從而，由於從電漿產生區域朝處理容器2之側壁等的電流路徑形成受到抑制，故可使得電漿安定化，進行安定的電漿處理。

    简体摘要： 本发明之课题在于提供一种技术，于上部电极与兼做为下部电极之金属制载置台之间施加高频电力的等离子处理设备中，使得处理容器内之等离子安定化。 对于设置在处理容器2内之兼用做为下部电极的金属制载置台3之载置面吹附氧化铝之微细粒子100来经过第1喷砂处理之后，进行吹附干冰之微细粒子101的第2喷砂处理。是以，借由吹附氧化铝之微细粒子100所形成之凹凸的边部成为圆滑。因此，从高频电源51经由气体供给部5(上部电极)、晶圆W以及载置台3到达地面之高频电流路径中，晶圆W与载置台3之间的阻抗变小。从而，由于从等离子产生区域朝处理容器2之侧壁等的电流路径形成受到抑制，故可使得等离子安定化，进行安定的等离子处理。

    具有較佳電漿蝕刻阻抗性之元件及改善元件對電漿蝕刻之阻抗性之方法
    6.
    发明专利
    具有較佳電漿蝕刻阻抗性之元件及改善元件對電漿蝕刻之阻抗性之方法 审中-公开
    具有较佳等离子蚀刻阻抗性之组件及改善组件对等离子蚀刻之阻抗性之方法

    公开(公告)号：TW201630066A

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：TW104136434

    申请日：2015-11-05

    申请人： 品維斯有限公司 ,  FEMVIX CORP. ,  金沃律 ,  KIM, OK-RYUL ,  金沃珉 ,  KIM, OK-MIN

    发明人： 金沃珉 ,  KIM, OK-MIN ,  金沃律 ,  KIM, OK-RYUL

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/56

    CPC分类号： C23C4/11 ,  C23C4/02 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  C23C24/04 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67069

    摘要： 本發明係關於解決半導體或顯示器製造設備之元件因曝露於電漿而被蝕刻之問題，詳言之則係關於一種改善元件對電漿蝕刻之阻抗性之方法，其步驟包括在塗佈陶瓷粉末前去除元件本體表面之谷部及峰部，以及去除因塗佈陶瓷粉末而形成之被覆層之表面谷部及峰部，此外，本發明亦關於一種由該方法所形成、具有較佳電漿蝕刻阻抗性之元件。該元件係半導體或顯示器製造設備之元件，且係曝露於電漿中，該元件之形成方式係在已去除部分或全部谷部及峰部之元件本體表面上形成陶瓷被覆層，並去除該被覆層表面之部分或全部谷部及峰部。

    简体摘要： 本发明系关于解决半导体或显示器制造设备之组件因曝露于等离子而被蚀刻之问题，详言之则系关于一种改善组件对等离子蚀刻之阻抗性之方法，其步骤包括在涂布陶瓷粉末前去除组件本体表面之谷部及峰部，以及去除因涂布陶瓷粉末而形成之被覆层之表面谷部及峰部，此外，本发明亦关于一种由该方法所形成、具有较佳等离子蚀刻阻抗性之组件。该组件系半导体或显示器制造设备之组件，且系曝露于等离子中，该组件之形成方式系在已去除部分或全部谷部及峰部之组件本体表面上形成陶瓷被覆层，并去除该被覆层表面之部分或全部谷部及峰部。

    用於導電薄膜沉積設備之內部構件，及該內部構件製造方法
    7.
    发明专利
    用於導電薄膜沉積設備之內部構件，及該內部構件製造方法 审中-公开
    用于导电薄膜沉积设备之内部构件，及该内部构件制造方法

    公开(公告)号：TW201602381A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW104118868

    申请日：2015-06-11

    申请人： 高美科股份有限公司 ,  KOMICO CO., LTD.

    发明人： 張成水 ,  JANG, SUNG SOO ,  高賢哲 ,  KO, HYUN CHUL ,  張敬翼 ,  JANG, KYUNG IC ,  崔成眞 ,  CHOI, SUNG JIN

    IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/00

    CPC分类号： C23C4/08 ,  C23C4/129 ,  C23C4/134 ,  C23C14/564 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76838

    摘要： 一種用於導電薄膜沉積設備之內部構件，包括：艙體構造，其包括支撐將會配置導電薄膜於其上之物件的物件支撐單元、支撐用以配置導電薄膜於物件的靶材之靶材支撐單元，其中物件包括第一金屬材料，且艙體構造具有位於其中的反應空間；以及塗膜構造，其形成於艙體構造的內表面，塗膜構造覆蓋內表面，內表面暴露艙體構造的反應空間，且塗膜構造包括第二金屬材料，其具有第一金屬材料中的至少一種金屬元素。

    简体摘要： 一种用于导电薄膜沉积设备之内部构件，包括：舱体构造，其包括支撑将会配置导电薄膜于其上之对象的对象支撑单元、支撑用以配置导电薄膜于对象的靶材之靶材支撑单元，其中对象包括第一金属材料，且舱体构造具有位于其中的反应空间；以及涂膜构造，其形成于舱体构造的内表面，涂膜构造覆盖内表面，内表面暴露舱体构造的反应空间，且涂膜构造包括第二金属材料，其具有第一金属材料中的至少一种金属元素。

    氟化物熱噴塗皮膜的形成方法及氟化物熱噴塗皮膜被覆構件
    9.
    发明专利
    氟化物熱噴塗皮膜的形成方法及氟化物熱噴塗皮膜被覆構件 审中-公开
    氟化物热喷涂皮膜的形成方法及氟化物热喷涂皮膜被覆构件

    公开(公告)号：TW201339365A

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：TW101147973

    申请日：2012-12-18

    申请人： 東華隆股份有限公司 ,  TOCALO CO., LTD

    发明人： 原田良夫 ,  HARADA, YOSHIO ,  戶越健一郎 ,  TOGOE, KENICHIRO

    IPC分类号： C23C4/04

    CPC分类号： C23C4/10 ,  C23C4/02 ,  C23C4/04 ,  C23C4/129 ,  C23C4/134 ,  Y10T428/24413

    摘要： 本發明課題在於提出一種藉由在基材表面被覆碳化物金屬陶瓷並隔著其使氟化物熱噴塗皮膜強固地密接而成的氟化物熱噴塗皮膜被覆構件的提供、及一種供以獲得其之方法。解決手段為藉由在基材表面使用熱噴塗槍以高速噴灑碳化物金屬陶瓷材料，形成使碳化物金屬陶瓷粒子的前端部埋沒在基材中、同時被覆成膜狀而成的碳化物金屬陶瓷之底塗層或底漆部，之後，藉由於其上熱噴塗氟化物粒子而形成氟化物熱噴塗皮膜。

    简体摘要： 本发明课题在于提出一种借由在基材表面被覆碳化物金属陶瓷并隔着其使氟化物热喷涂皮膜强固地密接而成的氟化物热喷涂皮膜被覆构件的提供、及一种供以获得其之方法。解决手段为借由在基材表面使用热喷涂枪以高速喷洒碳化物金属陶瓷材料，形成使碳化物金属陶瓷粒子的前端部埋没在基材中、同时被复成膜状而成的碳化物金属陶瓷之底涂层或底漆部，之后，借由于其上热喷涂氟化物粒子而形成氟化物热喷涂皮膜。

    施加塗層於基底上之方法及裝置 METHOD AND AN APPARATUS FOR APPLYING A COATING ON A SUBSTRATE
    10.
    发明专利
    施加塗層於基底上之方法及裝置 METHOD AND AN APPARATUS FOR APPLYING A COATING ON A SUBSTRATE 有权
    施加涂层于基底上之方法及设备 METHOD AND AN APPARATUS FOR APPLYING A COATING ON A SUBSTRATE

    公开(公告)号：TWI364464B

    公开(公告)日：2012-05-21

    申请号：TW093124091

    申请日：2004-08-11

    申请人： 歐提比太陽能有限公司

    发明人： 馬汀 拜克 ,  羅蘭 博傑 ,  法蘭西柯斯 丁斯

    IPC分类号： C23C

    CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C4/12 ,  C23C4/134 ,  C23C16/513

    摘要： 一種施加塗層於一基底上之方法與裝置，其中，在基底相對面，佈置至少兩擴充熱電漿(ETP)源，其提供基底一塗層，其中，基底位在一處理室中，處理室中之壓力低於載子氣體，ETP源中之當前壓力，該載子氣體經由ETP源被導入處理室中並形成擴充電漿，其中，根據例如為高斯沈積縱剖圖之某一沈積縱剖圖，為各ETP源所提供之塗層具有一層膜厚度，且其中，選定不同程序參數，使得在塗覆程序後，沈積縱剖圖之增添在基底相關部位上造成實質上為均勻之層膜厚度。最好，選定及/或設定同時產生電漿之ETP源間之距離，使得擴充電漿實質上彼此不影響。

    简体摘要： 一种施加涂层于一基底上之方法与设备，其中，在基底相对面，布置至少两扩充热等离子(ETP)源，其提供基底一涂层，其中，基底位在一处理室中，处理室中之压力低于载子气体，ETP源中之当前压力，该载子气体经由ETP源被导入处理室中并形成扩充等离子，其中，根据例如为高斯沉积纵剖图之某一沉积纵剖图，为各ETP源所提供之涂层具有一层膜厚度，且其中，选定不同进程参数，使得在涂覆进程后，沉积纵剖图之增添在基底相关部位上造成实质上为均匀之层膜厚度。最好，选定及/或设置同时产生等离子之ETP源间之距离，使得扩充等离子实质上彼此不影响。