複合空心板結構及其製作方法
    7.
    发明专利
    複合空心板結構及其製作方法 审中-公开
    复合空心板结构及其制作方法

    公开(公告)号:TW201728812A

    公开(公告)日:2017-08-16

    申请号:TW105103635

    申请日:2016-02-03

    IPC分类号: E04C2/34 E04C2/36

    摘要: 本發明係關於一種複合空心板結構及其製作方法,此複合空心板結構包括一第一板體及一第二板體,第一板體的一表面成形有複數第一錐形環和複數第一套環;第二板體壓接於第一板體上,第二板體的一表面成形有複數第二錐形環和複數第二套環,各第一錐形環與各第二套環相互嵌固結合,各第二錐形環與各第一套環相互嵌固結合,且各第一錐形環與各第二套環之間、各第二錐形環與各第一套環之間分別形成有一空心腔。藉此,省略習知黏接或焊接方式而製成複合空心板,以提升複合空心板的耐彎折等變形量,並能夠簡化製程和縮短製作時間。

    简体摘要: 本发明系关于一种复合空心板结构及其制作方法,此复合空心板结构包括一第一板体及一第二板体,第一板体的一表面成形有复数第一锥形环和复数第一套环;第二板体压接于第一板体上,第二板体的一表面成形有复数第二锥形环和复数第二套环,各第一锥形环与各第二套环相互嵌固结合,各第二锥形环与各第一套环相互嵌固结合,且各第一锥形环与各第二套环之间、各第二锥形环与各第一套环之间分别形成有一空心腔。借此,省略习知黏接或焊接方式而制成复合空心板,以提升复合空心板的耐弯折等变形量,并能够简化制程和缩短制作时间。

    肥粒鐵系不鏽鋼箔
    9.
    发明专利
    肥粒鐵系不鏽鋼箔 审中-公开
    肥粒铁系不锈钢箔

    公开(公告)号:TW201716597A

    公开(公告)日:2017-05-16

    申请号:TW105126258

    申请日:2016-08-17

    IPC分类号: C22C38/00 C22C28/00

    摘要: 本發明可提供一種肥粒鐵系不鏽鋼箔,其即使是板厚在60μm以下的極薄不鏽鋼箔,其鼓膨成形性仍高,且對於鼓膨成形變形之異向性仍小。 本發明之肥粒鐵系不鏽鋼箔,其特徵在於:其板厚在5μm以上且60μm以下,且不鏽鋼箔的再結晶率為90%以上且100%以下,在解析前述不鏽鋼箔的集合組織所得到的方位布函數中,歐拉角(Euker angle) φ2為45°±10°時,歐拉角Φ在53.4°±10°所表示之面中,顯示出對應於歐拉角φ1之方位的峰強度比中,最大峰強度比是在25以下;但,歐拉角φ1為0~90°。

    简体摘要: 本发明可提供一种肥粒铁系不锈钢箔,其即使是板厚在60μm以下的极薄不锈钢箔,其鼓膨成形性仍高,且对于鼓膨成形变形之异向性仍小。 本发明之肥粒铁系不锈钢箔,其特征在于:其板厚在5μm以上且60μm以下,且不锈钢箔的再结晶率为90%以上且100%以下,在解析前述不锈钢箔的集合组织所得到的方位布函数中,欧拉角(Euker angle) φ2为45°±10°时,欧拉角Φ在53.4°±10°所表示之面中,显示出对应于欧拉角φ1之方位的峰强度比中,最大峰强度比是在25以下;但,欧拉角φ1为0~90°。

    沃斯田鐵系不鏽鋼箔
    10.
    发明专利
    沃斯田鐵系不鏽鋼箔 审中-公开
    沃斯田铁系不锈钢箔

    公开(公告)号:TW201713779A

    公开(公告)日:2017-04-16

    申请号:TW105126257

    申请日:2016-08-17

    IPC分类号: C21D9/46 H01M2/02

    摘要: 本發明提供一種沃斯田鐵系不鏽鋼箔,其即使是板厚在60μm以下的極薄不鏽鋼箔,其鼓膨成形性仍高且對鼓膨成形上的變形異向性仍小。 本發明之沃斯田鐵系不鏽鋼箔,其特徵在於:其板厚在5μm以上且60μm以下,再結晶率為90%以上且100%以下,並且在測定視野内具有下述面積率合計在20%以下的集合組織:自{112}<111>方位起算方位差在10°以内的結晶方位之面積率、自{110}<112>方位起算方位差在10°以内結晶方位之面積率,以及自{110}<001>方位起算方位差在10°以内結晶方位之面積率。

    简体摘要: 本发明提供一种沃斯田铁系不锈钢箔,其即使是板厚在60μm以下的极薄不锈钢箔,其鼓膨成形性仍高且对鼓膨成形上的变形异向性仍小。 本发明之沃斯田铁系不锈钢箔,其特征在于:其板厚在5μm以上且60μm以下,再结晶率为90%以上且100%以下,并且在测定视野内具有下述面积率合计在20%以下的集合组织:自{112}<111>方位起算方位差在10°以内的结晶方位之面积率、自{110}<112>方位起算方位差在10°以内结晶方位之面积率,以及自{110}<001>方位起算方位差在10°以内结晶方位之面积率。