利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

1032 条记录 (耗时 0.045 秒)

    碳膜之成膜方法及成膜裝置
    4.
    发明专利
    碳膜之成膜方法及成膜裝置 审中-公开
    碳膜之成膜方法及成膜设备

    公开(公告)号：TW201812066A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106116544

    申请日：2017-05-19

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 清水亮 ,  SHIMIZU, AKIRA ,  北村昌幸 ,  KITAMURA, MASAYUKI ,  渡邊要介 ,  WATANABE, YOSUKE

    IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742

    摘要： 本發明之課題係提供一種碳膜之成膜方法及成膜裝置，在使用熱分解溫度下降氣體以進行低溫成膜的情況下，可以形成黏附性良好的碳膜。 為解決上述課題之手段，係提供一種在被處理體上形成碳膜的碳膜之成膜方法，包含以下步驟：將被處理體搬入處理室內的步驟；對處理室內供給含有含硼氣體之氣體，而在被處理體之表面，形成硼類薄膜所構成之晶種層的步驟；以及供給烴類碳源氣、及含有鹵族元素且使烴類碳源氣之熱分解溫度下降的熱分解溫度下降氣體，將烴類碳源氣加熱至低於其熱分解溫度的溫度而使之熱分解，並藉由熱化學氣相沉積以在被處理體上形成碳膜的步驟。

    简体摘要： 本发明之课题系提供一种碳膜之成膜方法及成膜设备，在使用热分解温度下降气体以进行低温成膜的情况下，可以形成黏附性良好的碳膜。 为解决上述课题之手段，系提供一种在被处理体上形成碳膜的碳膜之成膜方法，包含以下步骤：将被处理体搬入处理室内的步骤；对处理室内供给含有含硼气体之气体，而在被处理体之表面，形成硼类薄膜所构成之晶种层的步骤；以及供给烃类碳源气、及含有卤族元素且使烃类碳源气之热分解温度下降的热分解温度下降气体，将烃类碳源气加热至低于其热分解温度的温度而使之热分解，并借由热化学气相沉积以在被处理体上形成碳膜的步骤。

    基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
    6.
    发明专利
    基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 审中-公开
    基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程

    公开(公告)号：TW201810362A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW106106672

    申请日：2017-03-01

    申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

    发明人： 八幡橘 ,  YAHATA, TAKASHI

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L27/04

    CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754

    摘要： 提供使對基板的處理品質提升的技術。本發明之基板處理裝置係具有：複數處理室，其係處理基板；搬運室，其係搬運基板；複數移載室，其係被設在搬運室與處理室之間，且對應處理室的各個；複數閘閥，其係被設在搬運室與移載室之間；複數第1氣體供給部，其係被設在搬運室，且對通過複數閘閥的位置的基板各個供給惰性氣體；搬運機器人，其係被設在搬運室內，且將基板搬運至移載室；及控制部，其係以當第1氣體供給部的供給孔與通過閘閥的基板的距離為第1距離之時，以第1流量供給惰性氣體，當距離為比第1距離為更長的第2距離之時，以比第1流量為更多的第2流量供給惰性氣體的方式，控制複數第1氣體供給部與搬運機器人。

    简体摘要： 提供使对基板的处理品质提升的技术。本发明之基板处理设备系具有：复数处理室，其系处理基板；搬运室，其系搬运基板；复数移载室，其系被设在搬运室与处理室之间，且对应处理室的各个；复数闸阀，其系被设在搬运室与移载室之间；复数第1气体供给部，其系被设在搬运室，且对通过复数闸阀的位置的基板各个供给惰性气体；搬运机器人，其系被设在搬运室内，且将基板搬运至移载室；及控制部，其系以当第1气体供给部的供给孔与通过闸阀的基板的距离为第1距离之时，以第1流量供给惰性气体，当距离为比第1距离为更长的第2距离之时，以比第1流量为更多的第2流量供给惰性气体的方式，控制复数第1气体供给部与搬运机器人。

    基板支撐組件及具有其之處理腔室
    7.
    发明专利
    基板支撐組件及具有其之處理腔室 审中-公开
    基板支撑组件及具有其之处理腔室

    公开(公告)号：TW201810345A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW106118870

    申请日：2017-06-07

    申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： 亞大夫 尚傑 ,  YADAV, SANJAY D. ,  拉奧 沙蕾莎 ,  RAO, SHREESHA Y. ,  元 泰景 ,  WON, TAE KYUNG ,  阿查裡雅 烏玫莎 ,  ACHARY, UMESHA ,  橋希 希馬蘇 ,  JOSHI, HIMANSHU

    IPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/32

    CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  G01J5/0806 ,  G01J2005/0081

    摘要： 本揭露公開的實施例通常涉及一基板支撐組件中的一基板溫度監控系統。在一實施例中，基板支撐組件包括一支撐板和一基板溫度監控系統。支撐板具有用以支撐一基板之一頂表面。基板溫度監控系統係設置於基板支撐板中。基板溫度監控系統係用以從基板的一底表面測量基板的溫度。基板溫度監控系統包括一窗口、一主體及一溫度感測器。窗口係一體地形成於支撐板的一頂表面中。主體穿過底表面而嵌入支撐板中。主體界定出一個內部通道。溫度感測器係設置於窗口下方的內部通道中。溫度感測器係用以測量基板的溫度。

    简体摘要： 本揭露公开的实施例通常涉及一基板支撑组件中的一基板温度监控系统。在一实施例中，基板支撑组件包括一支撑板和一基板温度监控系统。支撑板具有用以支撑一基板之一顶表面。基板温度监控系统系设置于基板支撑板中。基板温度监控系统系用以从基板的一底表面测量基板的温度。基板温度监控系统包括一窗口、一主体及一温度传感器。窗口系一体地形成于支撑板的一顶表面中。主体穿过底表面而嵌入支撑板中。主体界定出一个内部信道。温度传感器系设置于窗口下方的内部信道中。温度传感器系用以测量基板的温度。

    膜厚度監測系統及使用所述系統的方法
    8.
    发明专利
    膜厚度監測系統及使用所述系統的方法 审中-公开
    膜厚度监测系统及使用所述系统的方法

    公开(公告)号：TW201805463A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW105128197

    申请日：2016-09-01

    申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

    发明人： 許祐霖 ,  HSU, YU-LIN ,  黃國興 ,  HUANG, KUO-HSIN ,  林建宏 ,  LIN, CHIEN-HUNG ,  石邦岷 ,  SHIH, PANG-MIN ,  宋兆峰 ,  SUNG, CHAO-FENG

    IPC分类号： C23C14/54 ,  G01B21/08

    CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C14/54 ,  C23C14/546 ,  G01N29/12 ,  G01N2291/0237 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/02854 ,  G01N2291/2697

    摘要： 提供一種膜厚度監測系統。所述膜厚度監測系統包括材料源、閥門以及腔室。所述材料源用以提供沉積材料。所述閥門連接至所述材料源。所述腔室包括歧管、石英晶體微量天平以及壓力感測器。所述歧管連接至所述閥門並具有至少一個第一噴嘴與至少一個第二噴嘴。所述石英晶體微量天平與所述至少一個第二噴嘴相對地配置。所述沉積材料適於經由所述至少一個第二噴嘴而沉積於所述石英晶體微量天平上，且所述石英晶體微量天平包括面對所述至少一個第二噴嘴的活動遮板。壓力感測器配置於所述歧管中。還提供一種用於監測膜厚度沉積製程的方法。

    简体摘要： 提供一种膜厚度监测系统。所述膜厚度监测系统包括材料源、阀门以及腔室。所述材料源用以提供沉积材料。所述阀门连接至所述材料源。所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器。所述歧管连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴。所述石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地配置。所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板。压力传感器配置于所述歧管中。还提供一种用于监测膜厚度沉积制程的方法。

    清潔電漿處理裝置之方法
    9.
    发明专利
    清潔電漿處理裝置之方法 审中-公开
    清洁等离子处理设备之方法

    公开(公告)号：TW201805079A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106115328

    申请日：2017-05-09

    申请人： SPTS科技公司 ,  SPTS TECHNOLOGIES LIMITED

    发明人： 克魯克 凱瑟林 ,  CROOK, KATHRINE ,  卡魯瑟斯 馬克 ,  CARRUTHERS, MARK ,  普萊斯 安德魯 ,  PRICE, ANDREW

    IPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

    CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/452 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/335

    摘要： 根據本發明，提供一種藉由基團來清潔電漿處理裝置之腔室的方法，該方法包含下列步驟：在與該腔室分離之遠程電漿源內產生電漿，該電漿包含基團及離子；藉由允許基團自該遠程電漿源進入該腔室來清潔該腔室，同時防止該遠程電漿源中產生的該等離子中之大部分進入該腔室；檢測在清潔期間於該腔室之組件上產生之直流偏壓；以及使用該所檢測之直流偏壓來判定該清潔之終點，且在判定該終點時停止該清潔。

    简体摘要： 根据本发明，提供一种借由基团来清洁等离子处理设备之腔室的方法，该方法包含下列步骤：在与该腔室分离之远程等离子源内产生等离子，该等离子包含基团及离子；借由允许基团自该远程等离子源进入该腔室来清洁该腔室，同时防止该远程等离子源中产生的该等离子中之大部分进入该腔室；检测在清洁期间于该腔室之组件上产生之直流偏压；以及使用该所检测之直流偏压来判定该清洁之终点，且在判定该终点时停止该清洁。