公开(公告)号：TWI620412B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW102146720

申请日：2013-12-17

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 木原崇雄 ,  KIHARA, TAKAO ,  佐野智弘 ,  SANO, TOMOHIRO

IPC: H03H7/01 ,  H01L23/64

CPC classification number: H03H7/1741 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H03F3/191 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/165 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/45576 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/0153 ,  H03H7/0161 ,  H03H7/1791 ,  H03H2001/0064 ,  H03H2001/0078 ,  H03H2007/013 ,  H03H2210/012 ,  H03H2210/025 ,  H03H2210/026 ,  H03H2210/036 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0408 ,  H04L27/36 ,  H04L27/364 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI617049B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105134596

申请日：2014-12-15

Applicant: 蘋果公司 ,  APPLE INC.

Inventor： 邁葛羅迪 凱莉 ,  MCGRODDY, KELLY ,  胡馨華 ,  HU, HSIN HUA ,  畢伯 安德思 ,  BIBL, ANDREAS ,  陳 克萊頓 嘉 駿 ,  CHAN, CLAYTON KA TSUN ,  海格 丹尼爾 亞瑟 ,  HAEGER, DANIEL ARTHUR

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  G09G3/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/016 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201628032A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104102725

申请日：2015-01-27

Applicant: 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 顏孝璁 ,  YEN, HSIAOTSUNG ,  梁家瑞 ,  LIANG, CHIAJUI

IPC: H01F27/34 ,  H01F41/14 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0682 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種積體電感結構，其包含電容、保護環、圖案式防護層及電感。保護環(guard ring)耦接於電容。圖案式防護層透過電容耦接於保護環，使得圖案式防護層浮接。電感配置於保護環與圖案式防護層之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种积体电感结构，其包含电容、保护环、图案式防护层及电感。保护环(guard ring)耦接于电容。图案式防护层透过电容耦接于保护环，使得图案式防护层浮接。电感配置于保护环与图案式防护层之上。

公开(公告)号：TW201440425A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：TW102146720

申请日：2013-12-17

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 木原崇雄 ,  KIHARA, TAKAO ,  佐野智弘 ,  SANO, TOMOHIRO

IPC: H03H7/01 ,  H01L23/64

CPC classification number: H03H7/1741 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H03F3/191 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/165 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/45576 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/0153 ,  H03H7/0161 ,  H03H7/1791 ,  H03H2001/0064 ,  H03H2001/0078 ,  H03H2007/013 ,  H03H2210/012 ,  H03H2210/025 ,  H03H2210/026 ,  H03H2210/036 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0408 ,  H04L27/36 ,  H04L27/364 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明旨在提供一種半導體裝置及濾波器電路之調整方法，在廣頻帶範圍實現使所輸入之高頻信號中之期望波成分通過，另一方面，使期望波之整數倍之諧波成分衰減之濾波器電路。其中濾波器電路係使所輸入之高頻信號中之期望波成分通過，另一方面，使期望波之3倍之3次諧波成分衰減之凹口濾波器(notch filter)。凹口濾波器包含：第1及第2電感器L1、L2，串聯連接於傳播高頻信號之信號線與電源線之間；第1可變電容器C1，連接於第1電感器L1及第2電感器L2之連接點與電源線之間；及第2可變電容器C2，連接於信號線及電源線之間。藉由第1及第2可變電容器C1、C2之電容調整期望波成分之頻率，藉由第1可變電容器C1之電容調整3次諧波成分之頻率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明旨在提供一种半导体设备及滤波器电路之调整方法，在广频带范围实现使所输入之高频信号中之期望波成分通过，另一方面，使期望波之整数倍之谐波成分衰减之滤波器电路。其中滤波器电路系使所输入之高频信号中之期望波成分通过，另一方面，使期望波之3倍之3次谐波成分衰减之凹口滤波器(notch filter)。凹口滤波器包含：第1及第2电感器L1、L2，串联连接于传播高频信号之信号线与电源线之间；第1可变电容器C1，连接于第1电感器L1及第2电感器L2之连接点与电源线之间；及第2可变电容器C2，连接于信号线及电源线之间。借由第1及第2可变电容器C1、C2之电容调整期望波成分之频率，借由第1可变电容器C1之电容调整3次谐波成分之频率。

公开(公告)号：TWI317136B

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：TW095126243

申请日：2006-07-18

Applicant: 三昆半導體公司

Inventor： 法賓拉都斯

IPC: H01C ,  H01L

CPC classification number: H01C7/006 ,  H01L27/016 ,  H01L28/20

Abstract: 本發明揭示一種積體電路之實施例，該積體電路包括一基材，及一矽鎢鎳薄膜電阻，其形成於該基材上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种集成电路之实施例，该集成电路包括一基材，及一硅钨镍薄膜电阻，其形成于该基材上。

公开(公告)号：TW200840018A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW097101790

申请日：2008-01-17

Applicant: 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.

Inventor： 白水信弘 SHIRAMIZU, NOBUHIRO ,  島本裕已 SHIMAMOTO, HIROMI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01C7/006 ,  H01C7/06 ,  H01L28/20

Abstract: 本發明的目的是在於提供一種藉由自我整合地進行電阻的接觸部的形成,減低接觸部的佔有面積及接觸電阻的不均,微細且高精度,能以低製造成本來形成之電阻元件。其解決手段是在絕緣膜上形成配線的基板表面堆積金屬薄膜,以能夠跨越配線間之方式殘留所望部份來異方性蝕刻金屬薄膜,藉此自我整合地連接成為電阻體的金屬薄膜與配線間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的是在于提供一种借由自我集成地进行电阻的接触部的形成,减低接触部的占有面积及接触电阻的不均,微细且高精度,能以低制造成本来形成之电阻组件。其解决手段是在绝缘膜上形成配线的基板表面堆积金属薄膜,以能够跨越配线间之方式残留所望部份来异方性蚀刻金属薄膜,借此自我集成地连接成为电阻体的金属薄膜与配线间。

公开(公告)号：TWI297414B

公开(公告)日：2008-06-01

申请号：TW091119846

申请日：2002-08-30

Applicant: 統寶光電股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP.

Inventor： 邱昌明 C. M. CHIU ,  戴亞翔 Y. H. TAI

IPC: G02F

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/016 ,  H01L27/12

Abstract: 本案係為一種儲存電容結構及其形成方法,應用於一
平面顯示器之主動矩陣中,該儲存電容結構包含:一下電
極層,其上表面具有凹凸結構;一介電層,覆蓋於該下電
極層之上表面;以及一上電極層,覆蓋於該介電層之上,
而該形成方法包含下列步驟:提供一基板;於該基板上方
形成該下電極層,該下電極層之上表面具有凹凸結構;於
該下電極層之上表面覆蓋該介電層;以及於該介電層之上
表面上覆蓋該上電極層。

Abstract in simplified Chinese: 本案系为一种存储电容结构及其形成方法,应用于一 平面显示器之主动矩阵中,该存储电容结构包含:一下电 极层,其上表面具有凹凸结构;一介电层,覆盖于该下电 极层之上表面;以及一上电极层,覆盖于该介电层之上, 而该形成方法包含下列步骤:提供一基板;于该基板上方 形成该下电极层,该下电极层之上表面具有凹凸结构;于 该下电极层之上表面覆盖该介电层;以及于该介电层之上 表面上覆盖该上电极层。

公开(公告)号：TW200746200A

公开(公告)日：2007-12-16

申请号：TW096109471

申请日：2007-03-20

Applicant: TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

Inventor： 桑島一 HAJIME KUWAJIMA ,  宮崎雅弘 MASAHIRO MIYAZAKI ,  古屋晃 AKIRA FURUYA

IPC: H01G

CPC classification number: H01L27/016

Abstract: 本發明提供一種薄膜元件,其包括元件本體以及4個端子電極。元件本體具有4個側面,且各端子電極配置為與各側面之一部分接觸。元件本體包括用以構成第1被動元件之下層導體層,以及用以構成第2被動元件之上層導體層。於元件本體之側面,下層導體層之端面與上層導體層之端面電性且物理性地連接。端子電極與下層導體層之端面及上層導體層之端面接觸,並與下層導體層及上層導體層連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种薄膜组件,其包括组件本体以及4个端子电极。组件本体具有4个侧面,且各端子电极配置为与各侧面之一部分接触。组件本体包括用以构成第1被动组件之下层导体层,以及用以构成第2被动组件之上层导体层。于组件本体之侧面,下层导体层之端面与上层导体层之端面电性且物理性地连接。端子电极与下层导体层之端面及上层导体层之端面接触,并与下层导体层及上层导体层连接。

公开(公告)号：TWI290726B

公开(公告)日：2007-12-01

申请号：TW090119587

申请日：2001-08-10

Applicant: 聯合莫諾里西克半導體有限公司 UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： 達格.貝哈瑪 BEHAMMER, DAG

IPC: H01L ,  H01C

CPC classification number: H01L21/822 ,  H01L27/016 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本發明提出一種在半導體基底上製造被動元件的方法。秈用這種方法可以用低成本、高產量的方式在半導體基底上製造出各種不同的被動元件，尤其是高歐姆電阻元件、低歐姆電阻元件、高單位長度電容量的電容元件、以及低單位長度電容量的電容元件。本方法可以完全或極大程度的取代lift-oft製程(離析製程)(尤其是元件構造非常複雜時)，並選擇性的的以乾式及/或濕式化學法進行蝕刻。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种在半导体基底上制造被动组件的方法。籼用这种方法可以用低成本、高产量的方式在半导体基底上制造出各种不同的被动组件，尤其是高欧姆电阻组件、低欧姆电阻组件、高单位长度电容量的电容组件、以及低单位长度电容量的电容组件。本方法可以完全或极大程度的取代lift-oft制程(离析制程)(尤其是组件构造非常复杂时)，并选择性的的以干式及/或湿式化学法进行蚀刻。

公开(公告)号：TW200737493A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：TW096102591

申请日：2007-01-24

Applicant: TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

Inventor： 桑島一 HAJIME KUWAJIMA ,  宮崎雅弘 MASAHIRO MIYAZAKI ,  古屋晃 AKIRA FURUYA ,  伊東正弘 MASAHIRO ITOH

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L27/12

Abstract: 一種薄膜元件,具備有:基板;順序疊層在該基板之上之絕緣層,下部導體層、介電質膜、絕緣層、上部導體層和保護膜;和4個之端子電極。4個之端子電極接觸在上部導體層之端面之一部份,和連續於該端面的上部導體層之上表面之一部份。保護膜具有4個之凹部。該等之凹部形成從保護膜之外緣中之與該等凹部對應之部份以外之部份凹陷到內側之形狀,使接觸在上部導體層之上表面中之4個端子電極之部份露出。該4個凹部收容4個之端子電極之一部份。

Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜组件,具备有:基板;顺序叠层在该基板之上之绝缘层,下部导体层、介电质膜、绝缘层、上部导体层和保护膜;和4个之端子电极。4个之端子电极接触在上部导体层之端面之一部份,和连续于该端面的上部导体层之上表面之一部份。保护膜具有4个之凹部。该等之凹部形成从保护膜之外缘中之与该等凹部对应之部份以外之部份凹陷到内侧之形状,使接触在上部导体层之上表面中之4个端子电极之部份露出。该4个凹部收容4个之端子电极之一部份。