半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    6.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

    公开(公告)号:TW200840018A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:TW097101790

    申请日:2008-01-17

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L27/016 H01C7/006 H01C7/06 H01L28/20

    Abstract: 本發明的目的是在於提供一種藉由自我整合地進行電阻的接觸部的形成,減低接觸部的佔有面積及接觸電阻的不均,微細且高精度,能以低製造成本來形成之電阻元件。其解決手段是在絕緣膜上形成配線的基板表面堆積金屬薄膜,以能夠跨越配線間之方式殘留所望部份來異方性蝕刻金屬薄膜,藉此自我整合地連接成為電阻體的金屬薄膜與配線間。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的是在于提供一种借由自我集成地进行电阻的接触部的形成,减低接触部的占有面积及接触电阻的不均,微细且高精度,能以低制造成本来形成之电阻组件。其解决手段是在绝缘膜上形成配线的基板表面堆积金属薄膜,以能够跨越配线间之方式残留所望部份来异方性蚀刻金属薄膜,借此自我集成地连接成为电阻体的金属薄膜与配线间。

    應用於平面顯示器上之儲存電容結構及其形成方法 STORAGE CAPACITOR STRUCTURE FOR USE IN PLANAR DISPLAY AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
    7.
    发明专利
    應用於平面顯示器上之儲存電容結構及其形成方法 STORAGE CAPACITOR STRUCTURE FOR USE IN PLANAR DISPLAY AND PROCESS FOR PRODUCING SAME 有权
    应用于平面显示器上之存储电容结构及其形成方法 STORAGE CAPACITOR STRUCTURE FOR USE IN PLANAR DISPLAY AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

    公开(公告)号:TWI297414B

    公开(公告)日:2008-06-01

    申请号:TW091119846

    申请日:2002-08-30

    IPC: G02F

    CPC classification number: H01L28/60 G02F1/136213 H01L27/016 H01L27/12

    Abstract: 本案係為一種儲存電容結構及其形成方法,應用於一
    平面顯示器之主動矩陣中,該儲存電容結構包含:一下電
    極層,其上表面具有凹凸結構;一介電層,覆蓋於該下電
    極層之上表面;以及一上電極層,覆蓋於該介電層之上,
    而該形成方法包含下列步驟:提供一基板;於該基板上方
    形成該下電極層,該下電極層之上表面具有凹凸結構;於
    該下電極層之上表面覆蓋該介電層;以及於該介電層之上
    表面上覆蓋該上電極層。

    Abstract in simplified Chinese: 本案系为一种存储电容结构及其形成方法,应用于一 平面显示器之主动矩阵中,该存储电容结构包含:一下电 极层,其上表面具有凹凸结构;一介电层,覆盖于该下电 极层之上表面;以及一上电极层,覆盖于该介电层之上, 而该形成方法包含下列步骤:提供一基板;于该基板上方 形成该下电极层,该下电极层之上表面具有凹凸结构;于 该下电极层之上表面覆盖该介电层;以及于该介电层之上 表面上覆盖该上电极层。

    薄膜元件 THIN-FILM DEVICE
    8.
    发明专利
    薄膜元件 THIN-FILM DEVICE 审中-公开
    薄膜组件 THIN-FILM DEVICE

    公开(公告)号:TW200746200A

    公开(公告)日:2007-12-16

    申请号:TW096109471

    申请日:2007-03-20

    IPC: H01G

    CPC classification number: H01L27/016

    Abstract: 本發明提供一種薄膜元件,其包括元件本體以及4個端子電極。元件本體具有4個側面,且各端子電極配置為與各側面之一部分接觸。元件本體包括用以構成第1被動元件之下層導體層,以及用以構成第2被動元件之上層導體層。於元件本體之側面,下層導體層之端面與上層導體層之端面電性且物理性地連接。端子電極與下層導體層之端面及上層導體層之端面接觸,並與下層導體層及上層導體層連接。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种薄膜组件,其包括组件本体以及4个端子电极。组件本体具有4个侧面,且各端子电极配置为与各侧面之一部分接触。组件本体包括用以构成第1被动组件之下层导体层,以及用以构成第2被动组件之上层导体层。于组件本体之侧面,下层导体层之端面与上层导体层之端面电性且物理性地连接。端子电极与下层导体层之端面及上层导体层之端面接触,并与下层导体层及上层导体层连接。

    製造被動元件於半導體基底上之方法 METHOD OF MANUFACTURING PASSIVE DEVICES ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    9.
    发明专利
    製造被動元件於半導體基底上之方法 METHOD OF MANUFACTURING PASSIVE DEVICES ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权
    制造被动组件于半导体基底上之方法 METHOD OF MANUFACTURING PASSIVE DEVICES ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

    公开(公告)号:TWI290726B

    公开(公告)日:2007-12-01

    申请号:TW090119587

    申请日:2001-08-10

    IPC: H01L H01C

    Abstract: 本發明提出一種在半導體基底上製造被動元件的方法。秈用這種方法可以用低成本、高產量的方式在半導體基底上製造出各種不同的被動元件,尤其是高歐姆電阻元件、低歐姆電阻元件、高單位長度電容量的電容元件、以及低單位長度電容量的電容元件。本方法可以完全或極大程度的取代lift-oft製程(離析製程)(尤其是元件構造非常複雜時),並選擇性的的以乾式及/或濕式化學法進行蝕刻。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种在半导体基底上制造被动组件的方法。籼用这种方法可以用低成本、高产量的方式在半导体基底上制造出各种不同的被动组件,尤其是高欧姆电阻组件、低欧姆电阻组件、高单位长度电容量的电容组件、以及低单位长度电容量的电容组件。本方法可以完全或极大程度的取代lift-oft制程(离析制程)(尤其是组件构造非常复杂时),并选择性的的以干式及/或湿式化学法进行蚀刻。

    薄膜元件 THIN-FILM DEVICE
    10.
    发明专利
    薄膜元件 THIN-FILM DEVICE 审中-公开
    薄膜组件 THIN-FILM DEVICE

    公开(公告)号:TW200737493A

    公开(公告)日:2007-10-01

    申请号:TW096102591

    申请日:2007-01-24

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L27/016 H01L27/12

    Abstract: 一種薄膜元件,具備有:基板;順序疊層在該基板之上之絕緣層,下部導體層、介電質膜、絕緣層、上部導體層和保護膜;和4個之端子電極。4個之端子電極接觸在上部導體層之端面之一部份,和連續於該端面的上部導體層之上表面之一部份。保護膜具有4個之凹部。該等之凹部形成從保護膜之外緣中之與該等凹部對應之部份以外之部份凹陷到內側之形狀,使接觸在上部導體層之上表面中之4個端子電極之部份露出。該4個凹部收容4個之端子電極之一部份。

    Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜组件,具备有:基板;顺序叠层在该基板之上之绝缘层,下部导体层、介电质膜、绝缘层、上部导体层和保护膜;和4个之端子电极。4个之端子电极接触在上部导体层之端面之一部份,和连续于该端面的上部导体层之上表面之一部份。保护膜具有4个之凹部。该等之凹部形成从保护膜之外缘中之与该等凹部对应之部份以外之部份凹陷到内侧之形状,使接触在上部导体层之上表面中之4个端子电极之部份露出。该4个凹部收容4个之端子电极之一部份。

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