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    垂直堆疊式影像感測器
    1.
    发明专利
    垂直堆疊式影像感測器 审中-公开
    垂直堆栈式影像传感器

    公开(公告)号：TW201714289A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW105142532

    申请日：2014-01-28

    申请人： 蘋果公司 ,  APPLE INC.

    发明人： 方 曉芬 ,  FAN, XIAOFENG

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L23/52

    CPC分类号： H04N5/369 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14843 ,  H01L29/7827 ,  H04N5/335 ,  H04N9/045

    摘要： 本發明揭示一種具有一光電二極體晶片及一電晶體陣列晶片的垂直堆疊式影像感測器。該光電二極體晶片包括至少一光電二極體，及自該光電晶體晶片之一頂部表面垂直延伸的一傳送閘。該影像感測器進一步包括堆疊於該光電二極體晶片上的一電晶體陣列晶片。該電晶體陣列晶片包括控制電路及儲存節點。該影像感測器進一步包括垂直地堆疊於該電晶體陣列晶片上的一邏輯晶片。該傳送閘將資料自該至少一光電二極體傳達至該電晶體陣列晶片，且該邏輯晶片選擇性地啟動該垂直傳送閘、重設閘、源極隨耦器閘及列選擇閘。

    简体摘要： 本发明揭示一种具有一光电二极管芯片及一晶体管数组芯片的垂直堆栈式影像传感器。该光电二极管芯片包括至少一光电二极管，及自该光晶体管芯片之一顶部表面垂直延伸的一发送闸。该影像传感器进一步包括堆栈于该光电二极管芯片上的一晶体管数组芯片。该晶体管数组芯片包括控制电路及存储节点。该影像传感器进一步包括垂直地堆栈于该晶体管数组芯片上的一逻辑芯片。该发送闸将数据自该至少一光电二极管传达至该晶体管数组芯片，且该逻辑芯片选择性地启动该垂直发送闸、重设闸、源极随耦器闸及列选择闸。

    影像感測裝置、其形成方法及半導體裝置 IMAGE SENSOR DEVICES, METHODS FOR FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICES
    5.
    发明专利
    影像感測裝置、其形成方法及半導體裝置 IMAGE SENSOR DEVICES, METHODS FOR FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
    影像传感设备、其形成方法及半导体设备 IMAGE SENSOR DEVICES, METHODS FOR FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICES

    公开(公告)号：TWI347007B

    公开(公告)日：2011-08-11

    申请号：TW096118495

    申请日：2007-05-24

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

    发明人： 劉漢琦 ,  張中瑋 ,  伍壽國 ,  翁烔城 ,  柯鈞耀

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L27/14654 ,  H01L27/1463

    摘要： 本發明提供一種影像感測裝置，包括：一半導體基底，其具有一第一型導電性；一半導體層，其具有該第一型導電性，該半導體層在該半導體基底上方；以及複數個畫素，在該半導體層中；其中該半導體層包括一第一深井區及一第二深井區，該第一深井區具有該第一型導電性，該第一深井區在該些畫素下方，該第二深井區具有一第二型導電性，該第二型導電性與該第一型導電性不同，且該第二深井區在該第一深井區下方。

    简体摘要： 本发明提供一种影像传感设备，包括：一半导体基底，其具有一第一型导电性；一半导体层，其具有该第一型导电性，该半导体层在该半导体基底上方；以及复数个像素，在该半导体层中；其中该半导体层包括一第一深井区及一第二深井区，该第一深井区具有该第一型导电性，该第一深井区在该些像素下方，该第二深井区具有一第二型导电性，该第二型导电性与该第一型导电性不同，且该第二深井区在该第一深井区下方。

    固態影像偵知裝置及其驅動方法
    8.
    发明专利
    固態影像偵知裝置及其驅動方法 失效
    固态影像侦知设备及其驱动方法

    公开(公告)号：TW451485B

    公开(公告)日：2001-08-21

    申请号：TW088115571

    申请日：1999-09-09

    申请人： 日本電氣股份有限公司

    发明人： 村上一朗 ,  中柴 康隆

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L27/14656 ,  H01L27/14654 ,  H04N5/35527

    摘要： 一固態影像偵知裝置包括:複數偵知裝置,以矩陣形式排列;電荷堆積裝置;連接於偵知裝置且堆積自偵知裝置產生的電荷;可堆積電荷調節裝置，調節電荷堆積裝置之可堆積電荷量;以及控制裝置,控制可堆積電荷調節裝置。在一攝像週期範圍內以及在一控制裝置之可堆積電荷之既定量內，控制裝置控制可堆積電荷量在時間序列中連續性地或非連續性地變化。

    简体摘要： 一固态影像侦知设备包括:复数侦知设备,以矩阵形式排列;电荷堆积设备;连接于侦知设备且堆积自侦知设备产生的电荷;可堆积电荷调节设备，调节电荷堆积设备之可堆积电荷量;以及控制设备,控制可堆积电荷调节设备。在一摄像周期范围内以及在一控制设备之可堆积电荷之既定量内，控制设备控制可堆积电荷量在时间串行中连续性地或非连续性地变化。

    垂直堆疊式影像感測器
    9.
    发明专利
    垂直堆疊式影像感測器 审中-公开
    垂直堆栈式影像传感器

    公开(公告)号：TW201622116A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：TW105104191

    申请日：2014-01-28

    申请人： 蘋果公司 ,  APPLE INC.

    发明人： 方 曉芬 ,  FAN, XIAOFENG

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L23/52

    CPC分类号： H04N5/369 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14843 ,  H01L29/7827 ,  H04N5/335 ,  H04N9/045

    摘要： 本發明揭示一種具有一光電二極體晶片及一電晶體陣列晶片的垂直堆疊式影像感測器。該光電二極體晶片包括至少一光電二極體，及自該光電晶體晶片之一頂部表面垂直延伸的一傳送閘。該影像感測器進一步包括堆疊於該光電二極體晶片上的一電晶體陣列晶片。該電晶體陣列晶片包括控制電路及儲存節點。該影像感測器進一步包括垂直地堆疊於該電晶體陣列晶片上的一邏輯晶片。該傳送閘將資料自該至少一光電二極體傳達至該電晶體陣列晶片，且該邏輯晶片選擇性地啟動該垂直傳送閘、重設閘、源極隨耦器閘及列選擇閘。

    简体摘要： 本发明揭示一种具有一光电二极管芯片及一晶体管数组芯片的垂直堆栈式影像传感器。该光电二极管芯片包括至少一光电二极管，及自该光晶体管芯片之一顶部表面垂直延伸的一发送闸。该影像传感器进一步包括堆栈于该光电二极管芯片上的一晶体管数组芯片。该晶体管数组芯片包括控制电路及存储节点。该影像传感器进一步包括垂直地堆栈于该晶体管数组芯片上的一逻辑芯片。该发送闸将数据自该至少一光电二极管传达至该晶体管数组芯片，且该逻辑芯片选择性地启动该垂直发送闸、重设闸、源极随耦器闸及列选择闸。